Електронні явища в вузькощілинних та без щілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури
Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
Подобные документы
Закономірності розподілу компонентів вздовж кристалів багатокомпонентних твердих розчинів АІІBVI, вирощених методом модифікованої зонної плавки. Визначення концентрації та енергії активації акцепторних центрів у напівпровідниковому твердому розчині.
автореферат, добавлен 14.09.2014Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015Дослідження процесів формування структури, складу і властивостей зростання плівкових покриттів, утворених залежно від умов розпилення і складу робочого газу. Оптимізація цих умов з метою одержання плівок із заданими фізико-механічними властивостями.
автореферат, добавлен 26.07.2014Характеристики та властивості фотонних кристалів, їх значення для науки і практики. Дослідження методів отримання оптичної лауеграми фотонного кристалу. Практичне визначення періоду ґратки фотонного кристалу за його оптичною лауеграмою різними методами.
реферат, добавлен 24.11.2014Вивчення основ структури металевих розчинiв та iнтерметалiдiв, оксидiв напiвпровiдникових та надпровiдникових сполук. Аспекти формування шаристих структур на основi дiаграм станiв та можливостi контролю структурних особливостей при низьких температурах.
автореферат, добавлен 11.11.2013Характер структурної організації мезогенних молекул в індукованих холестеричних рідких кристалах з прямою та скошеною сиботактичними структурами. Залежність сформованої структури від роду домішки, ступеня розвитку в ній флуктуацій смектичного параметра.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 57. Надтонкі діелектричні молекулярні плівки, організація і еволюція їх структури, оптичні властивості
Вивчення структурної стабільності високовпорядкованих діелектричних молекулярних плівок в залежності від інтеркаляції іонів металів. Аналіз механізмів фазових перетворень періодичної металоорганічної матриці і росту напівпровідникових нанокристалів.
автореферат, добавлен 25.09.2015 Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015- 59. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Фазовий склад, структурний стан поверхні, особливості дифузійних процесів та електрофізичні властивості дво- та тришарових плівок на основі Cr, Cu і Sc (Со), їх аналіз. Моделювання термо- та тензорезистивних властивостей тришарових плівкових систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Взаємозв'язок між умовами вирощування, чистотою вихідної сировини й формуванням структури власних та домішкових точкових дефектів, які суттєво впливають на роботу приладів, виготовлених на сапфірових підкладках. Технологія оптимального розкрою кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Проблеми управління параметрами хвилі ядерного горіння. Опис швидкісних характеристик стаціонарної хвилі для різних варіантів початкового складу палива. Огляд характеру змін кінцевого флюенсу хвилі, що відбуваються внаслідок зміни властивостей поглинача.
статья, добавлен 11.09.2013Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014Аналіз залежності від електричного поля діелектричної проникності кристалів при різних значеннях температури вимірювання. Дослідження специфічних особливостей процесів переполяризації кристалічних матеріалів в синусоїдальних та імпульсних полях.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 65. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Дослідження особливостей формування та зміни кластеризованої структури в кристалічних феритах рентгеноструктурними та рентгеноспектральними методами. Вивчення закономірностей формування та еволюції мезоскопічних неоднорідностей структури в ферошпінелях.
автореферат, добавлен 26.08.2015Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Комплексне дослідження локальної структури, ступеня та типу впорядкування невпорядкованих сегнетоелектриків та їх твердих розчинів. Діелектричні властивості твердого розчину релаксорних сегнетоелектриків. Вивчення особливостей поведінки домішкових іонів.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження кристалізаційних, структурних, спектроскопічних, люмінесцентних, нелінійно-оптичних, та генераційних властивостей кристалів боратів стронція. Отримання нової хімічної сполуки. Методика вирощування та дослідження структури нових монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Фізико-технічні аспекти феномену спадковості станів в кристалічних сполуках AIIBVI. Дослідження оптичних, діелектричних, акустичних і теплових властивостей цих кристалів. Використання системного підходу до дослідження метастабільних станів сполук.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Виділення основних етапів формування енергетичної політики в Україні та надання характеристики основних законодавчих ініціатив у формуванні власної енергетичної системи за часи незалежності. Базові проблеми розвитку паливно-енергетичного комплексу.
статья, добавлен 02.01.2019Встановлення закономірностей впливу розмірних ефектів на магнітні та термоелектричні властивості надграток EuS-PbS. Можливість існування в напівпровідникових НГ EuS-PbS міжшарової обмінної взаємодії феромагнітних шарів через немагнітні прошарки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Основні виявлення ролі часткових дислокацій, які рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення зміни фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження спектральних характеристик радіаційностійких кристалів окислів боратів бета–BaB2O4 та Li2B4O7, нелінійно-оптичних та гіротропних кристалів Ca3(VO4)2 та нелінійних кристалів GaP в умовах впливу полів імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 21.11.2013