Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках
Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
Подобные документы
Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Вивчення холестеричних (нематичних) рідких кристалів, котрі індуковані фоточутливими хіральними домішками (ізомерами вітаміну Д та спорідненими сполуками), а також вплив структурної модифікації домішок на величину кроку холестеричної спіралі та її знак.
автореферат, добавлен 22.06.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Дослідження відмінностей впливу опромінення електронами на оптичні та люмінесцентні властивості кристалів лейкосапфіру, вирощених видозміненим методом Кіропулоса. Вивчення сигналів термолюмінесценції за допомогою молібденових та ніобієвих екранів.
статья, добавлен 30.01.2016- 6. Епітаксіальні надгратки та квантові структури з монохалькогенідів свинцю, олова, європію та ітербію
Теоретичне встановлення закономірностей та ефектів, пов’язаних з переходом до низьковимірного стану епітаксіальних надграток з халькогенідних напівпровідників з невідповідністю грат суміжних шарів. Електричні, оптичні та магнітні властивості надграток.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
автореферат, добавлен 28.08.2014Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
автореферат, добавлен 30.08.2014Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Встановлення закономірностей впливу зміни параметрів порядку в сегнетоелектричних та феромагнітних наносистемах на електричні і магнітні властивості. Розвиток теорії квантових та структурнорозмірних процесів і ефектів, що протікають в наносистемах.
автореферат, добавлен 27.08.2015Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження фізико-хімічних та кристалізаційних параметрів стекол. Розрахунок критичних швидкостей охолодження розплавів. Визначення оптимальних режимів синтезу стекол. Оцінка впливу опромінення та відпалу на структуру і оптичні властивості плівок.
автореферат, добавлен 07.08.2014Дослідження оптичних та нелінійно-оптичних властивостей кристалів ніобату літію та кристалів групи боратів. Вивчення таких НЛО ефектів як генерація вищих оптичних гармонік, генерація сумарної частоти, фотоіндукована генерація другої оптичної гармоніки.
автореферат, добавлен 30.07.2015Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Поняття електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі, формування n-n+переходів у напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами. Розподіл точкових дефектів і деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах.
автореферат, добавлен 24.07.2014Дослідження перехідних теплових процесів у напівпровідниках та діелектриках. Розв’язки рівнянь балансу енергії для електронів та фононів. Встановлення особливостей температурних розподілів. Перенос теплового імпульсу через твердотільні середовища.
автореферат, добавлен 29.07.2014Особливості зміни оптичних властивостей тонких шарів напівпровідника, спектрів комбінаційного розсіювання, механізм незворотних фотоструктурних перетворень. Визначення процесів селективного травлення, формуванні рельєфу голограмних оптичних елементів.
автореферат, добавлен 22.04.2014Методи термічного випаровування в квазізамкнутому об’ємі. Окиснення леткого попередника. Енергетичні стани електронів. Загальні закономірності фізико–хімічних процесів формування п’єзоактивних оксидних та халькогенідних структур з розвиненою поверхнею.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 22. Електронно-мікроскопічні дослідження впливу умов отримання на будову складних халькогенідних стекол
Огляд методики виготовлення тонких сколів стекол, в яких зберігається структура об’ємного зразка. Дослідження склоподібного трисульфіду миш’яку. Аналіз закономірностей зміни структури складних халькогенідних стекол при варіації складу та умов синтезу.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Проведення теоретико-групової класифікації деформаційних ефектів в алмазоподібних напівпровідниках і встановлення на цій основі дозволених фізичних моделей п’єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Теоретичне вивчення п’єзоопору в кремнії та германії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Методи визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках, їх природа. Електропровідність металів. Надпровідність, магнітні властивості надпровідників. Суть явища ефекту Холла, його використання в вимірювальних пристроїв і схем автоматики.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Дослідження короткотривалої релаксації надструктури неспівмірних фаз кристалів тетраметиламін-тетрахлорметалатів, а також вивчення впливу електричного поля на поведінку хвилі модуляції в умовах "в’язкої взаємодії" в кристалах [N(CH3)4]2МеCl4 (Me=Cu, Zn).
автореферат, добавлен 14.09.2014