Полупроводниковые диоды, принцип действия и классификация
Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.
Подобные документы
Особенности микроволнового диапазона и динамического принципа управления преобразованием энергии. Электрофизические свойства однородных и неоднородных полупроводников. Свойства p-n перехода в микроволновом диапазоне. Лавинно-пролетный диод, Диод Шоттки.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Исследование физического принципа действия, устройства и характеристик лавинно-пролетного диода и диодного генератора на его основе. Зависимость основных параметров генератора от режима работы. Методика измерений, подготовка к ним и порядок проведения.
методичка, добавлен 10.09.2015Графики работы выпрямителя с фильтром по расчётным данным и выбор полупроводникового диода по результатам расчета. Расчётная схема и значения параметров транзисторного усилителя. Проверка правильности выбора трансформатора по мощности рассеяния.
курсовая работа, добавлен 12.01.2011Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Прямое и обратное включение p-n-перехода. Виды электронных сигналов и параметры передачи сигналов по каналам связи. Спектральное представление сигналов детерминированными сигналами. Условия самовозбуждения автогенераторов гармонических колебаний.
лабораторная работа, добавлен 13.01.2011Общие сведения и классификация измерительных генераторов. Структурная схема и основные параметры измерительных генераторов. Низкочастотные и высокочастотные генераторы. Измерительные генераторы импульсных и шумовых сигналов, синтезаторы частоты.
презентация, добавлен 22.01.2016Описание конструкции, принцип действия и свойства электромагнитных поляризованных исполнительных устройств. Магнитные опоры, их определение и классификация. Устройство, принцип действия и свойства малоинерционных и асинхронных исполнительных двигателей.
контрольная работа, добавлен 12.06.2009Организация рабочего места и его обслуживание. Устройство и принцип действия. Технологический процесс измерение параметров полупроводниковых диодов прибором Л2-54. Подготовка прибора к работе. Техника безопасности при проведении электрорадиоизмерений.
курсовая работа, добавлен 26.11.2008Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015Расчет вольтамперной характеристики и идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения. Определение дифференциального сопротивления линейного участка. Анализ принципиальной схемы усилителя. Обзор принципа работы и параметров фотодиода.
задача, добавлен 28.10.2011Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Характеристика истории создания гетеродинного приемника и анализ его принципа действия. Описание схемы телеграфной радиолинии. Вольтамперная характеристика детектора. Определение крутизны и кривизны для современного диода Д2 по вольтамперной зависимости.
курсовая работа, добавлен 28.05.2014Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 16.05.2016Основные этапы развития теории и техники цифровой радиосвязи. Особенности формирования и генерирования сигналов. Особенности работы усилителя частоты с закрытым и частично открытым p-n-переходом. Параллельное и последовательное включение диодов.
контрольная работа, добавлен 20.04.2022Назначение и применение фильтров нижних частот (ФНЧ), их частотные и импульсные характеристики. Проблемы разработки аналоговых ФНЧ. Методы проектирования цифровых ФНЧ: временной и частотной выборок, быстрой свертки. Эффекты квантования параметров.
контрольная работа, добавлен 17.04.2015Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 19.01.2011Моделирование электрооптического преобразователя. Параметры и характеристики светодиодов. Принцип осуществления цифровой модуляции лазерного диода. Математическая модель электрооптического преобразователя. Уменьшение материальной дисперсии диодом.
реферат, добавлен 27.02.2013Принцип работы преобразовательного устройства. Система автоматического регулирования. Параметры стабилизатора, катушки индуктивности в среде Matlab. Подбор диода и транзистора. Режим прерывистых токов. Анализ регулировочной характеристики стабилизатора.
курсовая работа, добавлен 26.12.2014Анализ результатов экспериментов по кристаллизации излучательных структур на основе антимонида галлия, формируемых методом термомиграции расплава в полупроводниковой матрице. Разработка и реализация конструкционного решения светоизлучающего диода.
статья, добавлен 11.01.2018- 100. Полевые транзисторы
Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013