П’єзоелектричні та електрооптичні характеристики кристалів лангаситу і ніобату літію для пристроїв керування лазерним випромінюванням
Використання кристалів лангаситу і групи ніобату літію як робочих елементів оптоелектронних пристроїв керування лазерним випромінюванням. Покращення п’єзоелектричних і електрооптичних характеристик шляхом вивчення просторової анізотропії властивостей.
Подобные документы
Створення високоефективних засобів забезпечення теплових режимів перспективних пристроїв обчислювальної техніки. Основні шляхи конструктивної реалізації високоефективних пристроїв тепловідводу. Метод та засоби підвищення інтенсивності теплообміну.
автореферат, добавлен 26.08.2015Дослідження парних зв’язаних станів атома самарію методом трифотонної резонансно-іонізаційної спектроскопії. Особливості трифотонної іонізації атома самарію поляризованим лазерним випромінюванням, що визначаються своєрідністю його електронних станів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження взаємодії оптичного випромінювання з періодично впорядкованими структурами. Основні методи створення фотонних кристалів. Головні характеристики фотонних кристалів та перспективи їх застосування. Характеристика тонких плоских зразків опалу.
реферат, добавлен 18.12.2020Дослідження швидкості й затухання гіперзвуку для кристалографічних напрямків. Спектроскопічний аналіз методом Мандельштама-Бріллюена фотосегнетонапівпровідникових халькогенідних твердих розчинів. Вивчення анізотропії їх пружних властивостей кристалів.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Визначення часових меж процесів, що відбуваються під час нагрівання кристалів у відновлювальній атмосфері і після зміни атмосфери відпалу. Вплив атмосфери відпалу на складові кристалів LiNbO3, кореляція змін структурних і оптичних властивостей.
автореферат, добавлен 12.07.2015Вивчення пружніх властивостей кристалів, роль акустичних збуджень при фазових переходах. Розрахунок фононних спектрів та фазових переходів в сеґнетоелектриках. Особливості хімічного зв’язку при переході від кристалів з об’ємною морфологією до шаруватих.
автореферат, добавлен 25.08.2014Вдосконалення характеристик оптоелектронних елементів відображення інформації на базі нових матеріалів, науково-технічних рішень та технологічних процесів, а також дослідження електрофізичних характеристик ТПЕЛС та розробка нових пристроїв на їх основі.
автореферат, добавлен 04.03.2014Обґрунтування прийнятих рішень проектування системи автоматичного регулювання напруги пристроїв Укртелекому. Основні виробничі вимоги до джерел автоматичних станцій телефонного зв'язку. Розробка функціональної схеми керування. Вибір запобіжників вводу.
контрольная работа, добавлен 23.08.2013Характеристики систем ядерних пристроїв магнітного резонансу. Основні параметри елементів фільтра та випромінювача. Моделювання процесів в середовищі MatLab. Індуктивна складова струму випромінювача та зменшення амплітуди комбінаційних гармонік.
статья, добавлен 26.06.2016Фізико-технічні аспекти феномену спадковості станів в кристалічних сполуках AIIBVI. Дослідження оптичних, діелектричних, акустичних і теплових властивостей цих кристалів. Використання системного підходу до дослідження метастабільних станів сполук.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 37. Температурна поведінка оптичної анізотропії нелінійних діелектриків з центросиметричною парафазою
Вивчення результатів поляриметричних досліджень параметрів оптичної анізотропії кристалів дейтерованого тригліцинсульфату. Розгляд наслідків дейтерування ізоморфних заміщень. Аналіз термічного розширення кристалічних фероїків з органічними катіонами.
автореферат, добавлен 25.02.2015 Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Створення методів теоретичного дослідження матеріалів в екстремальних умовах для прогнозу властивостей в стані у важко вимірюваних областях. Розрахунок дисперсійних кривих сильно стиснених кристалів інертних газів в симетричних напрямах зони Бріллюена.
автореферат, добавлен 28.08.2015Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Результати діелектричних досліджень сегнетиелектричних кристалів CuIn1+гамаP2S6 в температурному інтервалі 293-450 К при дії гідростатичних тисків до р=300МПа. Етапи побудови фазової p,T-діаграми кристалів; причини її відхилення від лінійного закону.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Основні виявлення ролі часткових дислокацій, які рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення зміни фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.08.2014Вивчення процесів електронного збудження автоіонізаційних станів атома літію методом електронної спектроскопії з використанням техніки електронного і атомного пучків, що перетинаються. Розробка та впровадження методики вимірів фізичного резонансу.
автореферат, добавлен 07.03.2014Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 46. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Головний аналіз електрохімічної інтеркаляції іонів літію в кристалічні та аморфні модифікації діоксиду кремнію. Вплив дисперсних матеріалів на ступінь енергетичних параметрів комірок живлення. Особливість нефарадеєвської гіпер’ємності накопичення заряду.
автореферат, добавлен 02.08.2014Завдання складної автоматичної системи. Система та принцип дії автоматичного керування. Математичне доведення передаточних функцій елементів автоматичної системи та їх виду. Побудова структурної схеми та розрахунок системи автоматичного керування.
контрольная работа, добавлен 25.04.2016Розробка фізико-математичної моделі самоорганізації кристалічних дефектів, проведення аналізу анізотропії фізико-механічних властивостей. Дефекти кристалічної будови і керування макровластивостями в деформованих металевих системах з кубічними решітками.
автореферат, добавлен 25.06.2014Закономірності тензорезистивних ефектів, обумовлених перебудовою енергетичних зон кристалів Si та Ge під дією сильної одновісної деформації і дослідження анізотропії тензорезистивних ефектів, пов’язаної зі змінами симетрії кристалів і рівня легування.
автореферат, добавлен 29.08.2014