Методы измерения энергетических параметров полупроводников
Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
Подобные документы
Открытие Лосевым электромагнитных колебаний и их усиление в полупроводниковом кристаллическом детекторе. Создание прибора "кристадин" на контактной паре металлического острия и кристалла цинкит. Изучение P-N переходов и серийное производство транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2011Понятие электрического тока как переноса электрических зарядов. Характеристика основных структурных элементов атома. Особенности и порядок использования принципа Паули. Сущность туннельного эффекта и принцип действия функции распределения Ферми-Дирака.
лекция, добавлен 29.10.2013Использование фотоэлектрических преобразователей энергии для питания магистральных систем электроснабжения и различного оборудования на космических летательных аппаратах. Принципы работы ФЭП, характеристика полупроводников, преимущества и недостатки.
реферат, добавлен 05.06.2010Свойства полупроводников, характеристика аномального и квантового эффектов Холла. Гальваномагнитные явления в монокристаллах и их применение. Сущность магнетосопротивления и история открытия эффекта Томсона. Понятие термогальваномагнитных эффектов.
курсовая работа, добавлен 13.04.2012Ток как направленное движение заряженных частиц, его сила, вектор плотности. Электродвижущая сила, правила Кирхгофа. Закон Ома для замкнутого проводника или для электрической цепи. Электропроводность металлов и полупроводников, термоэлектрические явления.
реферат, добавлен 21.10.2013Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Краткая биография великих физиков России: Ж.И. Алферова, Д.И. Блохинцева, В.С. Ивановича, Я.Б. Зельдовича, П.Л. Капица, А.Я. Орлова и пр. Их основной вклад в развитие науки физики: открытие полупроводников, люминесценции, фотоэффекта, атомов, радио и пр.
презентация, добавлен 05.11.2016Анализ основных элементов физики полупроводников. Зависимость электродвижущей силы Холла от размеров пластины. Схемы включения биполярных транзисторов. Сущность электронно-лучевых и вакуумно-люминесцентных индикаторов. Изучение светоизлучающих диодов.
лекция, добавлен 08.08.2020- 84. Внутренние шумы
Минимальное значение усиливаемого сигнала и нормирование его ограничений. Обоснование флуктуации напряжений и токов в электрических цепях. Основные характеристики внутренних шумов, их источники. Параметры шумов электрических цепей, ламп, полупроводников.
реферат, добавлен 27.06.2015 Особенности распределения электропроводности насыпного октогена при нормальной детонации с высоким временным разрешением. Характеристика зоны электропроводности. Строение и структура зоны проводимости, состоящей из двух основных зон электропроводности.
курсовая работа, добавлен 04.01.2012Устройство пьезоэлектрического полупроводника. Взаимодействие электронов проводимости с пьезоэлектрическим полем. Поглощение и усиление звука, физическая основа. Основные результаты линейной теории. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления.
реферат, добавлен 10.12.2010Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015- 89. Генератор Ганна
Периодические колебания силы тока в цепи. Появление отрицательного дифференциального сопротивления под воздействием сильного электрического поля. Генерация и усиление СВЧ-колебаний. Требования к зонной структуре полупроводников. Открытие эффекта Ганна.
презентация, добавлен 16.12.2015 Виды пробоя диэлектриков, механизмы их протекания. Основные характеристики диэлектрических жидкостей. Область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла. Точечные и планарные полупроводниковые диоды.
контрольная работа, добавлен 31.01.2022Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Проведение исследования основных физико-химических и физических свойств веществ, образующих исследованные системы твердых растворов. Создание для магнитоэлектроники эффективных способов синтеза новых высокотемпературных ферримагнитных полупроводников.
дипломная работа, добавлен 02.08.2018Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Фотолитография и основы оптики. Проекционная, контактная печать и печать с зазором. Характеристики электронно-лучевых установок, поглощение излучения высоких энергий. Радиационные повреждения приборов. Рентгеновское и ионно-лучевое экспонирование.
курсовая работа, добавлен 28.08.2013Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Вычисление энергии связи экситона на нейтральном акцепторе для разных значений полного момента J. Определение величины расщепления энергии основного состояния, обусловленной j-j связью и принципом Паули. Значения E20 для полупроводников структуры алмаза.
статья, добавлен 26.06.2018Характеристика фотоэлектрических и фотоэлектрохимических методов преобразования солнечной энергии в тепловую, химическую и другие виды. Гипотеза Планка и явление фотоэффекта. Применение полупроводников с гетеропереходом в работе солнечных элементов.
реферат, добавлен 14.01.2014Изучение начальных основ курса физики твердого тела. Рассмотрение вопросов кристаллического строения, динамики решетки, магнитных свойств и сверхпроводимости. Обсуждение зонной теории и на ее основе электрических свойств металлов и полупроводников.
учебное пособие, добавлен 05.04.2014Изучение управления электрическим моментом в активных полупроводниках ЭЛК-частиц и диполях. Анализ свойств атомов электронной ловушки донорной природы. Обзор механизма преобразований полупроводников. Характеристика сдвига термостимулированных токов.
реферат, добавлен 31.07.2013Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019