Биполярный транзистор в схеме с общей базой
Виды режимов работ биполярных транзисторов и их отличия. Процесс протекания эмиттерного тока. Характеристика работы и свойства транзистора в прямом активном режиме. Обратная связь по напряжению в биполярном транзисторе, согласно с эффектом Эрли.
Подобные документы
Использование простейших локальных моделей для анализа цепи с биполярными транзисторами. Линейные модели для основных режимов работы биполярного транзистора. Определение напряжения между коллектором и эмиттером, напряжения коллекторного перехода.
лекция, добавлен 03.03.2017Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Условные обозначения и простейшие модели, отражающие структуру транзисторов. Отношение тока коллектора к току базы.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Описание свойства схемы с общим коллектором и составного эмиттерного повторителя, её входное и выходное сопротивления. Порядок измерения сквозного коэффициента усилителя. Эквивалентная схема транзистора. Повторители как усилители с ООС, его задачи.
лабораторная работа, добавлен 21.09.2013Определение мощности рассеиваемой на транзисторе. Расчет выходного сопротивления коллектора. Частотные параметры транзистора и график зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Приращение напряжения на затворе электрической схемы.
контрольная работа, добавлен 16.03.2017Основные способы осуществления исходного режима транзистора. Изменение выходного тока вызванные факторами, действующими при колебаниях температуры окружающей среды. Стабилизация исходного режима. Принципиальная схема каскада с коллекторной стабилизацией.
реферат, добавлен 27.06.2015Ознакомление с классификацией усилителей. Анализ технических характеристик и электрических параметров исследуемого транзистора. Изучение структурной схемы каскада с общим эмиттером. Определение напряжение питания усилителя (по второму закону Киргофа).
контрольная работа, добавлен 07.01.2015Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.
реферат, добавлен 27.06.2015Характеристика особенностей однокаскадного усилителя, собранного по схеме с ОК (эмиттерным повторителем), а также на биполярном транзисторе. Определение и анализ основ фазы входного сигнала, которую инвертирует усилительный каскад по разным схемам.
реферат, добавлен 28.11.2014Измерения силы постоянного и переменного тока, сопротивления, величины постоянного и переменного напряжения, коэффициента усиления биполярных транзисторов. Качество соединения проводников или пайки. Конструкция прибора цифрового мультиметра M838.
лабораторная работа, добавлен 20.11.2013Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.
контрольная работа, добавлен 19.09.2017Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Устройство и принцип действия, статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом. Основные параметры МДП – транзисторов и область их применения. Главные преимущества и недостатки полевых транзисторов. Усилители с общим истоком.
курсовая работа, добавлен 16.06.2022Особенности расчета тока при прямом смещении, в предположении что доминирует диффузионная компонента тока. Носители, электроны и дырки, которые преобладают в данном токе. Основные методы удвоения тока. Ключевые показатели для насыщения тока канала.
курсовая работа, добавлен 06.10.2017- 66. Источники тока
Рассмотрение схемы источника стабильного тока с делителем напряжения, а также токового зеркала с транзистором в диодном включении. Характеристика и анализ особенностей осциллограммы напряжений усилителя. Определение коэффициента усиления по напряжению.
контрольная работа, добавлен 14.11.2014 - 67. Транзистор
Определение содержания закона потенциальной градации материи. Расчет величины контактной разности потенциалов для пары Bi-Cu. Принципы работы контактного перехода. Работа германиевого транзистора, согласно закону потенциальной градации материи.
статья, добавлен 23.11.2018 Параметры источников стабильного тока в цепи обратной связи. Характеристики токового зеркала при разном диапазоне напряжения транзисторов. Принципы выбора заземления и устройств для аккумуляторных батарей. Схематизация печатных плат источников тока.
контрольная работа, добавлен 09.12.2013Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014- 70. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Расчет параметрического стабилизатора постоянного напряжения на кремневом стабилитроне. Режим работы транзистора и коэффициент усиления по напряжению. Основные сведения, классификация, назначение, интегральные микросхемы регистров, их основные параметры.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.
презентация, добавлен 07.07.2015Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017- 74. Исследование способов повышения эффективности генерации потоков заряженных частиц в дуоплазматроне
Возможность создания разнообразных ядерных частиц как потенциально полезное свойства для ионных источников плазменных выбросов. Характеристика предельных режимов протекания тока в разрядах с двойным контрагированием. Принцип работы дуоплазматрона.
дипломная работа, добавлен 23.11.2015 Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014