Вольтамперная характеристика полупроводниковых диодов
Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
Подобные документы
Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
курсовая работа, добавлен 23.03.2016Измерение температуры корпуса диода. Изготовление паза для размещения проводов. Изучение общего вида электронного термометра ТМ-977. Схема 20-ти ступенчатого источника стабильных токов. Сборка экспериментальной установки. Получение математической модели.
лабораторная работа, добавлен 02.05.2015Электрическая энергия и ее подача к потребителям в виде трехфазного или однофазного переменного тока. Классификация диодов: выпрямительные, стабилитроны и стабисторы, универсальные и импульсные, варикапы, специфика туннельных и обращенных диодов.
реферат, добавлен 13.11.2014Анализ полупроводниковых двумерных систем. Динамика проявления DХ-фактора в явлениях переноса в параметрической связи с температурой. Изучение электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики латеральной проводимости одиночного гетероперехода.
статья, добавлен 04.11.2018Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Характеристика бесконтактного и люминесцентного методов измерения температуры. Разработка электрической структурной и функциональной схемы. Обоснование выбора микросхем, резисторов, конденсаторов и диодов. Анализ создания трассировки печатной платы.
дипломная работа, добавлен 24.06.2015Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.
курсовая работа, добавлен 07.12.2014Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022- 69. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019- 72. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Применение ЭВМ (пакет OrCAD) для построения и анализа схемы пассивной линейной RLC цепи. Создание моделей полупроводниковых приборов с помощью Model Editor. Исследование шумовых и температурных свойств усилительного каскада на биполярном транзисторе.
методичка, добавлен 10.08.2013Рассмотрение использования и конструкции диода Ганна. Анализ подходов выполнения низкоомных омических контактов, необходимых для подвода тока для работы диодов Ганна. Режимы использования генераторов на диоде Ганна в зависимости от питающего напряжения.
статья, добавлен 19.02.2019Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013