Биполярные транзисторы с изолированным затвором
История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.
Подобные документы
Сборка усилителя на основе биполярных транзисторов. Подбор элементной базы, которая соответствует нагрузке, и при которой обеспечивается стабильная работа. Тестирование данного силового модуля под управлением МК Atmega16. Расчет транзисторного каскада.
статья, добавлен 26.06.2018Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015Методы расчета усилителя мощности низкой частоты. Амплитуда тока выходных транзисторов. Минимальная величина среднего тока, потребляемого от источника питания в каждом плече в режиме заданной выходной мощности. Мощность рассеяния транзисторов VT2 (VT6).
реферат, добавлен 21.10.2017Изменение напряжения на стоке для обеспечения управления сопротивлением канала в тех же пределах, что и в случае подачи управляющего напряжения на затвор. Статические характеристики полевого транзистора. Характеристика и работа пентодного режима.
реферат, добавлен 19.02.2011Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Определение коммутационных процессов в инверторе напряжения при значительном индуктивном рассогласовании и в околорезонансном режиме. Способы определения оптимального тока коммутации силовых транзисторов. Расчетная схема мостового инвертора напряжения.
реферат, добавлен 27.09.2012Главная характеристика дозовых действий в современных комплементарных и биполярных структурах. Особенность водородной и конверсионной моделей накопления поверхностных состояний. Расчет и моделирование эффекта низкой интенсивности в двухполюсных приборах.
презентация, добавлен 29.08.2015Разработка метода изготовления печатных транзисторов из углеродных нанотрубок и нового типа электронного переключателя. Уникальные технологии, созданные специалистами и исследователями различных компаний. Возможные применения разработанных технологий.
реферат, добавлен 29.05.2017Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Вычисление синфазной и дифференциальной составляющих. Изучение метода дифференциального каскада. Использование супер-вета транзисторов. Разработка операционного усилителя с хорошим коэффициентом усиления. Рассмотрение применения схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Параметры источников стабильного тока в цепи обратной связи. Характеристики токового зеркала при разном диапазоне напряжения транзисторов. Принципы выбора заземления и устройств для аккумуляторных батарей. Схематизация печатных плат источников тока.
контрольная работа, добавлен 09.12.2013Разработка структурной схемы источника питания, расчёт параметрического стабилизатора напряжения. Специфика структурной схемы усилительного каскада, схема двухполупериодного выпрямителя. Комплементарная пара транзисторов, характеристики микросхемы.
курсовая работа, добавлен 22.02.2019Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Исследование входных, передаточных операторных функций, схем транзисторов с обобщенной и избирательной нагрузкой. Расчет амплитудно- и фазо-частотных характеристик, на основе карты нулей полюсов с использованием автоматизированных методов анализа цепей.
курсовая работа, добавлен 21.01.2017Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Актуальность и особенности практического применения электроприводов переменного тока с питанием от автономных инверторов напряжения. Коммутация статорных цепей асинхронного двигателя с помощью транзисторов при фазовом управлении ими, их свойства.
статья, добавлен 31.01.2019Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Назначение анализаторов изображений. Основные параметры и характеристики данных устройств, их внутренняя структура и принцип действия. Классификация и сравнительная характеристика различных анализаторов, их функциональные особенности и сфера применения.
контрольная работа, добавлен 17.11.2018Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.
статья, добавлен 29.05.2017Компьютерное моделирование асинхронного тягового привода с применением самых точных моделей транзисторов. Количественная оценка снижения динамических нагрузок. Схема электрической цепи с транзистором при линейном нарастании напряжения источника питания.
статья, добавлен 27.05.2018Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Физические основы и применение гетеропереходов. Особенности излучателей: инжекционных лазеров, светодиодов и искусственных квантовых ящиков. Интегральная оптика для связи: характеристика используемых материалов и принцип работы фотодиодов и транзисторов.
реферат, добавлен 14.06.2011Общая характеристика и сравнительное описание различных типов фотодиодов, их назначение и внутренняя структура, принцип работы и отличительные особенности оптоэлектронике. Физические свойства данных устройств, преимущества и недостатки их применения.
лекция, добавлен 17.08.2014Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.
учебное пособие, добавлен 06.09.2016Влияние температуры и ионизирующего излучения на характеристики полупроводниковой структуры транзисторов. Анализ системы схемотехнического моделирования LTspice IV. Проектирование вариантов схем источника опорного напряжения с учетом внешних воздействий.
дипломная работа, добавлен 02.09.2018