Условие реализации режима изолированных пар френкелевских дефектов при изучении механизмов образования дефектов в щелочногалоидных кристаллах
Изучение радиационных дефектов в режиме изолированных пар как перспективное для первичных пространственных эффектов в радиационных явлениях твердого тела. Фон дорадиационных дефектов. Кривые термостимулированной люминесценции облученных кристаллов.
Подобные документы
Диагностика тепловой нагрузки асинхронного двигателя. Классификация термических дефектов электрических машин. Причины возникновения в обмотке напряжения обратной полярности. Компенсация потерь в меди. Зависимость скорости вращения ротора от частоты сети.
статья, добавлен 29.09.2018Описание эллипсометра и результаты систематических исследований влияния различных дефектов на поверхности материала с сильным поглощением на данные эллипсометрии. Создание схемы автоматизированного квазиоптического терагерцевого нуль-эллипсометра.
статья, добавлен 14.07.2016Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Изучение двумерных материалов с необычными свойствами. Исследование различных типов дефектов, возникающих в состоянии равновесия. Получение дисклинации с топологическим зарядом равным единице. Изменение направления линий гексагонального порядка.
статья, добавлен 30.05.2017Образование кластеров точечных дефектов при каскадообразующем облучении, в квазистационарном приближении. Стационарное распределение кластеров по размерам, его зависимость от параметров задачи. Физические свойства материала, в котором образуются кластеры.
статья, добавлен 22.08.2013Физические основы моделируемых явлений по физике твердого тела. Классификация кристаллов по типам связи. Кристаллическая структура твердых тел. Дефекты в кристаллах. Механические и тепловые свойства, электропроводность и сверхпроводимость твердых тел.
дипломная работа, добавлен 28.01.2017Плазмонная модель подпорогового дефектообразования в промежуточных слоях сверхпроводника. Образование дефектов при распаде слабозатухающих коллективных возбуждений. Понижение их количества в аннигиляционном объеме и вблизи крупных вакансионных кластеров.
статья, добавлен 19.03.2014Определение механизмов реализации ползучести твердых тел. Оценка методов использования различных сортов малоуглеродистой листовой и полосовой стали, обладающих высокими пластическими свойствами. Характеристика дефектов строения кристаллических тел.
реферат, добавлен 02.05.2016Виды радиационных эффектов при движении электронов. Метод моделирования энергетических характеристик пространственных гармоник излучения. Резонансные свойства МДК. Модель черенковского режима излучения МДС. Амплитудные распределения поверхностных полей.
статья, добавлен 23.10.2010Особенности постройки диаграмма состояний и соответствующих фазовых портретов. Знакомство с динамикой изменения скорости ползучести, плотности дислокаций и точечных дефектов в материалах под облучением с учетом генерации вакансий скользящими дислокациями.
контрольная работа, добавлен 02.09.2013Идеальный кристалл как модель, представляющая собой бесконечный монокристалл, не содержащий примесей или структурных дефектов. Свойства идеальных и реальных кристаллов, их симметрия. Характеристика теорем о сочетании операций симметрии и ее классов.
реферат, добавлен 07.05.2012- 37. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Образование кристаллов, их виды и свойства. Основные параметры кристаллической структуры. Образование кристаллической решётки и типы её дефектов. Особенности механизма перемещения дислокаций. Понятие полиморфизма и изоморфизм, условия их проявления.
реферат, добавлен 20.11.2012Описание включений в виде изолированных полостей (пузырей) размером менее 30 мкм и цепочек таких полостей, содержащих маточный раствор. Изменение интенсивности рассеянного на включениях маточного раствора света, отмеченное при вращении кристаллов.
статья, добавлен 30.11.2018Оценка технико-экономических эффектов применения накопителей энергии в комплексе с моногенерирующими объектами в изолированных энергосистемах, являющихся особенностью энергетики Арктической зоны России. Эффекты высвобождения генерирующих мощностей.
статья, добавлен 27.04.2021Изучение природы дифракционного изображения дислокаций. Рассмотрение дифракционного контраста, формируемого в дальнем поле дислокаций. Механизмы формирования изображения ближнего поля дислокаций. Роль амплитудных эффектов в образовании изображения.
лекция, добавлен 21.03.2014- 42. Влияние релаксационных свойств материалов первичных покрытий на прочность и долговечность световодов
Влияние релаксации модуля упругости материала, заполняющего внутренние полости дефектов световодов, на скорость развития поверхностных микротрещин под нагрузкой и на прочностные характеристики волокон. Ухудшение прочности и долговечности световодов.
статья, добавлен 07.11.2018 Анализ проблемы применения среды дополненной виртуальности на основе программно-аппаратного комплекса класса виртуальной реальности при обучении студентов физике твердого тела. Характеристика методов на примере моделирования в области кристаллографии.
статья, добавлен 29.06.2021Электрооптические эффекты в капсулированных полимером жидких кристаллах. Рассмотрение основных типов термотропных кристаллов. Полевые эффекты в жидких кристаллах и эффекты, обусловленные проводимостью. Рассеяние света биполярными каплями кристалла.
статья, добавлен 12.04.2019Кинетические закономерности проводимости и люминесценции кристаллов азида серебра, инициированной наносекундным импульсном неодимового лазера. Зависимости концентрации дырок в центре образца люминесценции и проводимости при инициировании кристаллов.
статья, добавлен 18.12.2017Общие сведения о строении вещества. Характеристика таких видов образовавшихся связей, как ковалентная, ионная, металлическая и молекулярная. Анализ строения и дефектов твердых тел. Изучение классификация веществ по электрическим и магнитным свойствам.
реферат, добавлен 27.12.2009Причины появления экзотермического эффекта и пути предотвращения образования дефектов в материалах. Термохимические и структурные модели. Формирования молекулярной и надмолекулярной структуры с высокоэластическими характеристиками. Разогрев вязкостью.
учебное пособие, добавлен 27.10.2013Применение самонесущих изолированных и защищенных проводов (СИП). Характеристики проводов СИП и применение. Достоинства и преимущества СИП. Устройство воздушных линий электропередач. Экономическая эффективность использования изолированных проводов.
реферат, добавлен 03.03.2018Рассмотрение микроповреждений материала как наличия рассеянных дефектов в виде микротрещин, микропустот или разрушенных микрообъемов. Изучение особенностей структурной теории кратковременной микроповреждаемости однородных и композитных материалов.
статья, добавлен 22.03.2016Понятие и физическое описание процесса ионной имплантации как способа введения атомов примесей в поверхностный слой пластины. Изучение схемы установки по бомбардировке поверхностей пучком ионов. Состав дефектов при ионном легировании, пути их устранения.
курсовая работа, добавлен 05.03.2013