Исследование полупроводниковых триодов

Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.

Подобные документы

  • Определение понятия и принципов работы лазера. Описание процесса усиления света в оптическом мазере посредством вынужденного излучения множества атомов. Рассмотрение основных достоинств газовых, полупроводниковых, жидкостных и твердотельных лазеров.

    реферат, добавлен 30.11.2015

  • Исследование электротепловых режимов силовых полупроводниковых приборов (СПП) при групповых соединениях с учетом взаимосвязи их электрических и тепловых параметров и характеристик. Разработка методов подбора и отбраковки СПП для групповых соединений.

    автореферат, добавлен 31.01.2019

  • Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.

    курсовая работа, добавлен 18.02.2016

  • Понятие переходных процессов в электрических цепях, физическая причина их возникновения, методы расчёта. Законы коммутации. Расчет переходных процессов в электрических цепях I-го и II-го порядка с двумя реактивными элементами и в нелинейной цепи.

    курсовая работа, добавлен 18.06.2012

  • Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.

    реферат, добавлен 16.10.2011

  • Характеристика полупроводникового прибора, создающего оптическое излучение при пропускании через него электрического тока. Исследование основных свойств, принципа работы и преимуществ светодиодов. Спектр излучения светодиода и его влияние на зрение.

    реферат, добавлен 24.11.2014

  • Использование простейших локальных моделей для анализа цепи с биполярными транзисторами. Линейные модели для основных режимов работы биполярного транзистора. Определение напряжения между коллектором и эмиттером, напряжения коллекторного перехода.

    лекция, добавлен 03.03.2017

  • Проведение исследования устройства механического сейсмографа. Особенность сбора вертикального измерительного прибора. Анализ изучения колебаний, вызываемых работой стиральной машины. Выявление колебаний кабины лифта в начале его движения и торможении.

    научная работа, добавлен 03.05.2019

  • Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.

    реферат, добавлен 16.10.2014

  • Знакомство с основными методами определения зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Анализ электрических свойств твердых тел. Особенности экспериментальной установки для измерения сопротивлений проводника и полупроводника.

    реферат, добавлен 17.05.2017

  • Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.

    методичка, добавлен 21.10.2014

  • Графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт-амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Эмиттерный переход транзистора. Эквивалентная схема биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 30.11.2016

  • Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.

    статья, добавлен 20.07.2018

  • Анализ места электромагнитных колебаний, среди различных электрических явлений. Изучение параметров и характеристик цепи последовательных стадий колебательного процесса в контуре без активного сопротивления. Обзор энергии магнитного поля конденсатора.

    лабораторная работа, добавлен 02.08.2013

  • Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.

    лекция, добавлен 29.10.2013

  • Изучение проблемы ослабления вредного воздействия эффекта Миллера в целью уменьшения входной емкости транзистора. Рассмотрение каскада усиления, где выходной сигнал будет сниматься с резистора в цепи стока. Анализ эквивалентной схемы полевого транзистора.

    статья, добавлен 24.05.2017

  • Микроволновая спектроскопия как методика определения геометрического строения молекул по микроволновым спектрам, обусловленным переходами между вращательными энергетическими уровнями. Основные элементы устройства установки. Приемник прямого усиления.

    презентация, добавлен 10.07.2015

  • Различие физической природы колебаний, определение термина "амплитуда". Понятие периода незатухающих колебаний. Потенциальная энергия деформированной пружины. Превращение энергии, происходящие при колебании маятника. Логарифмический декремент затухания.

    лекция, добавлен 15.09.2017

  • Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.

    контрольная работа, добавлен 19.09.2017

  • Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.

    реферат, добавлен 05.11.2017

  • Понятие вынужденных колебаний, их амплитудо-частотные и фазово-частотные характеристики. Исследование дифференциального уравнения вынужденных колебаний. Определение резонансной частоты, сдвига фаз и амплитуды колебаний. Принцип суперпозиции колебаний.

    реферат, добавлен 18.05.2010

  • Основы теории колебаний систем с двумя степенями свободы, типовые примеры построения расчетных моделей типовых колебательных систем с двумя степенями свободы на основе составления уравнения Лагранжа второго рода. Pаcсчет параметров колебательных систем.

    курсовая работа, добавлен 21.03.2021

  • Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.

    реферат, добавлен 20.10.2009

  • Основные виды и методы электрических измерений. Вычисление погрешности электроизмерительных приборов и определение их классов точности. Методы измерения сопротивления. Характеристики и принцип действия генератора. Преимущества полупроводниковых приборов.

    курсовая работа, добавлен 12.12.2013

  • Ознакомление с процессами, протекающими в электрических аппаратах. Характеристика особенностей магнитной цепи и приводов электрических аппаратов. Анализ комбинированных контактных полупроводниковых аппаратов. Изучение функционирования резисторов.

    методичка, добавлен 26.02.2021

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.