Методические аспекты исследования стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения
Рассмотрение методики исследований интегральных микросхем на стойкость в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Изучение повреждений печатных плат радиоэлектронной аппаратуры. Анализ нарушений работоспособности интегральных микросхем.
Подобные документы
Сведения о продукции, выпускаемой предприятием. Общая схема технологии процесса изготовления изделия HV10. Теоретические основы метода выполнения диффузии, техника ее проведения и предъявляемые требования. Разработка магнитронного напыления алюминия.
отчет по практике, добавлен 08.08.2013Сущность и предназначение цифровых интегральных микросхем, структурная схема измерителя длительности импульсов. Проектирование принципиальной схемы устройства, описание и специфика его функционирования. Расположение радиоэлементов на печатной плате.
курсовая работа, добавлен 05.02.2015История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015История развития интегральных микросхем. Понятие и виды сдвига в вычислительной технике. Принцип работы структурной электрической схемы устройства сдвига двоичных чисел. Характеристика работы счетчика, анализ временных диаграмм. Выбор элементной базы.
курсовая работа, добавлен 12.11.2017Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009Характеристика экспансии и следствия закона Мура. Анализ нового технологического процесса, представленного корпорацией Intel. Сущность традиционного планарного транзистора. Формирование емкости на затворе. Особенность бесконтактной диагностики микросхем.
контрольная работа, добавлен 11.12.2014Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Разработка устройства автоматизации, управляющего нагревательным элементом печи. Составление структурной логической схемы, выбор датчиков: оптических, термодатчиков и управления, их технические характеристики. Разработка печатной платы устройства.
реферат, добавлен 24.04.2014Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015Выбор и обоснование применения элементной базы. Характеристика резисторов, конденсаторов, диодов, интегральных микросхем. Электрический расчет печатной платы, параметров отверстий. Размещение конструктивных элементов, расчет показателей надежности.
курсовая работа, добавлен 05.12.2010Изучение принципов двоичного кодирования и работы цифровых устройств. Рассмотрение обозначений цифровых микросхем, их выводов и сигналов на принципиальных схемах. Описание особенностей основных серий простейших цифровых микросхем, базовых типов корпусов.
лекция, добавлен 12.01.2015Характеристика реализации масс-спектрометрического контроля надёжности отбраковки продукции микроэлектронной промышленности. Основные факторы, влияющие на надёжность работы интегральных схем и резонаторов. Особенности качества исходных материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Разработка структурной, функциональной и электрической принципиальной схем цифрового устройства, алгоритм его работы. Выбор и обоснование критериев подбора интегральных микросхем, их сравнительная оценка. Проектирование генератора тактовых импульсов.
курсовая работа, добавлен 24.09.2011Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Внедрение микропроцессорной и цифровой техники в устройства управления промышленными объектами. Основные элементы функциональной схемы цифрового устройства. Интегральные микросхемы, используемые в цифровом устройстве. Подбор интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Специфика работы транспортируемых ЭВМ. Проектирование печатных плат на интегральных микросхемах: выбор типа корпуса, габаритных размеров и конфигурации и материала основания. Топологическое проектирование печатных плат. Конструирование сборочного узла.
курсовая работа, добавлен 01.10.2013Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Разработка спецификаций функциональных элементов больших интегральных схем для моделирования поведения неисправных цифровых устройств. Описание устройства для реализации анализа полноты теста; методика вывода контрольного сигнала на выходы микросхем.
дипломная работа, добавлен 25.02.2013Определение ширины спектра сигнала и полосы пропускания приемника. Выбор промежуточной частоты и структуры преселектора на одиночных и двух связанных колебательных контурах. Выбор селективной системы тракта промежуточной частоты и интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 21.09.2017- 96. Разработка вещательного приёмника, работающего в диапазоне средних волн с амплитудной модуляцией
Расчет полосы пропускания преселектора. Выбор структуры его каскадов, числа избирательных контуров, типа аналоговых интегральных микросхем. Определение избирательной системы тракта промежуточной частоты. Электрическая принципиальная схема приемника.
курсовая работа, добавлен 14.12.2014 Анализ преимуществ технологии поверхностного монтажа печатных плат. Монтаж микросхем на поверхностные контактные площадки без отверстий. Снижение габаритов и массы печатных узлов. Этапы и последовательность операций при использовании пайки оплавлением.
доклад, добавлен 01.12.2011Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Применение полупроводниковых стабилизаторов в измерительных и проверочных лабораториях. Электрическая схема стабилизатора компенсационного типа в дискретных элементах. Расчет схемы компенсационного стабилизатора напряжения на базе интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 23.09.2014