Биполярный транзистор
Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.
Подобные документы
Расчет параметров полупроводникового усилителя с общим эмиттером. Снижение выходного сопротивления источника питания. Определение максимального тока коллектора биполярного транзистора и мощности драйвера. Применение метода эквивалентного четырехполюсника.
курсовая работа, добавлен 17.01.2016Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013АЦП параллельного преобразования. Расчет тактового генератора для АЦП. Выбор и описание микросхем. Разработка преобразователя уровней. Выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов. Построение передаточной характеристики.
курсовая работа, добавлен 27.08.2012Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы и определение параметров усилительного каскада на биполярном и полевом транзисторах.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.
реферат, добавлен 27.11.2013Разработка функциональной схемы усилителя низкой частоты в биполярном транзисторе. Параметры усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером, работающим в классе А с температурной стабилизацией. Принцип работы биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 18.05.2015Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2018Области использования радиопередающих устройств. Виды модуляции и возможности управления. Согласование электронного прибора с источником возбуждения и нагрузкой. Статические характеристики триода, его аппроксимация. Допустимые параметры транзистора.
учебное пособие, добавлен 01.06.2017Физические свойства транзистора как усилительного элемента. Назначение Усилителя "З-1": схема электрическая принципиальная, принципы работы. Описание рабочего места для проведения экспериментальных исследований схемы Усилителя "З-1", техника безопасности.
отчет по практике, добавлен 25.10.2012Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Полевой транзистор с цифровым интерфейсом. Схема, реализующая возможность снятия крутизны полевого транзистора. Требования к цифровому устройству, реализующему процедуру снятия зависимости крутизны полевого транзистора. Управляемый источник напряжения.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Схема полосового усилителя. Сопротивление контура на резонансе. Полоса пропускания усилителя, коэффициент усиления. Схема двухкаскадного усилителя. Применение высокочастотного биполярного транзистора MMBR931. Расчет токов, сопротивления, токопотребления.
курсовая работа, добавлен 07.12.2015Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013- 118. Полевые транзисторы
Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.
презентация, добавлен 20.07.2013 Определение зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Выходные характеристики полевого транзистора. Зависимость дифференциальных параметров. Особенности процесса построения временной диаграммы переменного тока коллектора.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Структура и топология МДП-транзистора. Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели и с учётом неоднородности ОПЗ под затвором. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы. Корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013- 123. Полевые транзисторы
Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013 Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011