Электронные приборы
Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
Подобные документы
- 101. Полярные транзисторы
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность по сравнению с электронными лампами. Типы транзисторов: биполярные и полевые. Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы. Максимально допустимые параметры полевого транзистора.
реферат, добавлен 11.01.2012 Релаксационный генератор колебаний почти прямоугольной формы. Мультивибратор в автоколебательном режиме. Работа блокинг-генератора. Двигатели постоянного тока: принцип действия, пуск, регулирование скорости вращения, искусственные характеристики.
курсовая работа, добавлен 03.04.2014Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Схема пассивного четырехполюсника, содержащего последовательное и параллельное соединение резистора и емкости активного усилителя. Выражения для А-параметров пассивного четырёхполюсника в функции частоты, схема замещения с зависимыми источниками.
контрольная работа, добавлен 03.09.2012Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
статья, добавлен 03.11.2018Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Кристаллическая структура полупроводника, влияние примеси и температуры на его проводимость. Особенности реальных p-n-переходов. Тиратрон, устройство и принцип работы. Приборы тлеющего разряда. Переход, смещенный в обратном направлении и виды пробоев.
контрольная работа, добавлен 29.09.2017История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Основные свойства полупроводников, распространённость в природе, применение. Механизм проведения электрического тока полупроводниками. Собственная и примесная фотопроводимости. Взаимодействие излучения с полупроводником. Использование в оптоэлектронике.
реферат, добавлен 13.01.2014Микропроцессоры как основа современной компьютерной техники. Экспансия и следствия закона Мура. Транзисторы, их основные виды. Отладка кристаллов микросхем, их бесконтактная диагностика, анализ структур и электрические испытания. Кремниевая нанохирургия.
реферат, добавлен 30.09.2014Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
реферат, добавлен 08.06.2016Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.
реферат, добавлен 21.02.2015Зависимость теплового тока от процессов термогенерации носителей заряда и ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого выполнен p-n-переход. Причины возникновения и меры предотвращения электрических и тепловых разновидностей пробоя p-n-перехода.
реферат, добавлен 15.05.2012Определение нормального тока плавкой вставки предохранителя и расчет сечения проводов для питания электродвигателя. Составление схемы включения в трехфазную сеть и контактно-релейную схему управления. Описание схемы управления электродвигателем.
контрольная работа, добавлен 27.03.2016Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.
реферат, добавлен 17.06.2015Характеристика бесконтактного и люминесцентного методов измерения температуры. Разработка электрической структурной и функциональной схемы. Обоснование выбора микросхем, резисторов, конденсаторов и диодов. Анализ создания трассировки печатной платы.
дипломная работа, добавлен 24.06.2015Изложение этапов разработки радиопередатчика: структурные схемы передатчика и синтезатора частоты; транзисторы радиопередатчика; каскады усиления; расчет цепей согласования; конструктивный расчет катушек индуктивности; конденсаторы в цепях согласования.
курсовая работа, добавлен 07.06.2014Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Характеристика последовательного периферийного интерфейса SPI (serial-to-parallel interface) на основе токовой логики. Реализация регулировки тока потребления с помощью резистора источника опорного тока. Подбор необходимой амплитуды выходного сигнала.
статья, добавлен 11.01.2018Конструкция измерительного механизма электронного вольтметра. Выражение вращающего момента прибора. Виды вольтметров, их отличительные особенности и предназначения, недостатки и преимущества. Диапазон измерений, в котором могут работать приборы.
реферат, добавлен 07.10.2010Описание комплекта типового лабораторного оборудования "Теоретические основы электротехники". Исследование параметрического стабилизатора напряжения. Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов. Операционные усилители, их виды.
учебное пособие, добавлен 10.11.2014Применение одно- и двухполюсных контакторов постоянного тока. Классификация электромагнитных контакторов. Предназначение и использование контакторов постоянного тока. Принцип действия и устройство электромагнитных реле. Герконовые и герсиконовые реле.
презентация, добавлен 14.11.2022Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013