Моделирование теплового поражения диодных полупроводниковых структур полиимпульсным сверхвысокочастотным радиоизлучением
Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
Подобные документы
Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Выполнение численного моделирования двумерного волнового уравнения с использованием явной трехслойной схемы типа "крест". Распределение компоненты электромагнитного поля в волноводе при распространении по нему волны с различной несущей частотой.
статья, добавлен 04.11.2018Исследование процесса нестационарного отражения электромагнитного импульса от многослойного фильтра на основе двух полуволновых резонаторов с критической связью. Функциональная зависимость коэффициента отражения многослойной структуры от частоты.
статья, добавлен 05.11.2018Диагностика онкологических заболеваний на основе регистрации собственного излучения человека. Создание медицинского диагностического прибора для выявления причин повреждения органов и тканей. Определение локализации здоровых и больных клеточных структур.
статья, добавлен 05.11.2018Рассмотрение методических подходов к построению математических моделей сложных радиотехнических систем. Обоснование структуры и предварительных оценок характеристик на этапе проектирования. Решение задачи испытаний методом математического моделирования.
статья, добавлен 02.04.2019Механизм генерации когерентного электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Его реализация в экспериментах по взаимодействию лазерных импульсов фемтосекундной длительности с поверхностью тонких наноструктурированных ферромагнитных пленок.
статья, добавлен 07.11.2018Знакомство с наиболее простыми техническими решениями для приема сверхширокополосных сигналов. Общая характеристика системы цифровой связи на основе излучения и приема модулированной последовательности импульсных сигналов, рассмотрение особенностей.
статья, добавлен 02.04.2019Анализ результатов численного электродинамического моделирования двух типов планарной металлодиэлектрической линзы Люнебурга: радиально-слоистой и на основе кольцевой диэлектрической структуры. Изучение задач излучения и дифракции плоской волны.
статья, добавлен 05.11.2018Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Разработка математических моделей тонкопроволочных структур с зеркально-поворотной симметрией, построенных на основе соответствующего интегрального представления электромагнитного поля. Решение внутренней электродинамической задачи с учетом симметрии.
статья, добавлен 02.04.2019Фокусировка электромагнитного излучения радиотехническими системами на основе взаимосогласованного пространственно-амплитудно-фазово-частотного управления излучаемыми сигналами. Закон распределения несущих частот в многопозиционной системе излучателей.
статья, добавлен 14.07.2016Анализ элементной базы (фотоприемники, излучатели, иммерсионная среда), процессов преобразования энергии, принципиальных возможностей, областей применения оптронов. Характеристика диодных, транзисторных, дифференциальных оптопар и интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Увеличение дальности действия высокочастотных радиосистем. Принцип детектирования сверхвысокочастотного сигнала. Назначение и технические характеристики диодов с барьером Шоттки. Электрическая схема синхронного детектора радиоприёмного устройства.
реферат, добавлен 19.03.2019- 39. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 - 40. Моделирование поляризационных характеристик рассеяния радиоволн на объектах в виде усеченных конусов
Анализ результатов численного моделирования рассеяния электромагнитных волн на усеченных конусах с разными видами оснований. Особенности проведения анализа угловых зависимостей поляризационных составляющих для поляризаций и углов падения излучения.
статья, добавлен 02.04.2019 Изложение способа обнаружения тепловых объектов на коррелированном атмосферном фоне с помощью инфракрасных теплопеленгаторов с широким полем зрения. Использование отличий пространственных спектров излучения точечного теплового объекта и протяженного.
статья, добавлен 27.02.2019Сущность метода импедансного аналога электромагнитного пространства, предназначенного для компьютерного моделирования сложных электродинамических систем во временной и частотной областях. Основы метода импедансного аналога электромагнитного пространства.
статья, добавлен 04.11.2018Вычисление скорости и коэффициента поглощения ультразвука в магнитной жидкости на основе воды при воздействии однородного постоянного магнитного поля. Зависимость натурального логарифма относительного времени релаксации от напряженности магнитного поля.
статья, добавлен 07.11.2018Основные свойства тиристора - специального полупроводникового переключающего прибора, который попускает ток только в одном направлении. Устройство, принцип действия, обозначения диодных и триодных тиристоров. Режим работы динисторов и тринисторов.
реферат, добавлен 13.04.2014Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Расчет характеристик излучения антенн на основе биизотропных киральных метаматериалов. Рассмотрение электромагнитных волн круговой поляризации в азимутальных направлениях. Расположение антенн на металлических поверхностях, изменение их характеристик.
статья, добавлен 02.04.2019Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Исследование структурных и эмиссионных свойств матричного автоэмиссионного катода (АЭК) из стеклоуглерода. Разработка конструкции экспериментальных диодных макетов с АЭК, определение влияния межэлектродного зазора на вольтамперные характеристики.
автореферат, добавлен 14.04.2018Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016