Можливості практичного застосування фотонних кристалів
Характеристики та властивості фотонних кристалів, їх значення для науки і практики. Дослідження методів отримання оптичної лауеграми фотонного кристалу. Практичне визначення періоду ґратки фотонного кристалу за його оптичною лауеграмою різними методами.
Подобные документы
Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.12.2015Дослідження температурної, часової залежності малокутового розсіяння світла за умови взаємодії солітонів з дефектами. Вивчення динаміки модульованої структури в електричному полі для кристалів. Опис температурної залежності електрооптичних коефіцієнтів.
автореферат, добавлен 10.09.2014Дослідження короткотривалої релаксації надструктури неспівмірних фаз кристалів тетраметиламін-тетрахлорметалатів, а також вивчення впливу електричного поля на поведінку хвилі модуляції в умовах "в’язкої взаємодії" в кристалах [N(CH3)4]2МеCl4 (Me=Cu, Zn).
автореферат, добавлен 14.09.2014Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Спонтанний та індукований п’єзооптичний і фотопружній ефект в кристалах Cs2HgBr4 і Cs2CdBr4 та коефіцієнти акустооптичної якості кристалів, вивчення дифракції світла в них. Поляризаційно-оптичні, мікроскопічні та дилатометричні дослідження кристалів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження ізобарної та ізохорної теплопровідності простих молекулярних кристалів. Дослідження впливу теплового розширення на процеси фононного розсіяння в орієнтаційно-упорядкованих та орієнтаційно-неупорядкованих фазах простих молекулярних кристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013Розгляд засад чисельно-експериментального дослідження кінетичної залежності швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні оксидних кристалів. Аналіз температурних умов на фронті кристалізації за допомогою радіаційного теплообміну.
автореферат, добавлен 29.01.2016Експериментальне дослідження впливу ізовалентної домішки магнію на структурні та оптичні властивості селеніду цинку. Виявлення можливих генераційно-рекомбінаційних процесів і визначення природи складових оптичних спектрів легування монокристалів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Дослідження впливу складу і домішок на ефективність акумуляції дефектів у магній-алюмінієвій шпінелі, встановлення типу кристалічної ґратки її метастабільної фази. Розробка методик аналізу поверхневих шарів прозорих кристалів, модифікованих іонами.
автореферат, добавлен 25.02.2014Методи дослідження біофізики. Практичне значення оптики і її вплив на інші галузі науки, оптичні явища. Характеристика та будова ока як оптичної системи. Схема пристрою проекційного апарата. Око як жива камера Обскура. Сутність та поняття прессбіопрії.
реферат, добавлен 28.12.2011Закономірності мікропластичної деформації ковалентних кристалів при індентації і одноосьовому стисканні в температурній області крихкого руйнування. Розробка методики деформування приповерхневих шарів за допомогою імпульсного лазерного опромінення.
автореферат, добавлен 28.12.2015Дослідження зонної структури кристалів Cs2CdI4 і суперіоніки Ag2CdI4. Генезис зон та непрямозонний характер оптичних переходів. Спектри оптичних констант для кристала зі структурою типу Sr2GeS4 та походження смуг у спектрах діелектричної проникності.
автореферат, добавлен 06.07.2014Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
автореферат, добавлен 27.07.2014Практичне отримання явища дифракції на щілині та дифракційній ґратці. Використання гоніометра, джерела світла й світлофільтрів. Відпрацювання методики визначення довжини світлової хвилі жовтого, синього і зеленого кольорів. Визначення похибки вимірювань.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Використання кристалів лангаситу і групи ніобату літію як робочих елементів оптоелектронних пристроїв керування лазерним випромінюванням. Покращення п’єзоелектричних і електрооптичних характеристик шляхом вивчення просторової анізотропії властивостей.
автореферат, добавлен 20.07.2015Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Переріз захоплення сонячних нейтрино на різних ядрах. Фонові характеристики сцинтиляційних кристалів CdWO4 та 116CdWO. Параметри бета-розпаду 113Cd. Розробка детектора сонячних нейтрино низьких енергій на основі сцинтиляційних кристалів 116CdWO.
автореферат, добавлен 14.09.2014Спектральні і температурні залежності показників заломлення, двопроменезаломлення і п’єзооптичних констант діелектричних кристалів. Розрахунок параметрів ефективних ультрафіолетових і інфрачервоних осциляторів, електронної поляризованості та рефракції.
автореферат, добавлен 10.08.2014Дослідження впливу рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі р-n-переходу транзистора 2Т363А. Збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду кристалу.
статья, добавлен 07.12.2016Закономірності тензорезистивних ефектів, обумовлених перебудовою енергетичних зон кристалів Si та Ge під дією сильної одновісної деформації і дослідження анізотропії тензорезистивних ефектів, пов’язаної зі змінами симетрії кристалів і рівня легування.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 98. Оптичні дослідження інтеркальованих шаруватих кристалів як матеріалів функціональної електроніки
Динаміка зміни спектру поглинання інтеркальованих шаруватих кристалів, вплив на неї структурних змін обумовлених інтеркаляцією та змін анізотропії електронного перемішування інтеркалянт-матриця. Прогнозування немонотонної зміни інтенсивності піку.
статья, добавлен 25.03.2016 Опис енергетичного спектра електронів, магнітного впорядкування та електропровідності в моделі Хаббарда, роль електронних кореляцій у структурно-фазових перетвореннях перехідних металів та їх сплавів. Опис кінетичних властивостей діаграми кристалів.
автореферат, добавлен 07.03.2014Вивчення структури одержаних нових рідкісноземельних монокристалів боратів. Визначення основних дозиметричних і сцинтиляційних характеристик одержаних кристалів. Дослідження механізму пластичної деформації монокристалів острівного та каркасного типів.
автореферат, добавлен 18.07.2015