Оптичні властивості електронного газу в напівпровідниках зі складною структурою зон
Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
Подобные документы
Поняття дифракції світла. Ознайомлення з прозорою дифракційною граткою. Визначення довжини хвилі джерела світла, роздільної здатності оптичних приладів, інтенсивності дифракційних максимумів. Визначення дифракції Фраунгофера на одній щілині та на гратці.
практическая работа, добавлен 16.07.2017Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Фізичні ефекти, що відбуваються при зворотному розсіянні світла. Поняття щільноупакованих та розріджених середовищ. Шляхи формування світлових ефектів засобами двократного оптичного розсіяння або з використанням водяних розчинів мікросфер латексу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Влив температури нітридизації, величини поруватості підкладок GaAs на кристалографічні, оптичні (комбінаційне розсіювання світла) властивості гетероепітаксійних плівок GaN. Залежність між величиною поруватості підкладок і типом кристалічної гратки плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2014Поведінка хвильової функції акцепторного центру в кубічних напівпровідниках при малому відношенні мас легкої та важкої дірок. Генерація і детектування високочастотних акустичних фононів в напівпровідникових надгратках в умовах стрибкового транспорту.
автореферат, добавлен 24.06.2014Побудова теорії посилення світла в процесі розсіювання електрона на ядрі в світловому полі для хвиль середніх та помірно сильних інтенсивностей. Розрахунок коефіцієнта посилення світла в процесі розсіювання електрона на ядрі у двомодовому лазерному полі.
автореферат, добавлен 29.10.2015Дослідження температурної, часової залежності малокутового розсіяння світла за умови взаємодії солітонів з дефектами. Вивчення динаміки модульованої структури в електричному полі для кристалів. Опис температурної залежності електрооптичних коефіцієнтів.
автореферат, добавлен 10.09.2014Оптичні та структурні властивості тонких кремнієвих та германієвих шарів. Самоіндукований ріст Si/Ge наноострівців, утворення акустичних фотонів та вплив інтердифузії на компонентний склад і пружну деформацію, її визначення за допомогою спектроскопії.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 59. Вплив умов формування на оптичні властивості J-агрегатів поліметинових барвників РІС та Сyan-bTh
Обладнання для вимірювання оптичних спектрів поглинання та люмінесценції пікосекундного лазерного комплексу. Спектроскопія модифікованих структур J-агрегатів PIC в водних розчинах електроліту. Керування оптичними властивостями J-агрегатів барвника.
автореферат, добавлен 28.08.2015 Дослідження розсіювання світла поверхнями і частинками з ієрархічною структурою. Опис тіньового ефекту на передфрактальних статистично нерівних поверхнях з будь-якою кількістю ієрархічних рівнів та скінченною величиною кута нахилу на кожному рівні.
автореферат, добавлен 05.08.2014Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Створення наукового інституту фізики під керівництвом доктора фізико-математичних наук Є. Кирилова. Вивчення оптичних властивостей галогенідо-срібних кристалів і фотографічних шарів. Електронні процеси в напівпровідниках, металах і діелектриках.
статья, добавлен 14.08.2016Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Фізичні основи оптичного зв'язку. Випромінювальні напівпровідникові прилади та їх фізичні характеристики. Умови генерації світла лазерними діодами. Засоби модуляції оптичного випромінювання. Властивості поширення світла у світловодах, вікна прозорості.
методичка, добавлен 24.06.2014Оптичні характеристики хімічно чистих перехідних металів, їхніх бінарних сплавів, сплавів із благородними металами у широкій області спектра. Зв'язок оптичних властивостей з електронною енергетичною структурою чистих металів та двокомпонентних сполук.
автореферат, добавлен 22.04.2014Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Розсіяння електрона на мюоні в полі помірно сильної еліптично поляризованої плоскої електромагнітної хвилі. Процес народження мюонної пари при анігіляції електрон-позитрона. Кінематичні умови протікання процесу розсіяння електрона у лазерному полі.
автореферат, добавлен 14.08.2015- 69. Вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках та характеристик напівпровідникового фотоелемента
Аналіз основних рис фотопровідності, явищ зовнішнього й внутрішнього фотоефекту. Дослідження законів внутрішнього фотоефекту на прикладі одержання вольт-амперної і світлової характеристик напівпровідникового фотоопору. Розрахунок його питомої чутливості.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017 Історія отримання золота, його властивості та застосування в промисловості. Розподіл поля та заряду в об’ємі Bi12SiO20. Залежність розподілу поля та заряду від координат. Нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду. Кількість та густина заряду.
курсовая работа, добавлен 18.11.2014Закони заломлення світла та оптичні прилади. Дифракція рентгенівських променів та дисперсія світла. Квантова природа електромагнітного випромінювання. Короткохвильова границя гальмового рентгенівського випромінювання. Теорія воднеподібного атома за Бором.
курсовая работа, добавлен 28.11.2014Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури металу-напівпровіднику з проміжним шаром різної фізико-хімічної природи, їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури. Вивчення деградації напівпрозорих металевих плівок.
автореферат, добавлен 21.11.2013Представлення теоретичного опису динамічних нелінійно-оптичних процесів у фоторефрактивних матеріалах без центру інверсії при їх стаціонарному опроміненні лазерним світлом. Аналітичний опис аксіально-симетричного фотоіндукованого розсіювання світла.
автореферат, добавлен 13.07.2014Побудова плану уроку з фізики з метою формування уявлення про дисперсію світла, про спектральний склад білого світла, про кольори та їх сприймання. Використання прикладних та дидактичних матеріалів. Актуалізація знань та закріплення вивченого матеріалу.
разработка урока, добавлен 02.09.2015