Свойства полупроводников
Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
Подобные документы
Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Гальваномагнитные явления, магнетосопротивление, эффект Эттингсгаузена. Концентрация 3d-электронов проводимости в зависимости от энергии. Классический эффект Холла и его приложения. Двумерные металл-диэлектрик-полупроводники – структуры и гетероструктуры.
учебное пособие, добавлен 12.02.2016Свойства полупроводников, характеристика аномального и квантового эффектов Холла. Гальваномагнитные явления в монокристаллах и их применение. Сущность магнетосопротивления и история открытия эффекта Томсона. Понятие термогальваномагнитных эффектов.
курсовая работа, добавлен 13.04.2012Явление в физике сверхпроводников – эффект Джозефсона. Основные экспериментальные факты о природе сверхпроводимости. Незатухающий ток и создаваемое им магнитное поле. Туннельный эффект как задача квантовой механики. Стационарный эффект Джозефсона.
курсовая работа, добавлен 19.04.2011- 30. Эффект Холла
Эффектом Холла как возникновение поперечного электрического поля и разности потенциалов в проводнике или полупроводнике, по которым проходит ток, при помещении их в магнитное поле, перпендикулярное к направлению тока. Ход температурной зависимости.
курсовая работа, добавлен 25.02.2015 Связь плотности тока с концентрацией и скоростью упорядоченного движения носителей заряда. Необходимое условие существования электрического тока в замкнутой цепи. Характеристика закона Джоуля–Ленца. Механизм электропроводности в полупроводниках.
курс лекций, добавлен 26.03.2014Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.
дипломная работа, добавлен 28.12.2016- 33. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Эффект резонансного туннелирования в тонкопленочных гетероструктурах. Свойства резонансно-туннельных диодов. Коэффициенты отражения и прохождения. Коэффициент прохождения носителя заряда через двухбарьерную наноструктуру. Энергия носителя заряда.
статья, добавлен 28.05.2017Изучение эффекта Холла и возникновения магнитосопротивления. Расчет абсолютной ошибки концентрации примесей. Нахождение относительной погрешности сопротивления образца в магнитном поле. Анализ зависимости подвижности носителей заряда от температуры.
отчет по практике, добавлен 10.05.2018Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
реферат, добавлен 23.10.2010Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Использование среднетемпературных камер для хранения продуктов и низкотемпературных морозильников. Эффект Пельтье и термоэлектрический модуль. Использование принципа теплового насоса. Эффект Ранка–Хильша. Чередование режима охлаждения с режимом нагрева.
реферат, добавлен 11.04.2013Открытия Э. Холлом передачи электрической энергии заряженными частицами двух противоположных знаков, несостоятельность принятия "дырок" в качестве положительных носителей, альтернативных электронам. Невозможность существования "свободных электронов".
статья, добавлен 10.12.2024Очень редко какой новый физический эффект был встречен в наши дни с таким недоверием, как открытый в 1959 году эффект, который получил название эффекта Ааронова-Бома по имени авторов статьи "Важная роль электромагнитных потенциалов в квантовой теории".
статья, добавлен 11.09.2012Процесс возникновения фотогальванического эффекта (ФГЭ). Исследование линейного ФГЭ при межзонных центральных переходах в полупроводнике. Показано, что основным механизмом, приводящим к ФГЭ, является электростатическое взаимодействие электрона и дырки.
статья, добавлен 19.06.2018Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Характеристика туннельных эффектов, туннелирование между нормальным металлом и сверхпроводником, между двумя сверхпроводниками. Физические свойства сверхпроводников в сильных магнитных полях, эффект Джозефсона, фаза, джозефсоновское туннелирование.
курсовая работа, добавлен 01.04.2014Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Эффект вращения плоскости поляризации света. Явление намагничивания диэлектриков, помещаемых во вращающееся электрическое поле. Обратный эффект Фарадея. Уравнение свободных колебаний электрона при его смещении. Представления о природе электромагнетизма.
курсовая работа, добавлен 24.10.2013Циклотронный резонанс - резонансное поглощение электромагнитной энергии электронными проводниками, помещёнными в постоянном магнитном поле, на частотах, равных или кратных циклотронной частоте носителей заряда. Носители заряда в постоянном магнитном поле.
контрольная работа, добавлен 18.11.2015Эффект Доплера — изменение частоты и длины волн, регистрируемых приемником, вызванное движением их источника и/или движением приемника. Изменение частоты при поперечном эффекте Доплера. Приборы, использующие данный эффект и области их применения.
контрольная работа, добавлен 19.04.2013- 50. Эффект Холла
Изучение эффекта Холла в металлах и применение для измерения индукции магнитного поля соленоида датчика Холла. Измерение постоянной Холла и определение концентрации электронов в металле. Расчет погрешности, зависимость магнитной индукции от силы тока.
лабораторная работа, добавлен 15.07.2020