Дослідження електронних властивостей шаруватих структур з алмазо-подібними вуглецевими та оксидними плівками на кремнії
Аналіз електронно-польової емісії з кремнієвих структур типу Si-SiO2-d(Si)-SiO2 і Si-SiO2-d (Cs), вкритих плівками з дельта-легованим шаром. Емісійні властивості кремнієвих вістрійних емітерних матриць вкритих багатошаровими та алмазо-подібними плівками.
Подобные документы
Дослідження економічної ефективності виробництва електроенергії. Розрахунок собівартості 1кВт.год електроенергії, отриманої за допомогою кремнієвих сонячних батарей. Співвідношення собівартості електроенергії з традиційних, альтернативних джерел енергії.
статья, добавлен 01.01.2019Вирощування монокристалів з використанням парофазного методу та дослідження їх фізичних властивостей. Процеси термічного окиснення на повітрі селеніду індію з різним умістом марганцю. Електрофізичні та фотоелектричні властивості різнотипних структур.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження структури та електрофізичних властивостей об'ємних монокристалів кремнію і кремнієвих композицій. Комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізму утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.
автореферат, добавлен 25.04.2014Розробка та вдосконалення апаратних, програмних засобів для проведення автоматизованих вимірювань спектрів характеристичних втрат енергії електронів. Встановлення відносних кутових залежностей інтенсивностей піків поверхневого та об’ємного плазмонів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури металу-напівпровіднику з проміжним шаром різної фізико-хімічної природи, їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури. Вивчення деградації напівпрозорих металевих плівок.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідженню впливу фонових домішок і структурних дефектів на формування та фізичні властивості розбавлених твердих розчинів. Основні мови виникнення аномалій фізичних властивостей. Вивчення процесів одержання слабколегованих шарів кремнієвих композицій.
автореферат, добавлен 15.11.2013- 32. Відновлення профілю діелектричної проникності шаруватих структур за значенням коефіцієнта відбиття
Підвищення точності та швидкості способу параметричного спектрального аналізу при дослідженні частотних залежностей коефіцієнта відбиття від шаруватих діелектричних структур з кусково-сталим профілем. Отримання значень глибин залягання меж шарів.
автореферат, добавлен 29.07.2015 Дослідження властивостей алмазоподібних плівок вуглецю. Вивчення прихованих шарів карбіду кремнію, синтезованих високодозовою імплантацією вуглецю в монокристалічний кремній. Механізми гетерування домішок та пасивації рекомбінаційно-активних центрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014- 34. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Дослідження механізмів йонно-стимульованого формування структур з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами. Вплив на особливості процесів формування і властивості багатошарових структур вуглецю, домішок кисню та механічних напружень.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Дослідження зміни положень дифракційних піків, їх профілів та відносних інтенсивностей в залежності від типу хаотично розташованих дефектів пакування, а також концентрації. Методика аналізу експериментальної дифракційної картини для визначення типу.
автореферат, добавлен 27.07.2014Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015- 37. Стеклокомпозиты на основе магнитного полупроводника La0,67Sr0,33MnO3 как функциональные материалы
Исследование магниторезистивных и диэлектрические свойств синтезированых композитов (SiO2, Sb2O3) с различными массовыми соотношениями. Выявление существования колоссальных величин диэлектрической проницаемости. Возможность их применения в спинтронике.
статья, добавлен 29.06.2017 Оцінка дії ультразвуку на концентрацію радіаційних електрично-активних дефектів в монокристалічному кремнії. Розгляд впливу на кінетику фотоструму. Аналіз проростаючих дислокацій епітаксіальних плівок. Дослідження фотолюмінесценції поруватого кремнію.
автореферат, добавлен 25.07.2014Аналіз електронного спектра (ЕС) шаруватої наногібридної структури. Зміни ЕС та густини електронних станів у шаруватих кристалах, що виникають при модуляції їх структури за рахунок утворення періодично розташованих пакетів із невеликої кількості шарів.
статья, добавлен 13.10.2016Загальні закономірності синтезу інтерференційних структур із заданими спектральними характеристиками і максимальним подавленням фонового випромінювання. Дослідження властивостей багатошарових інтерференційних фільтрів із широкими смугами прозорості.
автореферат, добавлен 28.08.2014- 41. Процеси переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка – кристалічний кремній
Механізми переносу носіїв заряду в гетероструктурах a-Si:H(Er)/n-Si, SiO2(Ge)/n-Si та a-SiC/p-Si при різних температурах і робочих напругах. Модель збудження електролюмінесценції в світловипромінюючій гетероструктурі. Результати введення ербію в плівку.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Дослідження властивостей структур на основі пористого кремнію та механізмів їх модифікації під дією поверхневих обробок. Активація фотолюмінісцентних характеристик на імплантованих зразках. Сегрегація бору на границі поділу кремнієвого кристаліту.
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження шляхів реалізації діодних та тріодних автоемісійних структур (генераторів та підсилювачів міліметрового та субміліметрового діапазонів) на основі матричних вістрійних автоемісійних катодів. Аналіз можливості суттєвого зниження робочих напруг.
автореферат, добавлен 27.12.2015Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Describing space-time evolution of electric charge induced in dielectric layer of simulated metalinsulator-semiconductor structures due to irradiation with X-rays. The system of equations used as a basis of the simulation model is solved iteratively.
статья, добавлен 30.07.2016Особливість вивчення насичених воднем гідрогенізованих поверхонь кремнієвих мультикристалічних підкладок типу Baysix з пористим кремнієм, за допомогою методів мас-спектрометрії. Аналіз визначення кількості гідрогену в динамічному режимі травлення.
статья, добавлен 29.01.2016Аналіз фізичних процесів, які визначають кінетику згасання фотолюмінесценції нанокремнію в широкому часовому діапазоні. Розробка моделі опису міграції електронних збуджень у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах і квантових точках.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження розігріву електронно-діркової плазми електричним полем в процесі утворення термодифузійних автосолітонів в кристалах Ge і Si. Вплив типу провідності кристалу і властивостей приконтактних областей на поведінку плазми в електричному полі.
автореферат, добавлен 30.07.2014Изучение магнитных свойств нанокомпозитов на основе кобальта в рамках теории микромагнетизма. Зависимости коэрцитивных свойств нанокомпозитов от размеров нанонитей Со и расстояния между ними в мезопористой матрице SiO2. Петли магнитного гистерезиса.
статья, добавлен 30.08.2016Расчет изменений свободной энергии Гиббса, установление термодинамически вероятных направлений протекания твердофазных реакций спекания. Термодинамический анализ возможности реакционного твердофазного спекания с использованием добавок оксидов системы.
статья, добавлен 28.01.2020