Биполярные транзисторы
Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
Подобные документы
Устройство и основы работы тиристора. Предельно допустимые значения и характеризующие параметры тиристоров. Вольтамперная характеристика и составляющие токов в тиристоре. Структура и вольтамперные показатели симистора. Принцип действия фототиристора.
реферат, добавлен 21.09.2017Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
лекция, добавлен 10.03.2016- 53. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Экспериментальное изучение режимов работы и исследование физических процессов, протекающих в неразветвленной цепи синусоидального тока. Оценка и частотные характеристики резонансного контура, содержащего последовательно соединенное активное сопротивление.
лабораторная работа, добавлен 21.01.2011Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Основные понятия электростатики и история открытия электростатического поля. Распределение заряда в проводнике. Характеристика веществ в зависимости от их способности проводить электрический ток. Статическое распределение энергии по кривой поверхности.
реферат, добавлен 17.02.2015Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Рабочие параметры устройства защиты организма (УЗО). Методика и последовательность расчет тока утечки с учетом присоединяемых стационарных и переносных электроприемников в нормальном режиме работы. Минимальное значение дифференциального тока УЗО.
контрольная работа, добавлен 30.08.2017Проходная и типовая мощность автотрансформаторов. Режимы работы трех обмоточных автотрансформаторов с ВН, СН и НН. Преимущества и недостатки автотрансформаторов по сравнению с трансформаторами той же мощности. Изменение направления токов в обмотках.
реферат, добавлен 09.11.2011Загальна характеристика схеми для побудови вхідної характеристики біполярного транзистора. Розгляд способів визначення частотної залежності струму колектора. Знайомство зі способами побудови статичної прохідної характеристики біполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 19.11.2015Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
реферат, добавлен 29.03.2021Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
реферат, добавлен 16.10.2014Взаимодействие дрейфующих носителей заряда с бегущей волной электрического поля методом последовательных приближений. Создание волн электрического поля при помощи систем, сопряженных с полупроводниковой средой и упругими волнами в пьезополупроводнике.
статья, добавлен 08.12.2018Баланс активных и реактивных мощностей. Построение векторной диаграммы токов и векторно-топографической диаграммы напряжений. Расчет контурных токов в цепи. Анализ и расчёт симметричного режима трёхфазной электрической цепи. Мгновенные значения токов.
курсовая работа, добавлен 12.11.2017Определение мощности рассеиваемой на транзисторе. Расчет выходного сопротивления коллектора. Частотные параметры транзистора и график зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Приращение напряжения на затворе электрической схемы.
контрольная работа, добавлен 16.03.2017Исследование поля постоянных токов в неподвижных проводниках и проводящих средах. Обобщение закона Ома. Закон Джоуля-Ленца в дифференциальной форме. Электрическое поле в диэлектрике, окружающем проводники с постоянными токами. Сопротивление заземления.
лекция, добавлен 25.06.2013Проводимость свободных носителей на переменном токе. Динамические свойства сегнетоэлектриков. Прыжковая проводимость на переменном токе в аморфном антимониде галлия. Определение параметров локализованных состояний методом моттовской спектроскопии.
диссертация, добавлен 25.07.2018Понятие о переменном токе. Расчет индуктивного сопротивления в электрических цепях. Анализ схемы с последовательным соединением активного сопротивления, конденсатора и индуктивности. График векторной диаграммы разветвленной цепи в режиме резонанса токов.
доклад, добавлен 14.08.2013Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Описание сетевого участка и его режимов работы, параметры сети и результаты замеров токов короткого замыкания. Схема трехступенчатой токовой защиты, принцип её работы. Расчёт параметров защиты. Исследование поведения защиты в аварийном и случайном режиме.
лабораторная работа, добавлен 27.03.2016Признаки классификации электрических сетей на системообразующие и распределительные. Определение нейтрали в электрических сетях, их режимы работы. Параметры и особенности режима работы электросетей. Режим работы и классификация электрических установок.
реферат, добавлен 03.11.2019Определение параметров схемы замещения линии электропередачи и двухобмоточного трансформатора. Вычисление коэффициентов трансформации. Расчет установившегося режима сети программой RASTR. Анализ потерь активной мощности в сети в нормальном режиме.
лабораторная работа, добавлен 08.10.2014Предварительный расчет резисторов по постоянному току. Проверка расчета по постоянному току каскадов на биполярных транзисторах V3 и V4 с помощью компьютера. Вычисление усилителя на переменном токе, построение амплитудно-частотной характеристики.
курсовая работа, добавлен 09.03.2021