Дефектоутворення в монокристалах CdS і CdS:Cu при опроміненні частинками підпорогової енергії
Механізми утворення дефектів і їх впливу на електричні, фотоелектричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію опромінених частинками підпорогової енергії. Дослідження лазерного відпалу центрів рекомбінації в опромінених монокристалах.
Подобные документы
Дослідження спектрів поглинання, фотолюмінесценції, оптичного гашення фотопровідності в неопромінених електронами монокристалах сульфіду кадмію. Методи покращення кристалічної структури при електронному опроміненні сильно дефектних монокристалів.
автореферат, добавлен 15.07.2014Аналіз механізмів радіаційного дефектоутворення при електронному та нейтронному опроміненні нелегованих і легованих міддю монокристалів CdS. Доідження фізичних властивостей монокристалів з метою побудови моделей електронних процесів у даних сполуках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Неоднорідність розподілу домішок Te та In в монокристалах антимоніду кадмію і їх вплив на електрофізичні ефекти. Вплив освітлення на кінетичні параметри монокристалів. Характер впливу гамма опромінення на явища переносу в монокристалах CdSb, легованих In.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013- 5. Магнітна залежність екситонних спектрів у квантових ямах опромінених напівмагнітних напівпровідників
Залежність спектрів екситонів від магнітного поля у квантових ямах, опромінених високоенергетичними частинками марганцю. Показано, що в опромінених зразках має місце суттєве збільшення розщеплення екситонних рівнів у магнітному полі у квантовій ямі.
статья, добавлен 03.10.2013 Дослідження впливу pН розчину на формування нанокристалів сульфіду кадмію та їхній розмір у процесі синтезу. Залежність розміру нанокристалів сульфіду кадмію, отриманих за допомогою золь-гель технології в желатиновому розчині, від значення pН середовища.
статья, добавлен 07.12.2016Вплив легування різними концентраціями активних домішок на деякі оптичні, електричні і термоелектричні властивості керамік. Моделі, які пояснюють природу центрів люмінесценції в ZnSe і механізми впливу на структурні дефекти легуючих домішок літію і міді.
автореферат, добавлен 27.04.2014Вивчення впливу легування кремнію ізовалентною домішкою олова. Процеси утворення і відпалу радіаційних і термічних дефектів. Теорія кінетики утворення термодонорів. Електрофізичні властивості кремнію при обробці. Оцінка носіїв струму при опроміненні.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження структури та електрофізичних властивостей об'ємних монокристалів кремнію і кремнієвих композицій. Комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізму утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.
автореферат, добавлен 25.04.2014Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Теоретичне дослідження процесу міграції міжвузлових атомів, вакансій у матеріалі в умовах неоднорідного опромінення високоенергетичними частинками. Вивчення різних процесів утворення макроскопічних дефектів на початкових стадіях і в стаціонарному випадку.
статья, добавлен 19.09.2013Природа радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах шаруватого та острівного борату. Вплив активації монокристалів рідкісноземельним елементом на створення дефектів під впливом іонізуючого випромінювання, на оптичні та сцинтиляційні характеристики.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Механізми впливу температури на накопичення радіаційних дефектів. Особливості впливу радіаційних дефектів на рекомбінаційні властивості опроміненного кремнію. Взаємодія вибитого радіацією міжвузловинного атома з акустичними та оптичними фононами.
автореферат, добавлен 29.08.2015Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у нових об’єктах – монокристалах тетрабората літію, активованих електроними іонами. Вивчення впливу активації рідкісноземельними елементами монокристалів ТБЛ на їх термостимульовану люмінесценцію.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження впливу ультразвукової обробки на перебудову радіаційних дефектів у бездислокаційних кристалах кремнію n-типу з високою концентрацією кисню, опромінених квантами. Теоретичний аналіз температурних залежностей концентрації та рухливості.
статья, добавлен 08.10.2013Вплив модифікації монокристалів Li6Gd(BO3)3:Ce натрієм і магнієм на процеси дефектоутворення під впливом іонізуючого випромінювання. Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах твердих розчинів Li6Gd1-xEux(BO3)3, Li6Y1-xEux(BO3)3.
автореферат, добавлен 23.08.2014Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Технологічні особливості легування кристалів селеніду цинку та дослідження їх оптичних і електрофізичних властивостей. Природа оптичних переходів та розробка методу визначення коефіцієнтів дифузії домішок хрому і кобальту в монокристалах селеніду цинку.
автореферат, добавлен 14.09.2015Температурні і температурно-часові залежності електроопору у квазідвовимірних NbSe2 і квазіодновимірних NbSe3 монокристалах в широкому інтервалі температур. Утворення вакансій селену в квазідвовимірних монокристалах NbSe2. Характер розсіювання електронів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Фізичні закономірності проходження динамічних фазових переходів і флуктуаційної аномалій в монокристалах (Re=Y, Но). Особливості структурної анізотропії дефектів кристалічної решітки у високотемпературних надпровідних сполуках системи 1-2-3.
автореферат, добавлен 14.08.2015