Анализ влияния электромагнитного поля на шумовые характеристики транзисторов

Исследование влияния электромагнитного поля на интенсивность шума биполярных транзисторов. Характеристика особенностей работы отечественных высокочастотных транзисторов в сильных электромагнитных полях с сохранением в поле хороших шумовых показателей.

Подобные документы

  • Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.

    учебное пособие, добавлен 08.09.2015

  • Применение принципа каскадирования звеньев второго порядка с абсолютно высокой чувствительностью амплитудно- и фазочастотных характеристик в полосе пропускания. Влияние малосигнальных параметров биполярных транзисторов на параметры усилительных каскадов.

    статья, добавлен 30.05.2017

  • Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.

    статья, добавлен 28.07.2013

  • Рассмотрение принципа действия и схемотехники усилителя низкой частоты. Ознакомление с его техническими характеристиками. Исследование особенностей транзисторов выходного каскада. Изучение работы регулятора усиления в усилителях звуковой частоты.

    статья, добавлен 19.02.2019

  • Устройство, схемы и принцип действия приборов магнитоэлектрического, электромагнитного, электродинамического и ферродинамического типов. Их достоинства и применение. Использование астатических приборов для защиты от влияния внешних магнитных полей.

    реферат, добавлен 25.05.2014

  • Анализ случаев неправильного срабатывания микропроцессорных устройств релейной защиты. Влияние геомагнитного поля на работу микропроцессорных релейных защит. Расчет временных и амплитудных интервалов скорости изменения компонентов геомагнитного поля.

    статья, добавлен 14.04.2018

  • Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.

    статья, добавлен 14.07.2016

  • Движение электронов в ускоряющем электрическом поле. Анализ принципа действия триода. Схематическое устройство кинескопа для черно-белого телевидения. Кристаллическая структура полупроводника на плоскости. Классификация и маркировка транзисторов.

    курс лекций, добавлен 09.07.2017

  • Анализ полного поля, полученного при падении цилиндрической волны на плоский экран с изменяемым импедансом. Алгоритм решения задачи дифракции электромагнитного поля на неоднородном теле для импедансного прямоугольника на идеально проводящей плоскости.

    статья, добавлен 21.11.2020

  • Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.

    дипломная работа, добавлен 17.12.2013

  • Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.

    учебное пособие, добавлен 29.10.2013

  • Выбор типа проводимости транзисторов. Синтез конфигурации схемы питания усилительных каскадов постоянными напряжениями и токами. Расчет элементов на постоянном токе. Мероприятия по снижению влияния дестабилизирующих факторов. Коэффициент усиления тракта.

    курсовая работа, добавлен 04.04.2023

  • Назначение и принцип работы импульсного блока питания, структура и взаимосвязь электронных узлов. Выбор элементной базы. Схема высокочастотного преобразователя. Характеристики ключевых транзисторов инвертора. Определение и локализация неисправностей.

    реферат, добавлен 05.06.2015

  • Расчёт полосы пропускания приёмника, промежуточной частоты, параметров транзисторов. Коэффициент усиления высокочастотной части приёмника. Изучение основных достоинств и недостатков супергетеродинного приёмника. Обеспечение минимума коэффициента шума.

    курсовая работа, добавлен 13.04.2014

  • Понятие, классификация и принцип работы электронного усилителя. Типы электронных усилителей, их параметры и характеристики. Сравнительный анализ основных параметров усилителей с различным включением транзисторов в схемах. Разработка печатной платы.

    курсовая работа, добавлен 28.08.2013

  • Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.

    статья, добавлен 14.07.2016

  • Процесс разработки антенны радиоприемного устройства. Расчет полосы пропускания и допустимого коэффициента шума приёмника. Выбор промежуточных частот и средств обеспечения избирательности. Правила выбора и расчет параметров транзисторов радиотракта.

    курсовая работа, добавлен 30.10.2013

  • Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 30.11.2013

  • Разработка математической модели магнитного поля в пространстве между электродами датчика скорости судов. Характеристика новых двухкомпонентных электромагнитных датчиков скорости судов, имеющих повышенную относительно предшественников точность измерения.

    автореферат, добавлен 02.12.2017

  • Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.

    учебное пособие, добавлен 24.09.2014

  • Расчёт выходных электрических характеристик микроэлектроники средствами подсистемы схемотехнического проектирования. Моделирование наводок через взаимные ёмкости и индуктивности. Расчёт поля, создаваемого горизонтальным диполем вблизи границы раздела.

    статья, добавлен 05.11.2018

  • Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.

    статья, добавлен 15.08.2013

  • Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.

    методичка, добавлен 30.10.2015

  • Исследование основных параметров усилителей мощности звуковой частоты. Фазочастотная характеристика предоконечного и оконечного каскадов. Изучение порядка сборки и особенностей монтажа конструкции. Установка транзисторов. Наладка усилителя мощности.

    контрольная работа, добавлен 08.06.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.