Электрические характеристики кремниевого интегрального n-канального МДП транзистора
Структура и топология МДП-транзистора. Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели и с учётом неоднородности ОПЗ под затвором. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы. Корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала.
Подобные документы
Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Изучение устройства, характеристик и параметров полевого транзистора с изолированным затвором. Анализ эволюции статических характеристик транзистора, задающихся паспортно, в динамические характеристики при использовании транзистора в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Сборка схемы для исследования биполярного транзистора. Построение входных и выходных характеристик. Определение h-параметров. Составление эквивалентной схемы замещения. Изучение параметров передаточных и выходных характеристик полевого транзистора.
лабораторная работа, добавлен 25.08.2013Основные параметры биполярного транзистора, формирование его малого и большого сигнала. Расчёт принципиальной схемы усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, назначение и принцип действия. Амплитудно-частотные характеристики усилителей.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Расчет выходного усилительного каскада передатчика, коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Амплитуда тока базы. Элементы эквивалентной схемы. Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора. Усиление транзистора по мощности.
курсовая работа, добавлен 16.12.2012Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.
реферат, добавлен 22.02.2015Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.
реферат, добавлен 21.02.2015Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Электрические параметры биполярного германиевого усилительного высокочастотного маломощного сплавно-диффузионного транзистора. Определение его смешанных (гибридных) параметров по семейству входных и выходных характеристик для схемы с общим эмиттером.
контрольная работа, добавлен 24.01.2015Принцип действия биполярного транзистора. Возникновение коэффициента усиления по напряжению с учётом конкретных схем включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). Таблица сравнительных данных по этим схемам.
лекция, добавлен 01.09.2013Назначение и структурная схема стабилизатора напряжения. Выбор транзистора по максимальному току коллектора, его входная и выходная характеристики. Стабилизация тока, расчёт параметров, индикация состояния стабилитрона. Защита нагрузки от перенапряжения.
курсовая работа, добавлен 18.01.2013Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Основные технологические этапы построения схемы И-НЕ на n-МОП транзисторах. Характеристика схемы нагрузочного и активного транзистора. Этапы расчета емкости перекрытия каналов. Особенности расчета схемы при помощи программы P-Spice, параметры схемы.
контрольная работа, добавлен 27.05.2012Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Условное обозначение, направления токов и полярности напряжения на электродах полевого транзистора КП301Б. Методика построения фрагмента выходной сток-истоковой характеристики в окрестности рабочей точки. Анализ эквивалентной схемы для низких частот.
контрольная работа, добавлен 04.02.2016Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.
презентация, добавлен 20.07.2013Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.
дипломная работа, добавлен 05.08.2018