Полупроводниковые лазеры
Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
Подобные документы
Классификация лазерных технологических процессов. Механизм передачи и поглощения энергии при излучении. Оптические характеристики металлов. Физические свойства лазерной плазмы. Анализ преимуществ применения лазеров в создании электронных приборов.
учебное пособие, добавлен 06.05.2016Анализ Нобелевской премии. Рассмотрение сведений о советских и российских нобелевских лауреатах. Обсуждение физики твердого тела, атомного ядра, лазеров и их применения. Обзор списка основных проблем физики по классификации академика В. Гинзбурга.
учебное пособие, добавлен 24.07.2017Понятие внутренней энергии тела, области применения двигателей внутреннего сгорания. Изучение принципа действия двигателей жидкого топлива и газовых, понятие рабочего цикла. Анализ особенностей карбюраторного двигателя, описание работы его систем.
реферат, добавлен 09.11.2009Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Первые шаги на пути к лазеру, история развития. Лазер на рубине как первый образец. Усилители и генераторы, принцип их действия. Диапазон длин волн, коэффициент полезного действия. Область применения лазеров в науке и технике: в геодезии, агропроме.
реферат, добавлен 09.05.2012Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Определение колебания массы, соединенной с нелинейной пружиной. Сравнение графиков колебаний массы на нелинейной пружине. Характеристика особенностей влияния увеличения времени массы на нелинейной пружине с поставленными условиями на амплитуду колебаний.
курсовая работа, добавлен 11.01.2020Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Ознакомление с принципами работы лазеров, измерение длины волны излучения лазера, сравнение спектров индуцированного и спонтанного излучений. Характеристика оптического квантового генератора, его устройства, свойств, которыми обладает лазерное излучение.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2009Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Характеристика истории развития атомных исследований в Советском Союзе. Анализ принципа действия циклотрона. Изучение особенностей синхрофазотрона, характеристика принципа его действия, примеры практического исследования. Описание возможностей коллайдера.
статья, добавлен 11.08.2018Обзор первых разработок квантовых приборов для генерации электромагнитных волн оптического диапазона. Обоснование интереса ученых-физиков к квантовой электронике. Очерк видов лазеров и область применения квантовых излучений в научных исследованиях.
реферат, добавлен 29.10.2013Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Систематизация силовых полупроводниковых преобразователей в соответствии с принципиальными особенностями схемы и функциональным назначением; с областью применения; с мощностью; с особенностями конструкции; со способом охлаждения. Способы охлаждения.
контрольная работа, добавлен 10.09.2012История изобретения лазера, физические основы его работы. Спонтанные и вынужденные переходы. Теория взаимодействия излучения с веществом. Методы создания инверсии населённости. Свойства лазерного излучения. Применение лазеров в медицине, науке и технике.
реферат, добавлен 27.09.2013Знакомство с лазерами или "оптическими квантовыми генераторами": их классы и положение, характеристики, сферы применения и принцип работы, а также процессы, происходящие в них, их появление и история их возникновения. Перечень основных типов лазеров.
доклад, добавлен 24.02.2011Лазер как усиление света посредством вынужденного испускания в генераторах и усилителях когерентного света. Создание мазера. Создание квантовых генераторов в оптическом диапазоне. Классификация лазеров, их характеристики и применение в науке и технике.
реферат, добавлен 30.10.2013Восстановление волнового поля голограммы. Квантовые эталоны и стандарты частоты в сверхвысокочастотных и оптическом диапазонах. Резонансное возбуждение частиц и селективное возбуждение изотопов. Генерация импульсов света ультракороткой длительности.
реферат, добавлен 20.08.2015Рассмотрение способов и основных этапов создания инжекционных лазеров. Знакомство с особенностями влияния состава на люминесцентные свойства твердых растворов в системе SIС-ALN. Характеристика методики получения эпитаксиальных слоев твердых растворов.
статья, добавлен 02.02.2020Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015- 100. Рубиновый лазер
Понятие активных элементов рубиновых лазеров, описание их конструкции. Принцип действия схем уровней и рабочих переходов. Показатель преломления рубина для поляризованного луча. Расчет схемы освещения активного элемента. Резонатор рубинового лазера.
реферат, добавлен 01.04.2017