Керування умовами гетероепітаксійного росту з рідкої фази у неізоперіодній системі GaSb/InAs

Вивчення особливостей гетероепітаксії з рідкої фази у системі GaSb-InAs, що утворює гетероперехід ІІ роду. Умови, що забезпечують планарність гетеромежі і епітаксійного шару та вимоги до методу епітаксії. Алгоритм для процесів тепломасопереносу.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.