Теоретичне дослідження кристалічної будови і електронної структури йонного провідника La0.5Li0.5TiO3
Дослідження атомної і електронної структури літієвих провідників. Кристалічна структура та фізичні властивості йонних провідників La(2-x)/3LixTiO3. Розрахунок залежності числа літієвих вакансій від концентрації йонів літію при різних температурах.
Подобные документы
Вивчення впливу електрон-електронної взаємодії та домішок на властивості низьковимірних квантових систем. Теоретичне дослідження електронних ланцюжків з сильною взаємодією частинок. Розробка нової інтегрованої моделі сильнокорельованих електронів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Встановлення фізичних закономірностей формування аморфної та мікрокристалічної структури в плівках Со-Р, отриманих при імпульсному електроосадженні. Встановлення залежності хімічних властивостей плівок Со-Р від структури та режимів імпульсного струму.
автореферат, добавлен 06.07.2014Виявлення механізмів формування структур і фізичних властивостей кристалічних середовищ різних типів з іонним, ковалентним і металевим зв'язками. Розробка методики моделювання впливу дефектів низької розмірності (домішок, вакансій, локальних вигинів).
автореферат, добавлен 28.07.2014Особливості структури, фізико-хімічні та оптико-спектральні властивості люмінофорів. Особливості синтезу тонкоплівкових та керамічних сполук і аналіз їх кристалічної структури. Результати досліджень оптичних властивостей тонких плівок та монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Аналіз стійкості структурного й спінового станів MnAs та MnP при зміні об’єму елементарної комірки. Вивчення впливу аніонного й катіонного заміщень, параметрів кристалічної ґратки на структуру й магнітні характеристики гексагонального арсеніду марганцю.
автореферат, добавлен 14.08.2015Дослідження атомної структури релаксованої поверхні Si шляхом комп’ютерного моделювання з використанням модифікованого алгоритму молекулярної динаміки. Виявлення специфіки виникнення дімерної структури поверхневих атомних шарів в умовах їх релаксації.
автореферат, добавлен 23.02.2014Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Особливості вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Вивчення залежності опору металів від температури. Вимірювання опору досліджуваної котушки при кімнатній температурі. Вплив швидкості нагріву на точність побудованої залежності.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Вибір схеми цехової мережі. Розрахунок навантажень цехової мережі. Вибір комутаційно-захисної апаратури та провідників цехової мережі. Розрахунок електропостачання підприємства. Розрахунок струмів короткого замикання і перевірка отриманих рішень.
курсовая работа, добавлен 09.12.2016З’ясування причин анізотропії віддзеркалення електронів проводимості від реальної поверхні вольфраму з орієнтацією. Розробка методів літографічної модифікації поверхні Si у надвисокому вакуумі. Методика отримання надгострих вольфрамових вістрів.
автореферат, добавлен 18.11.2013Втрати в деталях з магнітних матеріалів. Віддача тепла нагрітим тілом. Нагрівання, охолодження однорідного провідника в часі за тривалого режиму роботи. Нагрівання ізольованих провідників. Передача тепла через плоску стінку. Tepмічнa стійкість апаратів.
реферат, добавлен 02.02.2018Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Аналітичний та чисельний аналіз ефективної маси електронів провідності в зовнішньому магнітному полі. Отримання рівняння для спектру спінових збуджень кристалічної та структурно невпорядкованої моделей в рамках двочасових температурних функцій Гріна.
автореферат, добавлен 29.10.2015Вивчення процесів електронного збудження автоіонізаційних станів атома літію методом електронної спектроскопії з використанням техніки електронного і атомного пучків, що перетинаються. Розробка та впровадження методики вимірів фізичного резонансу.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження рівноважних струмових станів у надпровідних структурах з малими розмірами неоднорідностей при температурах, близьких до критичної. З’ясування залежності величини струму від різниці фаз між берегами контакту та наявності немагнітних домішок.
автореферат, добавлен 29.09.2015Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Визначення характеру взаємодії та фазової рівноваги компонентів в потрійних системах Y – {Al, Si, Ge} – Ga. Кристалічна структура, магнітні та електричні властивості синтезованих потрійних сполук. Ізотермічні перерізи діаграм стану досліджуваних систем.
автореферат, добавлен 22.07.2014Вивчення структури енергетичного спектра носіїв у кристалі. Фізичні процеси, що відбуваються в тунельних електроно-діркових переходах. Розрахунок часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпрвідникових приладах. Дослідження термоелектронних явищ.
методичка, добавлен 18.04.2014Аналіз дослідження ролі кристалічної матриці у формуванні низькотемпературних властивостей нових складних кондо-систем, що містять магнітоактивні підгратки перехідних 3d-елементів: умови, методи синтезу таких сполук, способи контролю фазового складу.
автореферат, добавлен 22.02.2014Вибір системи освітлення та типу освітлювального пристрою. Розрахунок загального рівномірного внутрішнього освітлення горизонтальних поверхонь при відсутності затіняючого обладнання. Вибір щитків освітлення, живлячих провідників та способу прокладки.
практическая работа, добавлен 22.03.2015Встановлення природи фазового переходу в кристалах слабкого сегнетоелектрика гептагерманата літію (LGO). Процеси поляризації в кристалах LGO. Вплив зовнішніх факторів на поведінку діелектричної проникності в районі температури фазового переходу.
автореферат, добавлен 29.08.2013Дослідження мікронеоднорідної будови сильнов’язких рідин і скла. Виявлення ролі водневих зв’язків у гліцерині та гліцерино-подібних рідинах. Процеси кластерізації та зародкоутворення як основны фізичны механізмами формування мікронеоднорідної структури.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження кристалічного просторового розташування матеріальних частинок: атомів, іонів або молекул. Геометричні закономірності форми макроскопічних кристалів. Фундаментальне поняття ґратки Браве. Фізичне вивчення структури кристалу типу алмаз.
курсовая работа, добавлен 06.08.2014Теоретично-експериментальні дослідження теплофізичних процесів електронної обробки виробів з оптичного скла і кераміки з урахуванням екстремальних зовнішніх умов їх експлуатації. Математичні моделі процесів нагрівання, термозміцнення й оплавлення виробів.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження антимоніду індію, легованого одночасно акцепторними(Cd) та донорними (Te) домішками в еквіатомному співвідношенні. Вивчення можливостей застосування нових матеріалів в голографії та оптоелектроніці. Синтез та кристалізація монокристалів.
автореферат, добавлен 23.11.2013