Расчёт параметров и характеристик полупроводникового диода и транзистора МДП–типа
Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
Подобные документы
Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.
статья, добавлен 20.08.2013Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Электрические параметры биполярного германиевого усилительного высокочастотного маломощного сплавно-диффузионного транзистора. Определение его смешанных (гибридных) параметров по семейству входных и выходных характеристик для схемы с общим эмиттером.
контрольная работа, добавлен 24.01.2015Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Сравнительный анализ работы субгармонического смесителя радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода и на базе диода с барьером Шоттки. Анализ режимов работы смесителя, позволяющие получить повышение показателей качества смесителя на базе диода.
статья, добавлен 08.12.2018Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.
лабораторная работа, добавлен 01.06.2022Использование утроителя напряжения в качестве источника вторичного электропитания для различных радиоэлектронных устройств. Понятие и сущность полупроводникового диода. Особенности электролитического конденсатора, сборка и проверка работы устройства.
аттестационная работа, добавлен 17.02.2016Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.
лекция, добавлен 19.09.2011- 36. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 Свойства полупроводникового диода Шоттки. Параметры стабилитрона и его вольтамперная характеристика. Принципиальная схема параметрического стабилизатора напряжения. Общие сведения о стабисторах, светодиодах, фоторезисторах и оптоэлектронных приборах.
лекция, добавлен 15.04.2014Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Принцип работы преобразовательного устройства. Система автоматического регулирования. Параметры стабилизатора, катушки индуктивности в среде Matlab. Подбор диода и транзистора. Режим прерывистых токов. Анализ регулировочной характеристики стабилизатора.
курсовая работа, добавлен 26.12.2014Проведение исследований принципа действия, измерения характеристик и определения основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Крутизна характеристики прямой передачи. Дифференциальное сопротивление стока, коэффициент усиления.
лабораторная работа, добавлен 19.04.2016Специфика статических характеристик биполярного транзистора. Расчёт статического коэффициента передачи тока. Дифференциальное входное сопротивление транзистора и результаты измерения тока коллектора. Особенности порядка проведения экспериментов.
лабораторная работа, добавлен 27.12.2014Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Исследование полупроводникового диода, биполярных транзисторов и транзисторных усилителей, неуправляемых однофазных выпрямителей, управляемых однофазных выпрямителей. Расчет динамического сопротивления стабилитрона, коэффициента нестабильности.
лабораторная работа, добавлен 16.12.2015Рассмотрение принципа действия прибора, его основных параметров и характеристик. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Характеристика особенностей статического и дифференциального сопротивления перехода при отсутствии напряжения.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2017Определение зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Выходные характеристики полевого транзистора. Зависимость дифференциальных параметров. Особенности процесса построения временной диаграммы переменного тока коллектора.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017