Вплив розмірних ефектів на електрофізичні властивості арсенідгалійових структур з глибокими центрами
Розробка моделі захоплення вільних носіїв з плівки на незаповнені глибокі центри в буферному шарі та підкладці. Вирази, що зв'язують низькочастотну та високочастотну бар'єрну ємність з параметрами прямої гетероструктури з селективним легуванням.
Подобные документы
Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Огляд загальних закономірностей впливу температури і розмірних ефектів на електро- та магніторезистивні властивості тришарових плівкових систем. Виявлення впливу на питомий опір, температурний коефіцієнт опору і гігантський магнітоопір елементного складу.
автореферат, добавлен 25.09.2015Теорія термодинамічних і кінетичних властивостей просторово-неоднорідного надпровідника з розподілом відповідних вихідних параметрів між доменами. Вплив непружного розсіяння носіїв струму у надпровідниках на їх властивості в залежності від температури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Характеристика літератури та результатів досліджень щодо оптичних властивостей наноматеріалів. Принципи роботи квантових розмірних ефектів наночастинок у роботі надчутливих фотодетекторів. Інтенсивність випромінювання найяскравіших флуоресціюючих молекул.
статья, добавлен 27.07.2016Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014Встановлення особливостей взаємодії носіїв заряду з п’єзоелектричними полями, генерованими електропружними ультразвуковими коливаннями. Огляд шаруватих структур типу п’єзоелектричний резонатор LiNbO3 – напівпровідникової низькорозмірної гетероструктури.
автореферат, добавлен 14.08.2015Встановлення закономірностей впливу чинників на властивості таких термоелектродних матеріалів, як залізо, мідь, хромель, константан. Розробка практичних рекомендацій для вдосконалення технології виготовлення та експлуатації термопар З-Кн, М-Кн, Х-Кн.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Властивості кремнієвих структур та їх механізми люмінесценції. Модель квантової ями та циліндричної квантової нитки, що знаходиться в діелектричному оточенні. Сферична напівпровідникова квантова точка з діелектричною сталою у діелектричному середовищі.
автореферат, добавлен 30.10.2015Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014Дослідження впливу зарядових і розмірних ефектів на енергетичні і транспортні характеристики низькорозмірних металевих структур. Принципи виникнення аномальної електрострикції. Модифікація теорії одноелектронного тунелювання крізь металеві квантові точки.
автореферат, добавлен 25.02.2015Термодинамічна теорія утворення нанодоменної структури, що виникає під дією неоднорідного електричного поля зовнішнього нанорозмірного джерела в сегнетоелектриках. Роль поверхневого екранування та розмірних ефектів при рівноважному зростанні доменів.
автореферат, добавлен 26.08.2015Модель двошарової плівки, що складається із полікристалічних шарів металу різної товщини та ступеня чистоти. Залежність коефіцієнта двошарової полікристалічної плівки від відношення товщин шарів металу та зерномежового параметра, взаємодія носіїв заряду.
доклад, добавлен 30.10.2010Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 43. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Дослідження механізмів йонно-стимульованого формування структур з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами. Вплив на особливості процесів формування і властивості багатошарових структур вуглецю, домішок кисню та механічних напружень.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Дослідження кореляційних ефектів, поправки на локальне поле, енергетичних і структурних характеристик моделі електронної рідини. Розробка нового підходу у теорії електронної рідини, що ґрунтується на моделюванні короткосяжних кореляцій між частинками.
автореферат, добавлен 25.02.2015Вплив азоту та потужності розряду на оптичні властивості алмазоподібних вуглецевих плівок, отриманих методом плазмово-стимульованого осадження з газової фази. Вплив ультрафіолетового та гамма-опромінення на властивості кремнієвих сонячних елементів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Дослідження об’ємного часу життя в монокристалічному кремнії з врахуванням рекомбінації Шоклі-Ріда. Аналіз впливу концентрації надлишкових носіїв заряду та звуження забороненої зони на поверхневу рекомбінацію в кремнієвих фоточутливих структурах.
автореферат, добавлен 14.09.2015Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015Встановлення фізичних закономірностей впливу особливостей структури композиційних матеріалів терморозширений графіт-полімер на їх механічні та електрофізичні властивості. Вплив опромінення електронами та квантами випромінювання на електроопір зразків.
автореферат, добавлен 27.08.2014Основні методи багатопровідних зв'язаних мікросмужкових ліній. Аналітичні співвідношення для аналізу дисперсії в квазидинамічному наближенні. Характеристика моделювання антен на багатошарової підкладці. Розрахунок вібратора на одношарової підшивці.
автореферат, добавлен 25.07.2014Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011