Ионная имплантация в технологии ИС

Плюсы и недостатки метода ионной имплантации в технологии ИС. Цели ступенчатого ионного легирования. Определение необходимой толщины маскирующего окисла при проведении ионной имплантации. Маскирующие свойства SiO2 при легировании различными примесями.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.