Определение области безопасной работы биполярных транзисторов с изолированным затвором

Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.

Подобные документы

  • Схемные решения мощных высоковольтных генераторов с полупроводниковыми коммутаторами в виде IGBT-транзисторов и SOS-диодов. использование в разрядном контуре генератора с SOS-диодами высоковольтной и низковольтной цепи импульсного трансформатора.

    статья, добавлен 29.07.2016

  • Основные параметры биполярного транзистора, формирование его малого и большого сигнала. Расчёт принципиальной схемы усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, назначение и принцип действия. Амплитудно-частотные характеристики усилителей.

    курсовая работа, добавлен 20.09.2014

  • Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.

    статья, добавлен 15.08.2013

  • Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.

    презентация, добавлен 20.01.2022

  • Вопросы совершенствования системы управления электроприводами одноковшовых экскаваторов с применением частотного регулирования на базе IGBT транзисторов. Унифицирование бесконтактных систем управления двигателями механизмов для всех типов экскаваторов.

    статья, добавлен 25.11.2016

  • Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.

    статья, добавлен 20.08.2013

  • Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.

    контрольная работа, добавлен 14.02.2015

  • Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.

    лекция, добавлен 09.12.2013

  • Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.

    реферат, добавлен 20.01.2016

  • Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.

    магистерская работа, добавлен 01.12.2019

  • Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.

    лекция, добавлен 26.09.2017

  • Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Допустимое напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда переменной составляющей тока коллектора (тока нагрузки).

    лабораторная работа, добавлен 17.10.2017

  • Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.

    лабораторная работа, добавлен 22.10.2012

  • Наблюдение небольших нелинейных искажений. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада (четырехполюсника). Влияние температуры. Зависимость от соотношения входного сопротивления транзистора. Синусоидальная ЭДС.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Выбор транзистора для работы в составе широкополосного усилительного оконечного каскада. Расчет требуемого режима работы транзистора, цепей питания и термостабилизации. Каскад с высокочастотной индуктивной коррекцией. Принципиальная схема усилителя.

    курсовая работа, добавлен 02.12.2012

  • Виды устойчивых состояний (режимов) для биполярного транзистора: активный, инверсивный, режим отсечки и режим насыщения. Проверка достаточности напряжения питания схемы, выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Расчет каскада по постоянному току.

    контрольная работа, добавлен 29.08.2015

  • Электроника как наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями. Знакомство с особенностями биполярного транзистора ГТ310А, рассмотрение способов определения параметров. Анализ этапов построения нагрузочной прямой по постоянному току.

    курсовая работа, добавлен 18.02.2020

  • Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 20.01.2014

  • Аналіз створення моделі, що дозволяє методом мікрочасток розраховувати транзистори на частотах понад 100 ГГц в квазігідродинамічному наближенні з урахуванням механізмів розсіювання. Спектральний склад шуму в польових транзисторах з затвором Шотткі.

    статья, добавлен 17.05.2020

  • Анализ метода подбора параметров системы нагрузочного тестирования для оценки производительности распределенной системы мониторинга, с целью перевода ее в требуемое состояние нагрузки. Особенности удержания нагрузки на сервер системы мониторинга.

    статья, добавлен 27.07.2017

  • Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.

    контрольная работа, добавлен 31.01.2014

  • Процесс установления соединения. Определение телефонной нагрузки, количества входов исходящих соединительных линий, числа стативов и регистров. Схема распределения приборов станции, абонентских и соединительных линий по группам источников нагрузки.

    курсовая работа, добавлен 28.10.2013

  • Исследование влияния электромагнитного поля на интенсивность шума биполярных транзисторов. Характеристика особенностей работы отечественных высокочастотных транзисторов в сильных электромагнитных полях с сохранением в поле хороших шумовых показателей.

    статья, добавлен 22.03.2018

  • Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.

    реферат, добавлен 27.11.2013

  • Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.

    реферат, добавлен 11.05.2017

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.