Исследование удельного сопротивления полупроводников и тонких плёнок
Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
Подобные документы
Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Три основные группы проводниковых материалов. Металлы с высокой удельной проводимостью: медь и алюминий. Их применение для изготовления радиомонтажных проводов и кабелей, тонких плёнок в интегральных микросхемах. Высокая химическая стойкость металла.
презентация, добавлен 23.09.2016Вычисление параметров термометра сопротивления по теоретическим зависимостям. Построение графиков изменения погрешностей в функции температуры. Расчет величины сопротивления шунтирующего элемента. Определение характеристики корректированного термистора.
контрольная работа, добавлен 13.01.2016- 29. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Применение тонких проводящих пленок в радиотехнике и электронике. Экспериментальное исследование отражения, прохождения и резонансного поглощения электромагнитных волн в тонких нанометровых пленках меди, алюминия и нихрома в диапазоне длин волн 2–10 см.
статья, добавлен 19.06.2018Расчет тонкопленочных резисторов, выбор материала резистивной пленки. Определение геометрических размеров контактных переходов и подгоняемого резистора. Обеспечение электрической прочности и оценка добротности. Расчет тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 11.05.2017Основные преимущества гибридных интегральных микросхем. Толстые и тонкие пленки, их роль в современной технике и технологии получения. Методы термического испарения и ионного распыления, их характеристика. Области применения тонких и толстых плёнок.
курсовая работа, добавлен 31.05.2012Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017- 34. Технологическая установка для автоматизированного контроля шероховатости функциональных подложек
Контроль шероховатости подложек изделий электронной техники на основе интерференционного анализа, а также при помощи автоматизированной технологической установки. Анализ работы системы контроля и взаимодействия ее основных составляющих компонентов.
статья, добавлен 29.11.2016 Принципы построения ультразвуковых преобразователей. Описание конструкции с простым составным демпфером. Определение удельного акустического сопротивления, функции чувствительности. Расчет коэффициентов прохождения и отражения ультразвуковой волны.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 15.08.2011Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Метод обработки и представления результатов однократных измерений на примере измерения сопротивления реостата. Сравнение измерения сопротивления реостата с помощью электромагнитных приборов и с применением вольтметра магнитоэлектрической системы.
лабораторная работа, добавлен 28.08.2015Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Топология участка линии передачи с четвертьволновым трансформатором, мнимой нагрузкой. Определение проводимости параллельного контура. Формула для вычисления проводимости емкостной диафрагмы. Расчет сопротивления нагрузки, нахождение действительной части.
контрольная работа, добавлен 25.03.2010Выбор типа транзисторов и определение величины сопротивления нагрузки. Расчет структурной схемы предварительного усилителя, принципиальной схемы ПУ, эмиттерного повторителя и усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Коррекция частотных искажений.
курсовая работа, добавлен 14.08.2015Конструирование тонкопленочных резисторов. Расчет тонкопленочных конденсаторов и проводников. Выбор навесных элементов. Определение площади платы и ее размера. Схема размещения плат на подложке. Электрофизические и механические характеристики ситалла.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Определение формы, геометрических размеров, метода изготовления и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке. Определение действительной удельной мощности и погрешности изготовления резистора. Проверка расчетов исследуемых резисторов.
практическая работа, добавлен 18.04.2014Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Результаты экспериментальных исследований влияния подгонки сопротивления и топологических параметров мощных высокочастотных планарных резисторов на их частотные характеристики, разработка рекомендаций по способам подгонки и оптимизации топологии.
статья, добавлен 07.11.2018Разработан оригинальный способ определения тангенса угла потерь тонких диэлектрических пластин и пленок в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Измерения тангенса угла потерь тонких пленок были проведены в резонаторе на частоте 69.4 ГГц.
статья, добавлен 07.11.2018Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015