Моделирование полупроводникового диода
Идентификация параметров spice-модели диода с помощью программ Parts, PSpice Model Editor, Micro-Cap. Нелинейные и линеаризованные схемы замещения с включением источников внутреннего шума. Уравнения, описывающие статический и динамический режимы.
Подобные документы
Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Определение, отличительные черты и моделирование принципиальной схемы устройства. Сущность и специфика процесса проведения исследования характеристик схемы, её структура. Описание анализа переходных процессов, измерение частоты источника сигнала.
лабораторная работа, добавлен 23.06.2015Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011- 106. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 - 107. Метод оценки параметров распределения гауссовского шума для задач обнаружения импульсного сигнала
Решение задачи точечной оценки параметров сдвига и масштаба функции распределения аддитивного гауссовского шума при обнаружении на его фоне некогерентной последовательности однополярных импульсов. Разработка и реализация метода устойчивой оценки.
статья, добавлен 06.11.2018 Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017- 109. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Волоконные световоды и оптические кабели. Распространение световых волн вдоль оптического волокна. Источники излучения и оптические модуляторы. Отличие суперлюминесцентного и светоизлучающего диода. Основные элементы фотоприемника. Схема линейного тракта.
контрольная работа, добавлен 29.10.2013Синтезирование оптимальных и квазиоптимальных алгоритмов оценки яркостной температуры внутреннего шума и коэффициента усиления приемника в одноканальных сверхвысокочастотных радиометрах. Аналитическое выражение ковариационной матрицы предельных ошибок.
статья, добавлен 01.03.2017Расчет и сравнение параметров транзистора для схем включения с общими эмиттером и базой. Определение статических и динамических параметров каскада с общим эмиттером, параметров выходного импульсного сигнала. Значение выходной функции для логической схемы.
контрольная работа, добавлен 10.12.2015Ознакомление с процессом моделирования распределенных линий связи. Определение основных технических параметров линии и модели ее построения: идеальная без потерь или с потерями. Режимы распространения волн. Принципы управления входным и выходным током.
лабораторная работа, добавлен 12.05.2022Анализ результатов экспериментов по кристаллизации излучательных структур на основе антимонида галлия, формируемых методом термомиграции расплава в полупроводниковой матрице. Разработка и реализация конструкционного решения светоизлучающего диода.
статья, добавлен 11.01.2018- 117. Туннельный диод
Схематическое изображение туннельного диода, в котором при приложении напряжения в прямом направлении, туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Функции и работа стабилизаторов напряжения.
реферат, добавлен 17.03.2016 - 118. Моделирование комплекта ступенчатых защит воздушной линии с применением программного комплекса PSCAD
Однофазное и двухфазное КЗ на землю перед выключателем. Составление схемы сети. Проведение опытов с включением КЗ (двухфазные и однофазные на землю) в различных частях сети. Установление токовой и дистанционной защиты. Фиксация показателей приборов.
лабораторная работа, добавлен 13.04.2024 - 119. Микромощный избирательный усилитель в элементном базисе радиационно-стойкого техпроцесса АБМК_1_3
Базовые схемы микромощного избирательного усилителя. Применение полевого транзистора управляющим p-n переходом. Схемы избирательного усилителя с высоким затуханием выходного сигнала в диапазоне низких частот. Схема техпроцесса АБМК_1_3 в среде PSpice.
статья, добавлен 30.05.2017 - 120. Р-п переходы
Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.
лекция, добавлен 26.10.2013 Диагностика механизма привода лазерного проигрывателя, характеристика схем обработки цифровых сигналов. Последствия нарушений работы ограничительного диода и системы автофокусировки. Выявление неисправностей схем отслеживания, устранение проблем.
реферат, добавлен 25.01.2015Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Расчет физико-топологических параметров компаратора напряжений. Его моделирование в среде OrCAD. Определение размеров основных элементов. Технология производства D-триггера. Разработка топологического чертежа кристалла, схемы электрической принципиальной.
курсовая работа, добавлен 27.09.2017Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016