Интегральные схемы
Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
Подобные документы
Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Требования к технологичности и метрологическому обеспечению разработки, производства и эксплуатации. Стабилизация выходных напряжений импульсного блока питания. Выбор микросхем усилителя, резисторов, конденсаторов, силовых транзисторов, диодов.
курсовая работа, добавлен 22.11.2013Логические операторы электронных схем или цепей. Простейшие цифровые элементы. Примеры графического изображения элементов логических схем. Элемент Шеффера, Пирса. Временная диаграмма работы дизъюнктора. Релейно-контактные вентили. Полевые транзисторы.
курс лекций, добавлен 15.12.2013Обзор технологий и принципов проектирования электронных устройств. Разработка функциональной и принципиальной схемы устройства. Расчет и выбор элементов принципиальной схемы устройства: источника питания для счетчика, для гальванической развязки.
курсовая работа, добавлен 19.09.2014История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Разработка керамических и стеклянных конденсаторов. Применение тонкой оксидной пленки в качестве диэлектрика, нанесенной на поверхность анода. Особенность электролитических конденсаторных устройств по допустимому значению отрицательной температуры.
лекция, добавлен 23.09.2016Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Изучение методики расчета транзисторного компенсационного стабилизатора последовательного типа. Определение параметров регулирующих транзисторов, резисторов, стабилитрона, делителя; выбор элементов схемы. Расчет коэффициента стабилизации устройства.
лабораторная работа, добавлен 07.05.2010Расчет усилителя на биполярном и полевом транзисторах. Расчет частотных характеристик усилителя. Определение усилителя с заданным режимом покоя. Расчет генераторов тока и напряжения. Определение устройств на операционных усилителях и фильтра Чебышева.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Общие сведения об аналоговых электронных устройствах. Основные технические параметры и характеристики автоматических электронных устройств. Методы обеспечения режима работы биполярных и полевых транзисторов в каскадах усиления, многокаскадные усилители.
курс лекций, добавлен 15.10.2010Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Анализ основных эффектов и причин воздействия космического излучения на электронную аппаратуру. Исследование влияния одиночных сбоев на работу цифровых устройств, поиск методов защиты. Определение обобщенного критерия надежности для интегральных схем.
статья, добавлен 28.04.2017История возникновения и развития методов машинного моделирования электронных схем. Контактно-кондуктометрический приемник - преобразователь вихревых колебаний, теоретические основы его работы. Технико-экономический расчет разработки электронных схем.
дипломная работа, добавлен 14.11.2017Разработка программы в среде Pascal ABC, предназначенной для моделирования поведения линейной схемы на постоянном токе. Моделирование линейных электронных схем постоянного тока при прямом формировании узловых уравнений с управляемыми источниками токов.
курсовая работа, добавлен 14.05.2015- 117. Полевой транзистор
Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.
статья, добавлен 24.02.2019 Обширная номенклатура интегральных микросхем в Российской Федерации. Основа последовательностных цифровых приборов. Интегральные микросхемы комбинационного типа. Электронные часы с кварцевым генератором. Таймер на интегральных микросхемах серии К155.
книга, добавлен 11.03.2014Характеристика емкости конденсаторов, их диэлектрической проницаемости, токов утечки и постоянной времени конденсаторов. Изучение сопротивления диэлектриков по постоянному току, электрической прочности. Анализ типов конденсаторов по постоянной емкости.
реферат, добавлен 13.10.2014Выбор метода разработки конструкции микросхемы и технологического маршрута ее производства. Определение размеров кристалла полупроводниковой схемы, количество контактных площадок платы. Принципы проектирования резисторов, расчет пленочного конденсатора.
курсовая работа, добавлен 25.05.2015Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015Определение формы, геометрических размеров, метода изготовления и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке. Определение действительной удельной мощности и погрешности изготовления резистора. Проверка расчетов исследуемых резисторов.
практическая работа, добавлен 18.04.2014Функции, механические свойства и технические требования к подложкам интегральных микросхем. Определение суммарного припуска на механическую обработку и коэффициента использования материала. Ломка подложек на платы. Сущность процесса скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010- 125. Электронные приборы
Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
учебное пособие, добавлен 14.09.2015