Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем
Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
Подобные документы
Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Задачи и структура отдела микроэлектроники. Анализ процесса производства и контроля качества микрополосковых СВЧ плат. Принципиальная схема тактового генератора. Изучение технологического маршрута изготовления толстопленочных интегральных микросхем.
отчет по практике, добавлен 16.02.2015Применение полупроводниковых стабилизаторов в измерительных и проверочных лабораториях. Электрическая схема стабилизатора компенсационного типа в дискретных элементах. Расчет схемы компенсационного стабилизатора напряжения на базе интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 23.09.2014Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.
курсовая работа, добавлен 27.11.2012Выбор метода регистрации магнитограмм: метод Биттера, магнитная силовая микроскопия. Материалы для магнитооптических устройств и их основные характеристики (феррит-гранаты, ортоферриты). Выращивание кристалла подложки, ориентация. Лазерное скрайбирование.
дипломная работа, добавлен 03.06.2014Общие принципы пайки на печатных платах, волной припоя, в парогазовой среде, инфракрасным нагревом, конвекционная. Технология нанесения припойной пасты и изготовления трафаретов. Очистка плат после пайки. Контроль в сборочном производстве печатных плат.
лекция, добавлен 15.11.2018Влияние параметров межсоединений на динамические характеристики печатных плат, интегральных схем. Требования к оборудованию рабочих мест, освещенности. Уменьшение паразитной индуктивности проводников на печатной плате. Погонная емкость между проводниками.
дипломная работа, добавлен 30.07.2016Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Создание комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных металл-оксидных полупроводниковых транзисторов для сверхбольших интегральных микросхем, применяемых в новых системах управления двойного назначения.
автореферат, добавлен 15.02.2018Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Нанесение изображения через маску 2-го уровня (углубление) используя фотолитографию и глубинное реактивное ионное травление. Изучение осаждения 1-ого слоя оксида, используя LPCVD. Удаление ненужного поликремния, используя реактивное ионнное травление.
презентация, добавлен 26.10.2013Понятие и методы технологического контроля при изготовлении интегральных схем. Особенности пооперационного, визуального контроля и тестовых интегральных микросхем. Основные виды контрольных испытаний: параметрические, функциональные, диагностические.
реферат, добавлен 01.09.2013Обоснование выбора элементов, резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов и транзисторов. Расчет коэффициента заполнения печатной платы и надежности прибора. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Технология изготовления печатных плат.
дипломная работа, добавлен 07.06.2012Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Конструкторская классификация составных частей радиоэлектронной аппаратуры, схемотехнические элементы, их компоновка и взаимосвязь. Технология печатных плат. Метод травления меди с проблемных мест. Искажение профиля печатных проводников при травлении.
контрольная работа, добавлен 20.09.2012Технические характеристики и технология производства пленочного фоторезиста. Оборудование и средства оснащения. Фотохимические процессы, происходящие при изготовлении двухсторонних печатных плат. Расчет расхода материала и трудоемкости производства.
отчет по практике, добавлен 13.07.2017Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Изучение возможных механизмов, вызывающих деградацию и катастрофические отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Обзор моделей, используемых для анализа механизмов повреждения современных интегральных микросхем при воздействии радиоизлучения.
статья, добавлен 30.10.2018Проектирование и расчет пленочных интегральных схем. Рассмотрение основных принципов проектирования топологической структуры гибридных проектов. Методика расчета основных тонкопленочных элементов и оценка теплового режима гибридных интегральных микросхем.
учебное пособие, добавлен 21.11.2012Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012