Светоизлучающие диоды на основе нанопроводов оксида цинка
Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
Подобные документы
Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
методичка, добавлен 05.02.2015Эксперименты по нанесению тонких пленок ITO. Изучение возможности использования прозрачных проводящих пленок оксида индия и олова, получаемых методом электронно-лучевого напыления, в качестве контактного материала для отражающего контакта к слою p-GaN.
статья, добавлен 05.11.2014Исследование возможных наноструктур Джозефсона, технологий их получения. Разработка технологии получения качественного и хорошо воспроизводимого в промышленности перехода Джозефсона. Анализ существующих технологий получения наноструктур Джозефсона.
статья, добавлен 01.02.2019Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Анализ состава электролита и режима электролиза получения электролитических слоев свинца и цинка на материале подложки, обеспечивающих высокие электрохимические характеристики. Анодное поведение электрохимически полученных электродов в хлорной кислоте.
автореферат, добавлен 14.04.2018Особенности лазерного излучения и методы его получения, теоретические основы лазерных технологических процессов, их классификация и перспективы развития. Характеристика и принцип работы газовых и полупроводниковых лазеров, область их применения.
реферат, добавлен 07.08.2010Разработка оптимальных физико-технологических условий роста пленок теллурида цинка. Описание стационарных характеристик при выращивании разными методами: жидкофазной эпитаксии и вакуумного напыления. Процесс изучения влияния примесей алюминия и лития.
автореферат, добавлен 29.08.2013Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Построение новой теории излучения на основе понятий потока излучения, разработки физических моделей его элементов с учетом механизма аннигиляции, осмысления известных и установления новых закономерностей. Отказ от теории относительности (пострелятивизм).
статья, добавлен 23.11.2018Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Диод как двухэлектродный электронный прибор, его свойства. История открытия принципов работы термионного диода. Типы диодов, характеристика их параметров. Специальные типы диодов, их применение для защиты устройств от неправильной полярности включения.
реферат, добавлен 22.11.2015- 37. Типы диодов
Сущностная характеристика и устройство туннельных диодов. Возможности использования прибора для генерирования и усиления колебаний, преобразования сигналов и переключения. Обращенные и металлополупроводниковые диоды: общие сведения и особенности.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013 Оптические характеристики объемных и наноразмерных кристаллов. Методы выращивания кристаллов и получение полупроводниковых монокристаллов. Устройство сцинтилляционного болометра. Оптическое поглощение селенида цинка в зависимости от атмосферы отжига.
курсовая работа, добавлен 19.11.2011Общая характеристика оптических квантовых генераторов, история их создания и назначение. Физическая основа работы лазера, уникальные свойства данного вида излучения. Описание свойств некоторых твердотельных лазеров - волоконных и полупроводниковых.
контрольная работа, добавлен 29.05.2013Рассмотрение основных параметров и характеристик диодов. Определение технологии применения диодов для выпрямления переменного тока. Характеристика удвоителя напряжения на базе двухполупериодного выпрямителя. Структурные схемы источников питания.
презентация, добавлен 27.09.2017- 41. Геометрия контактов и ее влияние на чувствительность термоэлектрических детекторов СВЧ–излучения
Вольт-ваттная чувствительность как одна из основных характеристик детекторов электромагнитного излучения на основе контакта металл-полуметалл BiSb (сплав висмута с сурьмой). Исследование потоков распределения поля в объеме полуметаллического кристалла.
статья, добавлен 23.10.2010 Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Виды проводимости, отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. Электронно-дырочный переход и нелинейное сопротивление. Выпрямительные диоды малой мощности, силовые диоды.
реферат, добавлен 16.03.2011Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.
автореферат, добавлен 27.07.2018Термолюминесцентные и дозиметрические свойства анионо-дефектного оксида алюминия. Анализ моделей конкурирующего взаимодействия ловушек в широкозонных диэлектриках. Компьютерное моделирование влияния примесей на дозиметрические свойства вещества.
курсовая работа, добавлен 02.11.2015- 46. Влияние условий конденсации ионно-плазменного потока на структуру и свойства покрытий нитрида титана
Физические методы получения покрытий в вакууме. Процесс конденсации с ионной бомбардировкой. Получение субмикрокристаллических плёночных систем на основе соединений титана с азотом, исследование атомно-кристаллической структуры и микротвердости плёнок.
автореферат, добавлен 31.03.2018 Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Разработка методологии формирования автономных систем электроснабжения на основе энергии солнечного излучения и ветра. Методы оптимизации их параметров, обеспечивающие заданную потребителем надежность поставки электроэнергии при минимальной ее стоимости.
статья, добавлен 14.02.2018Устройство и сравнение полимерной солнечной батареи с кремниевыми батареями. Полупроводники на основе графена и графена оксида. Комплекс переноса заряда, транспорт электронов. Эффективность диссоциации экситонов. Оптимальная морфология фотоактивного слоя.
реферат, добавлен 10.12.2019Создание лазеров как одно из самых замечательных достижений физики второй половины XX века. Оценка квантовомеханического явления вынужденного (индуцированного) излучения. Рассмотрение основы работы лазеров: взаимодействия возбужденного атома с фотоном.
презентация, добавлен 21.03.2014