Електричний струм у напівпровідниках
Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
Подобные документы
Отримання хвильової функції і зонного спектру стиснутого двошарового графену, виразів для тензора провідності при стискові напрямку як "крісла" і "зигзагу". Використання анізотропії провідності при створенні нових чутливих тензорів механічних напружень.
статья, добавлен 27.02.2016Сутність вольфрамо-галогенних циклів. Область застосування галогенної лампи розжарення типу КГМ 12-20 та принцип її дії. Визначення електричних та розрахунок конструкційних параметрів ламп. Вибір конструкції основних деталей та складальних одиниць ламп.
контрольная работа, добавлен 26.10.2012Класифікація та типи електричних мереж, особливості їх використання для транспортування електричної енергії від джерела живлення до споживачів. Вибір типу та потужності силових трансформаторів. Розрахунок варіантів схем при максимальних навантаженнях.
курсовая работа, добавлен 29.05.2014Вплив вмісту солі та наповнювача на теплофізичні особливості модельного електроліту, наповненого аеросилом із прищепленими фосфоровмісними групами. Вплив особливостей структури на релаксаційні властивості і провідність поліуретанових електролітів.
автореферат, добавлен 12.07.2014- 105. Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах та детекторах оптичного випромінювання
Механізм переносу заряду електричних та фотоелектричних процесів. Зміст основних експериментальних та теоретичних кривих при зворотних напругах. Характеристика математичних форм спектральних нерівностей. Аналіз досліджуваних поверхнево-бар’єрних діодів.
автореферат, добавлен 27.09.2014 Традиційні способи теплопостачання. Властивості і характеристики електричної дуги. Коефіцієнт використання світлового потоку в залежності від типу світильника. Джерела зварювального струму. Питома потужність ламп. Точковий метод розрахунку освітлення.
курсовая работа, добавлен 11.04.2018Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження розвитку електричної нестійкості в напівпровідниковій плазмі гарячих електронів в об'ємних структурах при керуючих впливах НВЧ-полів. Розробка принципів створення багатофункційних швидкодіючих НВЧ-пристроїв для інформаційно-керуючих систем.
автореферат, добавлен 29.09.2014- 109. Високочастотні явища у двошарових двовимірних електронних системах у квантуючому магнітному полі
Енергетичний спектр електронів у несиметричній двошаровій двовимірній електронній системі і його вплив на холловську провідність цієї напівпровідникової структури. Особливості квантування коефіцієнтів сповільнення та загасання поверхневих поляритонів.
автореферат, добавлен 18.11.2013 Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Визначення температурних полів на бічних поверхнях циліндра і шару, які лежать на жорсткій основі з круговою виїмкою, у випадку ізотропних матеріалів. Дослідження впливу контактної провідності на розподіл температурних полів у зоні стику двох тіл.
статья, добавлен 29.01.2016Електричні властивості діелектриків: поляризація, електропровідність, діелектричні втрати. Ємність плоского, вакуумного конденсаторів, елементарний електричний момент поляризованої частки, питомий опір. Фізико-хімічні та теплові властивості діелектриків.
контрольная работа, добавлен 31.10.2015Застосування автоматизованого обчислення аварійних режимів електричних мереж середнього класу напруги. Використання програми "Elplek" для розрахунків всіх видів струмів короткого замикання. Аналіз схеми заміщення тестової системи електропостачання.
статья, добавлен 30.01.2017Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Топкий запобіжник як пристрій для захищення електричного кола його розмиканням через руйнування спеціально призначеного для цього елемента під дією струму у разі перевищення ним визначеного значення протягом певного часу. Визначення його параметрів.
лабораторная работа, добавлен 26.11.2014Дослідження властивостей двовимірних структур на основі напівмагнітних напівпровідників. Ефекти нерезонансного тунелювання в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Урахування впливу інтерфейсу на енергії носіїв струму в квантових структурах.
автореферат, добавлен 07.03.2014Перетворення світла, що падає на фоточутливу область фотодіода в електричний заряд, за рахунок процесів p-n-переходу. Розрахунок коефіцієнта корисної дії і потужності фотодіода. Структура лавинного фотодіода на основі кремнію. Біполярний фототранзистор.
реферат, добавлен 23.05.2014Характеристика процесів взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до появи нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу частинок, які слабо дифундують в напівпровідникових конструкціях.
автореферат, добавлен 14.10.2015- 119. Електричне поле
Визначення поняття електричного поля, його конфігурація. Індикатор наявності поля. Характеристика напруженості поля та принцип його суперпозиції. Дослідження закону Фарадея. Зображення електростатичного поля, а також електричне зміщення (індукція).
лекция, добавлен 15.04.2014 Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
автореферат, добавлен 28.08.2015Фізичні властивості металів. Електрична провідність та значення потенціалу іонізації. Зміни в будові кристалічної решітки. Процес хімічного руйнування металів під дією навколишнього середовища. Зменшення електричної провідності з ростом температури.
реферат, добавлен 03.04.2016Виникнення гальваномагнітних явищ, найважливішими з яких є ефект Холла. Здійснення перерозподілу електричних зарядів у напівпровіднику. Визначення середнього значення дрейфової швидкості носіїв потенціалу. Аналіз розсіювання на заряджених домішках.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Проведення теоретико-групової класифікації деформаційних ефектів в алмазоподібних напівпровідниках і встановлення на цій основі дозволених фізичних моделей п’єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Теоретичне вивчення п’єзоопору в кремнії та германії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Основний механізм формування іонного травлення джерел дифузії ртуті. Проведення технологічних операцій виготовлення фотодіодів. Аналіз виду провідності з легованими акцепторними домішками. Характеристика електричних параметрів конвертованих шарів.
автореферат, добавлен 14.09.2014