Моделирование изменения параметров-критериев годности при воздействии ионизирующего излучения малой мощности
Результаты работ по моделированию изменения электропараметров интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения. Модели и программное обеспечение для расчета надежности биполярных интегральных микросхем, учитывающие температуру окружающей среды.
Подобные документы
Компьютерное моделирование интегральных цифровых приборов. Структурная схема счетчика, эскиз топологии и топологические размеры. Параметры транзисторов и модели вентилей. Расчет быстродействия триггеров. Определение межсоединений и паразитных емкостей.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Микроэлектроника как комплекс конструкторских, технологических и схемотехнических вопросов проектирования и изготовления радиоэлектронных приборов с использованием интегральных микросхем, имеющих малые габариты, массу и повышенную механическую прочность.
реферат, добавлен 20.11.2012Определение понятия, а также основных свойств коммутатора. Выбор и обоснование схемы структурного коммутатора. Выбор серии интегральных микросхем, схемы электрической принципиальной. Расчет тактового генератора. Моделирование электронного коммутатора.
курсовая работа, добавлен 17.04.2014Обширная номенклатура интегральных микросхем в Российской Федерации. Основа последовательностных цифровых приборов. Интегральные микросхемы комбинационного типа. Электронные часы с кварцевым генератором. Таймер на интегральных микросхемах серии К155.
книга, добавлен 11.03.2014Функции, механические свойства и технические требования к подложкам интегральных микросхем. Определение суммарного припуска на механическую обработку и коэффициента использования материала. Ломка подложек на платы. Сущность процесса скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Базовые технологические операции изготовления интегральных микросхем. Операция наращивания на подложке монокристаллического слоя. Получение эпитаксиальных пленок. Использование светочувствительных материалов. Ионное легирование и термическое окисление.
доклад, добавлен 22.05.2016Система условных обозначений интегральных микросхем. Конструктивно-технологическая группа. Присвоение серии как порядковый номер разработки. Элементы арифметических и дискретных устройств. Схема вторичных источников питания. Сигналы специальной формы.
контрольная работа, добавлен 18.01.2014Измерение энергетических параметров лазерного излучения. Измерение мощности и энергии лазерного излучения. Средства измерения энергетических параметров лазерного излучения. Тепловой и фотоэлектрический методы. Принцип работы пироэлектрических ПИП.
контрольная работа, добавлен 07.05.2010Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых интегральных микросхем. Разработка структурной схемы технологического процесса. Толстопленочные проводники и резисторы. Производство толстопленочных гибридных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2013Алюминий и его сплавы как материал металлизации интегральных схем. Требования, предъявляемые к параметрам металлизации. Контактное сопротивление, качество покрытия ступеньки, размеры пустот, обусловленных напряжениями, и устойчивость к электромиграции.
статья, добавлен 08.04.2019Оценка стойкости библиотечных компонентов комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник интегральных схем. Расчет компонентов в структуре систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Анализ результатов расчета вентиля.
статья, добавлен 28.04.2017Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Характеристика микроэлектронных сенсоров, предназначенных для определения температуры подложки интегральных микросхем. Сравнение термосенсоров на основе резистивных, диодных и транзисторных структур. Обзор влияния температуры на параметры полупроводника.
статья, добавлен 02.03.2012Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 24.09.2012Буквенно-цифровой код в основе системы условных обозначений интегральных микросхем отечественного производства. Многофункциональные аналоговые и цифровые устройства, обозначение их элементов и звеньев (матриц, триггеров, резисторов, транзисторов).
лекция, добавлен 30.08.2012Описания особенностей конструирования интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. Структура ячейки флэш-памяти. Обзор внутреннего устройства микросхемы. Основные элементы биполярных микросхем. Конструктивно-технологические типы ИМС.
презентация, добавлен 20.07.2013Электроника как наука, ее основы и значение. Особенности этапов ее развития, основные открытия и изобретения ученых-физиков. Специфика развития серийного производства интегральных микросхем. Классификация дискретных элементов и интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Расчет энергомощностных характеристик для p–n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Оценка мощности теплового поражения по падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности.
статья, добавлен 03.11.2018Проблема оптимизации синтеза комбинационных частей цифровых интегральных микросхем. Нахождение функции Гильберта, задание систем частичных булевых функций. Применение разложения Гильберта к задаче синтеза комбинационных блоков интегральных микросхем.
статья, добавлен 19.04.2018Проблема прогнозирования надежности радиоэлектронной аппаратуры. Анализ модели прогнозирования интенсивности отказов микросхем с точки зрения возможности разделения интенсивности отказов микросхемы на сумму напряженностей отречений кристалла и корпуса.
статья, добавлен 08.12.2018Кратко исследуется вклад в чувствительность сверхпроводниковых детекторов электромагнитного излучения, возникающий из-за изменения спектральных функций абсорбера. Предложен метод расчета поправок к спектральным функциям для случая "грязной" пленки.
статья, добавлен 03.11.2018Осуществление контроля основных параметров микропроцессорных и микроконтроллерных интегральных схем. Основы безопасности при работе с электрическим напряжением. Разработка и проектирование шифраторов и дешифраторов. Устройство ввода-вывода для IBM PС.
отчет по практике, добавлен 28.05.2015Рассматриваются вопросы проектирования формирователя сигналов на выходе детекторов ионизирующего излучения с высокой временной разрешающей способностью. Реализация формирователя сигналов гауссовой формы выполнена по схеме формирующего фильтра сигналов.
статья, добавлен 15.11.2018Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017