Исследование влияния температуры на удельную электропроводность полупроводника
Назначение и использование стенда для исследования влияния температуры на удельную электропроводность полупроводников. Определение зависимости электропроводности полупроводников от температуры. Лабораторное исследование кремниевого полупроводника.
Подобные документы
Изучение принципа работы ПИД-регулятора. Разработка модели ПИД-регулятора и включение ее в состав модели системы автоматического регулирования температуры воздуха. Оценка влияния коэффициентов настройки регулятора на вид переходного процесса в САР.
курсовая работа, добавлен 01.11.2023Анализ теории радиационной электропроводности полимеров внешней поверхности космических аппаратов. Расчет электрических полей в экранно-вакуумной теплоизоляции. Проведение стендовых испытаний техники на стойкость бортовой радиоэлектронной аппаратуры.
автореферат, добавлен 13.02.2018Исследование основных видов резистивных датчиков положения и описание устройства автомобильного датчика температуры. Характеристики операционного усилителя и анализ параметров импедансов электронных элементов. Спектр оптических и периодических сигналов.
методичка, добавлен 25.09.2012Схема устройства контроля перепадов давлений и температуры. Виды теплопередачи для проектирования бортовой аппаратуры космических аппаратов. Составляющие автоматизированной системы компьютерного моделирования тепловых процессов в электронных блоках.
дипломная работа, добавлен 02.09.2018Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Дистанционное зондирование в миллиметровой области спектра с использованием спектральных особенностей атмосферного излучения. Определение рассеивающих свойств и термодинамической температуры поверхностного слоя Земли, идентификации природных объектов.
статья, добавлен 30.10.2018Расчет настроек регулятора методом расширенных характеристик. Анализ каскадной системы автоматического управления, ее структурная схема. Контроль температуры технологического потока на выходе из теплообменного аппарата. Одноконтурная система управления.
курсовая работа, добавлен 12.03.2012Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Основные свойства полупроводников, распространённость в природе, применение. Механизм проведения электрического тока полупроводниками. Собственная и примесная фотопроводимости. Взаимодействие излучения с полупроводником. Использование в оптоэлектронике.
реферат, добавлен 13.01.2014Пример расчета температурной зависимости измерительной схемы на операционных усилителях в программе MathCAD14. Расчет усилительного каскада на операционных усилителях и факторы, влияющие на изменение полезного сигнала при изменении температуры среды.
статья, добавлен 27.02.2019Принцип действия и устройство автоматических потенциометров. Устройство и назначение трубки Вентури. Расчёт и выбор расходомеров и электронных мостов для измерения температуры. Технические и метрологические характеристики элементов измерительного канала.
курсовая работа, добавлен 13.07.2014Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016- 114. Основы автоматики
Устройство биметаллических датчиков температуры, их схемы, достоинства, недостатки и область применения. Сущность математического метода расчета и исследования АСУ, называемого преобразованием Лапласа. Принцип действия шаговых искателей прямого действия.
контрольная работа, добавлен 27.11.2017 Словесное описание работы программы, блок схемы алгоритмов программ и подпрограмм. Влияние примесей на свойства полупроводников, блок схема алгоритма программы. Введенные и рассчитанные значения, графики зависимости. Результаты работы программы в Mathcad.
курсовая работа, добавлен 31.05.2018Технические характеристики компонентов микроконтроллера, программатора и модуля радиосвязи. Проведение исследования датчика абсолютного давления, температуры и влажности BME280. Анализ разработки передающего устройства и схемы климатического блока.
дипломная работа, добавлен 24.08.2020Особенности построения микропроцессоров систем. Использование радиальной структуры для возможности организации параллельных потоков информации. Принципиальные схемы и режимы работы автоматических регуляторов уровня давления, скорости и температуры.
контрольная работа, добавлен 22.05.2020Особенность технологического процесса на станции. Определение автоматизированной системы управления технологическим процессом ТЭС. Автоматическая защита от понижения температуры пара. Контроль достоверности информации общестанционного назначения.
контрольная работа, добавлен 15.03.2012Определение погрешности коэффициента усиления при изменении напряжения сети и погрешности смещения нуля при колебаниях температуры. Определение погрешностей аналого-цифрового преобразователя. Алгебраическое суммирование коррелированных погрешностей.
контрольная работа, добавлен 07.05.2014Гетерогенный многосердцевинный световод с прямоугольным поперечным сечением. Потенциал применения фотоники и радиофотоники в радиосредствах СВЧ-диапазона. Фоточувствительные активные волоконные световоды для радиофотоники. Исследования полупроводников.
научная работа, добавлен 26.10.2015Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Принцип работы и функции регистрирующей аппаратуры: приборы для измерения давления и датчики давления, датчики температуры, приборы для измерения расхода жидкости, клапаны выдержки времени. Структура и назначение логико-вычислительной подсистемы.
презентация, добавлен 16.05.2015Определение геометрических размеров параболического зеркала. Выбор фидера. Определение шумовой температуры фидерного тракта и коэффициента полезного действия. Расчет диаметра раскрыва. Оптимизация геометрии антенны по максимальному отношению сигнал/шум.
курсовая работа, добавлен 12.02.2015Моделирование центробежного регулятора скорости. Измерение характеристик качества процесса регулирования. Исследование качества регулирования в зависимости от параметра. Определение частотных характеристик по анализу входного и выходного сигнала.
практическая работа, добавлен 27.05.2012Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022