Полевые транзисторы с изолированным затвором
Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
Подобные документы
Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.
контрольная работа, добавлен 28.12.2014- 77. Транзисторы
Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.
реферат, добавлен 27.06.2015 Построение электрического эквивалента нагрузки. Зависимость проводимости от частоты. Расчет квазиполосовой согласующей цепи. Коэффициент трансформации цепи. Величина полосовой добротности нагрузки. Потенциальные возможности оптимальной согласующей цепи.
контрольная работа, добавлен 23.11.2015Проектирование передающей ромбической антенны для магистральной связи. Протяженность радиолинии, проходящей в средних широтах. Действующая высота отражения слоя. Напряженность электрического поля. Диапазон рабочих частот. Параметры данного аппарата.
контрольная работа, добавлен 16.01.2014Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Характеристика принципа работы электромагнитного измерительного механизма с плоской катушкой. Увеличение мощности входного электрического сигнала - одна из основных функций биполярного транзистора. Расчет полного сопротивления цепи переменного тока.
контрольная работа, добавлен 05.03.2022Тип проводимости транзистора. Амплитудное значение входного напряжения. Внутреннее сопротивление источника. Нижняя и верхняя циклические частоты усиливаемого сигнала. Коэффициент частотных искажений амплитудно-частотных характеристик усилителя.
курсовая работа, добавлен 26.05.2012Эскизное проектирование усилителя. Методика определения амплитуды выходного напряжения и тока. Основные параметры резисторов и транзисторов. Порядок расчета относительного изменения тока коллектора. Коэффициент нелинейных искажений всего каскада.
курсовая работа, добавлен 10.06.2015Проектирование цифрового устройства для передачи сообщения через канал связи. Разработка задающего генератора, делителя частоты, преобразователя кода, согласующего устройства с каналом связи. Разработка схемы синхронизации и сброса, блока питания.
курсовая работа, добавлен 03.04.2016Навыки работы в автоматизированной среде Multisim 10. Разработка и исследование мультивибратора на биполярных транзисторах одной проводимости. Исследование компаратора на основе операционного усилителя. Разработка одновибратора в интегральном исполнении.
курсовая работа, добавлен 22.06.2012Схема петлевой якорной обмотки. Проверка максимальной индукции в минимальном сечении зубца для трапецеидального паза. Расчет удельной магнитной проводимости для потоков рассеяния секции обмотки. Определение расчетной электромагнитной мощности машины.
курсовая работа, добавлен 07.03.2015Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Исследование механизма внутренней электротермической деградации волоконно-оптического кабеля. Регистрация изменений проводимости внутренних компонентов ВОК, влияние воздействия переменного электромагнитного поля высокой напряжённости на их закономерность.
статья, добавлен 30.05.2017На основе численного решения гиперсингулярных интегральных уравнений определение распределения электрического поля в двух главных плоскостях однозеркальной антенны в ближней зоне смоделированого с помощью датчика в виде электрического вибратора.
статья, добавлен 04.11.2018Токи, протекающие по экрану, под влиянием магнитного поля значительно превосходят токи, наблюдаемые при экранировании электрического поля. Экранирование проводов и кабелей. Фильтрующие цепи. Экранирование высокочастотного магнитного поля. Вихревые токи.
реферат, добавлен 16.12.2008Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.
реферат, добавлен 16.06.2014Методы изготовления интегральных микросхем. Пентоды и их конструкции. Принцип работы МДП транзистора со встроенным каналом. Получение в кристалле многослойной структуры, воспроизводящей заданную электрическую схему, основные технологические процессы.
реферат, добавлен 29.03.2021Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Структура и топология МДП-транзистора. Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели и с учётом неоднородности ОПЗ под затвором. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы. Корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Комплектный тиристорный преобразователь постоянного тока. Высокие значения напряжённости электрического поля - причина возникновения дуги в вакууме благодаря автоэлектронной эмиссии. Изоляционный промежуток после гашения дуги и смыкания контактов ДУ.
отчет по практике, добавлен 20.03.2023Анализ общих тенденций, связанных с характером изменения амплитуды поля при перемещении точки наблюдения из дальней зоны в зону Френеля. Определение углового распределения электрического и магнитного полей на различных расстояниях от источника.
статья, добавлен 04.11.2018- 100. Использование фильтра Калмана в обработке данных хода напряженности электрического поля атмосферы
Применение цифровой обработки для улучшения качества данных, полученных с помощью сети датчиков измерения напряженности поля EFM550. Возможности калмановской фильтрации для уточнения данных приборных измерений напряженности электрического поля атмосферы.
статья, добавлен 30.07.2017