Изучение конструкций проводниковых и полупроводниковых терморезисторов
Особенности и статические характеристики проводниковых и полупроводниковых терморезисторов. Выходные унифицированные шкалы датчиков в соответствии с требованиями системы обеспечения качества. Чувствительность медных терморезисторов, влияние на объект.
Подобные документы
Разработка электротепловых моделей силовых полупроводниковых приборов (СПП) различных конструкций корпусов и моделей их группового соединения. Основные технические средства для определения электрических и тепловых параметров и характеристик СПП.
автореферат, добавлен 13.04.2018Характеристика электронных, полупроводниковых, магнитных, пневматических и гидравлических усилителей. Использование полупроводниковых диодов в качестве генераторных узлов. Резонансный усилитель на туннельном диоде в составе входного узла приемника.
реферат, добавлен 10.10.2012Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Корреляция между неоднородно распределенными в пространстве локализованными состояниями и особенностями спектра излучения в полупроводниковых эпитаксиальных структурах a3b5. Влияние миграции электронных возбуждений на формирование спектра люминесценции.
автореферат, добавлен 02.03.2018Датчик как первый элемент измерительного канала и основной источник электрического сигнала. Метрологические характеристики сенсоров. Виды погрешностей измерений. Градуировка датчиков, пределы их применения. Чувствительность и быстродействие датчиков.
реферат, добавлен 18.03.2013Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016Обзор электронных полупроводниковых приборов, используемых в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых, цифровых интегральных микросхем, применяемых в системах управления.
статья, добавлен 21.10.2016Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Ключевые задачи по проблемам хемосорбции молекул кислорода и воды на поверхности полупроводниковых оксидов металлов (ПОМ), их каталитической активности. Механизмы взаимодействия газов с ПОМ. Проблемы сенсорной диагностики, которые требуют решения.
автореферат, добавлен 02.03.2018Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Исследование электротепловых режимов силовых полупроводниковых приборов (СПП) при групповых соединениях с учетом взаимосвязи их электрических и тепловых параметров и характеристик. Разработка методов подбора и отбраковки СПП для групповых соединений.
автореферат, добавлен 31.01.2019Преобразователи на двойных электрических слоях. Типы асимметричных электродных систем. Преобразователи на полупроводниковых интегральных микросхемах. Чувствительность ДЭС к воздействию физических факторов. Биологические детекторы и их принцип работы.
контрольная работа, добавлен 24.01.2018Оптические характеристики объемных и наноразмерных кристаллов. Методы выращивания кристаллов и получение полупроводниковых монокристаллов. Устройство сцинтилляционного болометра. Оптическое поглощение селенида цинка в зависимости от атмосферы отжига.
курсовая работа, добавлен 19.11.2011Разработка новых способов преобразования параметров электромагнитных датчиков, обеспечивающих им необходимые быстродействие, чувствительность и точность. Обоснование программного обеспечения для виртуальных приборов, выполненных на основе сбора данных.
автореферат, добавлен 10.12.2013Разработка принципов работы, моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками малой мощности. Анализ выходных, переходных и температурных характеристик N-транзисторных оптронов.
автореферат, добавлен 02.08.2018Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.
методичка, добавлен 25.12.2012Практическая классификация проводниковых материалов. Основные параметры проводников. Удельное сопротивление при нормальной температуре. Удельные диэлектрические потери на постоянном напряжении. Определение проницаемости магнито-мягкого материала.
контрольная работа, добавлен 03.06.2018Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Выбор вида и системы освещения, осветительных приборов, напряжения электрической сети, источников и схем питания установки, вида проводки и проводниковых материалов. Общий расчет освещения и разработка электротехнической части осветительной установки.
курсовая работа, добавлен 05.09.2014Анализ современных солнечных элементов (СЭ) космического назначения как сложных наногетероструктурных приборов. Система контроля параметров эпитаксиального роста полупроводниковых наногетероструктур в технологическом процессе разработки и изготовления СЭ.
статья, добавлен 16.11.2018Систематизация силовых полупроводниковых преобразователей в соответствии с принципиальными особенностями схемы и функциональным назначением; с областью применения; с мощностью; с особенностями конструкции; со способом охлаждения. Способы охлаждения.
контрольная работа, добавлен 10.09.2012Электрические свойства кристаллов. Классическая электронная теория электропроводности металлов. Классификация проводниковых материалов. Электропроводность полупроводников, сверхпроводимость и ее природа. Специфика применения квантовой электроники.
реферат, добавлен 16.10.2013