Деградація квантових точок та зміна їхніх енергетичних спектрів у напівмагнітних напівпровідниках під дією опромінення
Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
Подобные документы
Вивчення електронного транспорту в одно- та двобар'єрних квантових гетероструктурах типу AlxGa1-xN/GaN. Дослідження фізичних явищ, що виникають в умовах сильних магнітних і електричних полів при кріогенних температурах, як особливостей переносу заряду.
автореферат, добавлен 20.07.2015- 27. Електронні процеси в опромінених діелектриках та властивості композицій, що містять ядерне паливо
Аналіз процесів, що відбуваються в діелектриках з високою густиною електронних станів під дією високих доз іонізуючого опромінення. Властивості композицій ядерного палива в активній фазі важкої техногенної аварії та їх подальша поведінка з плином часу.
автореферат, добавлен 27.08.2014 Дослідження сильнопольового та високочастотного транспорту у низькорозмірних структурах на основі сполук АIIIBV, зокрема нітридів. Характеристика переваг квантових ям на нітридних сполуках для реалізації сильноанізотропного розподілу електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Виявлення у фотогенерованій електронно-дірковій плазмі поздовжних термодифузійних автосолітонів. Вивчення поведінки і взаємодії. З'ясування механізму утворення доменів сильного поля і осциляцій струму. Дослідження інфрачервоного випромінювання електронів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Виникнення гальваномагнітних явищ, найважливішими з яких є ефект Холла. Здійснення перерозподілу електричних зарядів у напівпровіднику. Визначення середнього значення дрейфової швидкості носіїв потенціалу. Аналіз розсіювання на заряджених домішках.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Вплив нейтронного опромінення на параметри вирощених мікрокристалів та реальний склад твердого розчину GaxIn1-xAs, для якого зміна вимірів під дією випускання є мінімальною. Розрахунки ширини забороненої зони для досліджуваних мікрокристалічних речовин.
статья, добавлен 29.01.2016Особливості зонної структури деформованих нанодротів InР різного діаметру. Вигин квантових дротів. Локальні мінімуми у зоні провідності та валентній зоні. Процес керування часом життя фотозбуджених носіїв заряду шляхом їх утримання на цих мінімумах.
статья, добавлен 23.12.2016Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Дослідження перехідних теплових процесів у напівпровідниках та діелектриках. Розв’язки рівнянь балансу енергії для електронів та фононів. Встановлення особливостей температурних розподілів. Перенос теплового імпульсу через твердотільні середовища.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC. Розщеплення низькочастотної та високочастотної областей прозорості.
автореферат, добавлен 23.02.2014Дослідження природи хімічного зв’язку Si–Al при входженні кремнію в решітку за допомогою ab initio розрахунків. Взаємозв’язок квантово-хімічних параметрів і термодинамічних характеристик системи Si–Al. Утворення кластерів під дією нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка системи кінетичних рівнянь заселеностей електронних рівнів для опису фотоіндукованих фазових перетворень в органічних кристалах. Оцінка розподілу густини екситонів у подвійних квантових ямах у зовнішньому неоднорідному електричному полі.
автореферат, добавлен 28.08.2015Історія отримання золота, його властивості та застосування в промисловості. Розподіл поля та заряду в об’ємі Bi12SiO20. Залежність розподілу поля та заряду від координат. Нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду. Кількість та густина заряду.
курсовая работа, добавлен 18.11.2014Дослідження формування і поширення електронних та фононних теплових хвиль у сильно поглинаючих напівпровідниках. Дослідження фази та амплітуди термоелектричних відгуків на нерівноважну електронну температуру в фототермічних процесах у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 07.03.2014Система фазових переходів у квантових ротаторах. Вивчення магнітних i квантових молекулярних кріокристалів. Оцінка термодинамічних реакцій твердого водню під високими тисками. Орієнтаційне плавлення магнітних i квантових молекулярних кріокристалів.
автореферат, добавлен 31.01.2014Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Перебудова електронних рівнів з дислокаціями. Перерозподіл електронної густини в широкозонних легованих напівпровідниках з дислокаціями. Зміни випрямних властивостей дислокаційного бар’єру під впливом самоузгодженого електрон-деформаційного зв’язку.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження довгочасової кінетики фотолюмінесценції у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах і квантових точках. Визначення фосфоресценції, аномально малої величини бекерелевого показника згасання, немонотонності температурної залежності.
автореферат, добавлен 30.10.2015Розгляд теорії енергетичного спектру електрона та сили осциляторів квантових електронних переходів між енергетичними рівнями цієї наноструктури. Корегування робочої частоти випромінювання квантового каскадного лазера, що працюють на квантових переходах.
статья, добавлен 29.09.2016Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Розробка моделі для опису міграції електронних збуджень у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах (КД) і квантових точках (КТ), яка б з єдиних позицій пояснювала природу виявлених експериментально особливостей кінетики згасання ФЛ.
автореферат, добавлен 27.08.2014Побудова гамільтоніан електрона, рух якого обмежений потенціалом квантової точки або кільця. Розрахунки впливу спін-орбітальної і електрон-електронної взаємодії на магнітні властивості квантових точок. Визначення температурних залежностей намагніченості.
автореферат, добавлен 25.07.2015Дослідження ефектів магнітопружного зв'язку в квантових магнетиках. Показано, що виникнення ненульового магнітного моменту зв'язано з появою магнітопружної щілини в спектрі квазімагнонів. Проведено оцінку температури Кюрі для досліджуваних систем.
автореферат, добавлен 27.07.2014