Полупроводниковые приборы

Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.

Подобные документы

  • Принципиальная схема и принцип действия автономного инвертора напряжения резонансного типа. Расчет транзисторов, выбор дросселя и емкости, расчет понижающего трансформатора напряжения. Проведен анализ выбранных схемных решений по защите и управлению.

    курсовая работа, добавлен 12.06.2018

  • Изменение напряжения на стоке для обеспечения управления сопротивлением канала в тех же пределах, что и в случае подачи управляющего напряжения на затвор. Статические характеристики полевого транзистора. Характеристика и работа пентодного режима.

    реферат, добавлен 19.02.2011

  • Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Применение современных полупроводниковых вентилей. Сравнение результатов математического моделирования и экспериментальных данных работы зависимого инвертора напряжения на асинхронизированный вентильный электродвигатель на базе инвертора напряжения.

    статья, добавлен 28.01.2020

  • Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.

    статья, добавлен 04.01.2021

  • Полупроводники как особый класс кристаллов со многими физическими свойствами, отличающими их как от металлов, так и от диэлектриков. Принципы функционирования электрического тока в них. Полупроводниковые приборы: типы, принципы действия, назначение.

    реферат, добавлен 07.05.2014

  • Загальна характеристика схеми для побудови вхідної характеристики біполярного транзистора. Розгляд способів визначення частотної залежності струму колектора. Знайомство зі способами побудови статичної прохідної характеристики біполярного транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 19.11.2015

  • Создание однокаскадной модели кремниевого солнечного элемента на основе гомогенного p-n перехода в среде моделирования фотоэлектрических устройств. Оценка влияния уровня легирования и толщины n+-слоя на вольт-амперные характеристики и КПД элементов.

    статья, добавлен 30.07.2017

  • Изучение связи мощности в нагрузке с напряжениями питания. Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Максимальная амплитуда переменного напряжения на нагрузке у полумостового каскада. Смещение входных характеристик транзисторов.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Влияние магнитных и электростатических полей на "водный мостик", его нейтронография и рентгенография. Описание изменений в спектре воды, связанные с наличием в ней неорганических растворимых веществ. Вольт-амперные характеристики "водный мостик".

    диссертация, добавлен 28.10.2018

  • Инвертор с внешним возбуждением, его внутренняя структура и главные элементы, функциональные особенности, оценка преимуществ и недостатков. Схема дифференциального инвертора и принципы управления им, расчет основных элементов и параметров работы.

    контрольная работа, добавлен 08.09.2013

  • Исследование вольт-амперной характеристики твердых оксидных суперионных проводников при высоких температурах и плотностях постоянного тока. Переходные характеристики реального кислородного насоса. Приборы и устройства для исследования структуры слоев.

    дипломная работа, добавлен 23.06.2017

  • Исследование коммутационных показателей газовых разрядников быстрых ступеней LTD с масляной изоляцией. Определение предельных возможностей по снижению длительности выходного импульса быстрых ступеней LTD. Вольт-амперные характеристики коронного разряда.

    автореферат, добавлен 29.10.2018

  • Полевые транзисторы, их отличия от биполярных по величине входного сопротивления. Типовые передаточные характеристики основных видов полевых транзисторов. Преимущества усилительных каскадов. Крутизна проходной характеристики, напряжение отсечки.

    реферат, добавлен 28.12.2014

  • Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.

    лекция, добавлен 23.09.2017

  • Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.

    контрольная работа, добавлен 20.09.2014

  • Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.

    реферат, добавлен 27.06.2015

  • Рассмотрение принципов скалярного регулирования, структуры пятиканального инвертора, а также способ управления пятиканальным инвертором с помощью метода двойной последовательности нулевых напряжений. Возможность использования пятиканального инвертора.

    статья, добавлен 27.07.2017

  • Насыщенность помещения светом. Светильники общего освещения. Распределение яркостей в помещении. Осветительные приборы экспозиционного освещения. Принцип действия разрядных ламп высокого давления. Полупроводниковые светоизлучающие приборы.

    реферат, добавлен 08.06.2015

  • Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.

    лекция, добавлен 23.06.2013

  • Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.

    контрольная работа, добавлен 23.03.2022

  • Рассмотрение графика одномерной функции плотности вероятности мгновенных значений. Изучение уравнения энергетического спектра гауссовского стационарного процесса. Анализ вольт-амперной характеристики биполярного транзистора амплитудного модулятора.

    контрольная работа, добавлен 25.09.2016

  • Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.

    контрольная работа, добавлен 15.01.2016

  • Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.

    реферат, добавлен 16.05.2016

  • Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.

    шпаргалка, добавлен 10.02.2017

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.