Центри люмінесценції і центри захоплення в кристалічних системах галоїдних сполук кадмію і свинцю
Експериментальне дослідження структур центрів люмінесценції і центрів захоплення в кристалічних системах, що складаються з галоїдних сполук кадмію і свинцю. Розрахунки спектрів поглинання кристалічних систем, складених з галоїдних сполук кадмію і свинцю.
Подобные документы
Дослідження впливу pН розчину на формування нанокристалів сульфіду кадмію та їхній розмір у процесі синтезу. Залежність розміру нанокристалів сульфіду кадмію, отриманих за допомогою золь-гель технології в желатиновому розчині, від значення pН середовища.
статья, добавлен 07.12.2016- 27. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження зсуву Найта і форми резонансних спектрів у телуридах свинцю-олова залежно від концентрації носіїв струму. Ознайомлення з особливостями розробленої методик детектування у напівпровідникових матеріалах з високою електричною провідністю.
автореферат, добавлен 26.08.2014 Закономірності процесів пороутворення у характерних аморфних і кристалічних конденсатах та композиційних системах у залежності від фізичних умов їх формування. Еволюція пористих структур у конденсатах і композиційних системах під дією зовнішніх чинників.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження процесів дефектоутворення та їх впливу на структуру та електричні властивості плівок селеніду свинцю. Характеристика механізмів фізичних процесів, що мають місце при вирощуванні плівок. Моделі атомних дефектів у тонких плівках селеніду свинцю.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 30. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014 Фізико-технічні аспекти феномену спадковості станів в кристалічних сполуках AIIBVI. Дослідження оптичних, діелектричних, акустичних і теплових властивостей цих кристалів. Використання системного підходу до дослідження метастабільних станів сполук.
автореферат, добавлен 24.06.2014Структура кристалів твердих сполук на основі сульфіду цинку з різноманітними активаторами. Енергетичний спектр фоточутливих парамагнітних центрів у забороненій зоні твердих сполук. Механізм рекомбінації носіїв заряду, що належить видимій області спектра.
автореферат, добавлен 27.02.2014Розгляд підходу до спектроскопії свинцевих активаторних центрів у лужно-галоїдних кристалах. Опис методики створення монокристалів та дослідження їх люмінесцентно-кінетичних властивостей. Аналіз впливу квантово-розмірного ефекту на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 29.04.2014Визначення характеру взаємодії та фазової рівноваги компонентів в потрійних системах Y – {Al, Si, Ge} – Ga. Кристалічна структура, магнітні та електричні властивості синтезованих потрійних сполук. Ізотермічні перерізи діаграм стану досліджуваних систем.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження впливу міжфазових поверхневих процесів на люмінесценцію нанокристалів сульфіду кадмію. Вплив вологості повітря на рекомбінаційні процеси в нанокристалах. Ефект фотостимуляції короткохвильової смуги випромінювання з довжиною хвилі 480 нм.
статья, добавлен 07.12.2016Виявлення оптимального методу створення гетеропереходів в системі сульфід-телурид кадмію на основі низькоомних монокристалів CdS. Дослідження електричних, фотоелектричних та дозиметричних характеристик структур у залежності від технології їх виготовлення.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка обладнання люмінесцентної мікроспектроскопії, що дозволяє отримувати спектри люмінесценції і загасання люмінесценції від J-агрегату. Отримання спектрів люмінесценції окремих J-агрегатів за допомогою методів одномолекулярної спектроскопії.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014- 39. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Суть методу термічного висвічування. Розробка установки для дослідження термолюмінесценції, що дозволяє визначати кінетичні параметри центрів локалізації носіїв заряду, центрів рекомбінації, їх енергетичні характеристики. Опис експериментальної установки.
статья, добавлен 29.09.2016Оптимізація процесів парофазного вирощування методом ХТР структурно досконалих монокристалів телуридів кадмію та цинку, створення структур з БШ для одержання фізичної інформації про поверхню вирощених монокристалів, розробка фізичних основ приладів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Аналіз змін оптичних властивостей анізотропних тіл, індукованих зовнішніми полями. Визначення параметрів кристалів довільних класів симетрії. Знаходження оптимальних геометрій кристалічних матеріалів з метою застосування в твердотільній оптоелектроніці.
автореферат, добавлен 24.08.2015Основна характеристика впливу анізотропії і спінового розщеплення зон на тонку структуру оптичного спектра поглинання за рахунок конкретної симетрії кристалічних структур. Аналіз головних особливостей кутової залежності коефіцієнта вбирання ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Поняття та фізичне обґрунтування явища люмінесценції як випромінювання, що представляє собою надлишок над тепловим випромінюванням, його загальна характеристика та головні етапи дослідження. Огляд законів люмінесценції, а також їх зміст та значення.
реферат, добавлен 28.05.2021Встановлення фізичних механізмів низькотемпературної пластичної деформації ряду нових кристалічних матеріалів. Виявлення особливостей поведінки (аномалій) їх механічних характеристик, обумовлених перебудовами атомно-кристалічної та електронної структури.
автореферат, добавлен 29.04.2014Одержання спектрів електронного парамагнітного резонансу та подвійного електронно-ядерного резонансу домішкових центрів та їх комплексів. Розшифровка та опис спектрів, визначення радіоспектроскопічних параметрів. Вплив домішок на фононні спектри.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 47. Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями
Встановлення природи, локальної структури та загальних закономірностей утворення різних дефектних станів в ряді кристалічних оксидних матеріалах зі структурою шеєліта та перовскіта. Вплив цих дефектів на електро-фізичні властивості даних матеріалів.
автореферат, добавлен 01.08.2014 Особливість дослідження розрахунковими методами процесів рафінування кадмію, цинку і телуру дистиляцією у вакуумі. Аналіз способів визначення рівноважних і граничних коефіцієнтів розподілення домішок у металах при їхній спрямованій кристалізації.
автореферат, добавлен 28.08.2015Закономірності і механізми фотофізичних процесів, що відбуваються в молекулярних системах за участю триплетних станів: бензофенона в різних структурних модифікаціях, нафталіна та домішок на їх основі. Властивості екситонів в кристалічних різновидах.
автореферат, добавлен 28.08.2014Експериментальні дослідження впливу свинцю на структурні, електричні та рекомбінаційні параметри n-Si і термічне та радіаційне дефектоутворення в ньому. Вплив вуглецю на процеси утворення ТД-І, ТД-ІІ і розпад пересиченого твердого розчину кисню.
автореферат, добавлен 12.08.2014