До розподілу Вагнера-Венгреновича
Дослідження процесу оствальдівського дозрівання нанокластерів або нанокристалів, коли їх ріст контролюється одночасно дифузією вздовж дислокаційних трубок і швидкістю утворення хімічних зв’язків на поверхні нанокристалів (вагнерівський механізм росту).
Подобные документы
Дослідження взаємодії із поверхнею твердого тіла іонів низьких енергій. Пошук нових систем газ-тверде тіло, ефективних при збудженні частинками низьких енергій. Аналіз нетрадиційних способів одержання люмінофорів при поверхневих способах збудження.
автореферат, добавлен 14.07.2015- 102. Енергорушійна установка для космічного апарату дистанційного геофізичного дослідження поверхні Землі
Розрахунок балістичних параметрів орбіти КЛА, необхідних тягових параметрів рушійної установки, основних параметрів СПД та розробка енергоустановки. Вибір та обґрунтування способу отримання заготовки. Розробка маршрутного технологічного процесу.
дипломная работа, добавлен 18.12.2012 Спостереження за процесом росту кристалу в перенасичених водних розчинах різних речовин. Процес кристалізації в воді. Вимірювання швидкості росту кристальної решітки. Розрахунок відношення приросту грані кристалу до часу, за який відбувся цей процес.
лабораторная работа, добавлен 23.07.2017Особливості розподілу на умовній робочій поверхні прямої складової коефіцієнта природного освітлення при оптимальному проектуванні зенітного освітлення будинків. Конструктивні параметри зенітних ліхтарів, виходячи із умов їх ефективного використання.
автореферат, добавлен 27.08.2013Аналіз фізичних чинників, що впливають на результати натурних інфрачервоних радіометричних вимірювань теплового випромінювання в системі море-атмосфера. Розроблення вимірювальних методик характеристик морської поверхні з необхідними рівнями точності.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження та аналіз системи сингулярних інтегральних рівнянь для задач дослідження збуреного напруженого стану ізотропних оболонок з тріщинами різної довжини (наскрізних, поверхневих і внутрішніх), орієнтованими вздовж обох ліній головних кривин.
автореферат, добавлен 26.07.2014Складення диференціальних рівнянь руху матеріального предмету по внутрішній поверхні вертикального циліндра, який обертається навколо своєї осі. Розв’язання цих рівнянь чисельними методами. Визначення відносних швидкостей та траєкторії частинки.
статья, добавлен 30.01.2017Молекулярна теорія роботи виходу атомів з плоскої поверхні простої діелектричної рідини в газ. Взаємозв’язок роботи виходу атомів з поверхні простої рідини та критеріїв стійкості рідини. Мікроскопічна теорія поверхневої енергії крапель металічних рідин.
автореферат, добавлен 27.08.2014Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Залежність ефективності іммобілізації олігонуклеотидів на поверхні наночастинок золота, стабілізованих цитрат-іонами, від іонної сили середовища, температури та часу іммобілізації. Головні процеси, що проходять при підвищенні іонної сили середовища.
статья, добавлен 29.07.2016Проблема відтворення рельєфу та структурних параметрів поверхні твердого тіла методами рефлектометрії, що базуються на явищі повного зовнішнього відбивання Х-променів. Вплив параметрів рельєфу і обробки поверхні на інтегральні та диференційні криві ПЗВ.
автореферат, добавлен 28.06.2014Дослідження механізму генерації центрів забарвлення в кристалах BaCl2-Pb за умови існування в кристалах автолокалізованих дірок (VK-центрів) у моделі лінійного кристала. Кінетика утворення та граничні концентрації в кристалі. Сумарне забарвлення кристала.
статья, добавлен 30.07.2016Вплив умов кристалізації на атомну будову поверхонь кристалів. Фактори, що впливають на рельєф плівок при рідкофазній епітаксії. Роль адсорбційних процесів при рості кристалів. Характеристика механізму утворення плівок шляхом конденсації з газової фази.
автореферат, добавлен 27.08.2015Методи рішення вісісиметричних і плоских крайових задач теорії пружності для різних моделей неоднорідних середовищ. Чисельні дослідження з метою установлення фізико-механічних закономірностей напружено-деформівного стану границі розподілу середовищ.
автореферат, добавлен 27.07.2014Комплексне дослідження впливу температури підкладки, знаку та величини потенціалу зсуву, прикладеного до підкладки при осадженні, на структуру, склад та морфологію покриттів, що конденсуються. Процес росту покриттів на основі диборидів танталу та гафнію.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження структури та електрофізичних властивостей об'ємних монокристалів кремнію і кремнієвих композицій. Комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізму утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.
автореферат, добавлен 25.04.2014Виявлення впливу легування Si, Si та N, Si і C на розподіл хімічних елементів в аустеніті та фазовий склад у сплавах на основі системи Fe-Mn. Встановлення закономірних зв’язків між змінами у розподілі компонент сплавів, фазовим складом та морфології фаз.
автореферат, добавлен 29.07.2014Аналіз розподілу електричного поля типових моделей краю обкладки. Визначення чинників і ступеню їх впливу на характер розподілу поля. Дослідження механізму руйнування конденсаторної ізоляції в широкому діапазоні зміни робочих напруженостей поля.
автореферат, добавлен 11.11.2013Розрахунок поверхні Фермі двох металів: натрію і магнію. Обчислення енергії Фермі цих металів, швидкість електронів на поверхні, хвильовий вектор поверхні Фермі. Графіки залежностей енергії Фермі від кількості валентних електронів та від об’єму порожнеч.
курсовая работа, добавлен 01.09.2015Модель, що описує кінетику росту фізично малої і довгої втомних тріщин та дозволяє розраховувати швидкість їх росту під час регулярного навантаження за даними про статичні характеристики механічних властивостей та про мікроструктуру вихідного матеріалу.
статья, добавлен 29.11.2016Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Аналіз водневих зв’язків та стану складної сполуки в клітині. Сутність молекули Н2О в трьох агрегатних станах. Роль води в енергетичних та хімічних процесах організму. Фізико-хімічні властивості безбарвної прозорої рідини. Колообіг розчинника в природі.
реферат, добавлен 04.12.2014Теоретичне дослідження процесу міграції міжвузлових атомів, вакансій у матеріалі в умовах неоднорідного опромінення високоенергетичними частинками. Вивчення різних процесів утворення макроскопічних дефектів на початкових стадіях і в стаціонарному випадку.
статья, добавлен 19.09.2013- 125. Процеси парних зіткнень повільних електронів, іонів та збуджених атомів з атомами та молекулами
Встановлення закономірностей процесу утворення атомів та молекул у метастабільних станах при їх взаємодії з електронами та іонами низьких енергій. Дослідження явища ізотопного ефекту при однократній та дисоціативній іонізації молекул електронним ударом.
автореферат, добавлен 22.07.2014