Механизмы создания анионных френкелевских дефектов в экситонной области и в области межзонных переходов щелочногалоидных кристаллов
Изучение оптических характеристик собственных электронных возбуждений с целью оценки величины оптического барьера для автолокализации экситонов. Анализ температурной зависимости интенсивности свечения автолокализованных экситонов, величина барьеров.
Подобные документы
Исследование акустическим методом релаксационных и динамических свойств нематических и смектических жидких кристаллов в области низких ультразвуковых частот, в статических магнитных полях при изменяющейся температуре, включая области фазовых превращений.
автореферат, добавлен 01.04.2018Использование межконфигурационных переходов трехвалентных лантаноидов, активированных в широкозонные диэлектрические кристаллы. Изучение оптических и лазерных свойств кристалла, обладающего наибольшей шириной запрещенной зоны среди известных материалов.
автореферат, добавлен 02.03.2018Основное уравнение термодинамики и уравнение состояния системы. Особенности термодинамического потенциала кристалла при заданных отклонениях от симметричного состояния. Расчет температурной зависимости параметра порядка и зависимости энтропии кристалла.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Влияние радиационного облучения на изменение термодинамических свойств конденсированных систем. Свойства облучаемого вещества, скорость генерации и релаксации радиационных возбуждений. Индуцированное изменение условий растворимости твердых тел в жидкости.
статья, добавлен 07.10.2013Понятие, отличительные черты и области применения сегнетоэлектриков. Описание процесса выращивания кристаллов перовскита алюмината церия методами Чохральского и Степанова. Исследование дефектной структуры кристаллов и изучение методов ее наблюдения.
курсовая работа, добавлен 06.08.2017Методы и приборы для получения качественных характеристик фотонных кристаллов. Полуконтактный, бесконтактный и контактный режим работы атомно-силового микроскопа. Принцип действия конфокального микроскопа. Формирование электронно-оптических изображений.
курсовая работа, добавлен 06.10.2017Устройство и сравнение полимерной солнечной батареи с кремниевыми батареями. Полупроводники на основе графена и графена оксида. Комплекс переноса заряда, транспорт электронов. Эффективность диссоциации экситонов. Оптимальная морфология фотоактивного слоя.
реферат, добавлен 10.12.2019Результаты применения программы по автоматической замене марок бесцветного оптического стекла на марки из заранее определённого ограниченного перечня. Представление характеристик некоторых оптических систем, разработанных с применением указанного метода.
статья, добавлен 07.12.2018Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Рассмотрение анализа и синтеза схемных решений аппаратуры для оценки качества оптического изображения и измерения его характеристик. Предпосылки компьютерного моделирования и типовые узлы приборов. Применение компьютеров в оптическом приборостроении.
учебное пособие, добавлен 26.03.2011Расчет оптических характеристик наночастиц и пленок вольфрама в диапазоне от 475 нм до 650 нм. Характеристика эксклюзивных возможностей использования наночастиц в оптических системах. Оценка максимальных коэффициентов эффективности поглощения наночастиц.
статья, добавлен 19.12.2017Знакомство с технологиями создания кристаллов с заданным взаимным расположением молекул. История зарождения концепции инженерии кристаллов, ее связь с супрамолекулярной химией. Методы конструирования кристаллов с желаемыми структурой и свойствами.
презентация, добавлен 13.02.2017Основные представления о свойствах первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах. Методика квантово-химических расчетов. Моделирование создания Френкелевских дефектов. Характеристики F-центров окраски ЩГК в основном и возбужденном состоянии.
дипломная работа, добавлен 09.05.2011Оценка основных условий образования бозе-конденсата из триплетных экситонов высокой плотности. Исследование особенностей спиновой поляризации на поверхности ферромагнитных металлов и диэлектрических прослойках мультислойных ферромагнитных структур.
автореферат, добавлен 02.03.2018Проведение численного алгоритма для исследования двумерных волноведущих систем. Использование метода конечных разностей во временной области, TS/SF и идеального согласованного слоя. Изучение двумерных фотонных кристаллов и основанных на них устройств.
статья, добавлен 06.11.2018Результаты динамической теории рассеяния рентгеновских лучей для кристаллов со случайно распределенными дефектами. Диффузное рассеяние на кристаллах с дефектами. Методы исследования дифракционных характеристик структурного совершенства кристаллов.
лекция, добавлен 21.03.2014Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Информация об оптических иллюзиях, которые встречаются в нашей повседневной жизни. Описание основных причин и объяснений возникновения иллюзий. История оптических иллюзий. Место оптических иллюзий в живописи. Применить знания в области законов оптики.
статья, добавлен 12.03.2019Обсуждаются условия помещения одиночных атомов или ионов в дефекты фотонных кристаллов, в которых с помощью локальных полей атомы удерживаются от взаимодействия с поверхностью твердых тел. Использование фотонных кристаллов в качестве матрицы для атомов.
статья, добавлен 19.06.2018Расчет температурной зависимости проводимости Gep-типа при заданных условиях. Время релаксации при рассеянии на ионах примеси. Взаимодействие электрона с колебаниями решетки. Температурная зависимость подвижности электронов с учетом рассеяния на фононах.
курсовая работа, добавлен 30.05.2016Принципы теории фазовых переходов Ландау. Определение критических линий, ограничивающих область метастабильных состояний, путем использования теории фазовых переходов Ландау (на примере классического spin-flop перехода в легкоосных антиферромагнетиках).
статья, добавлен 27.12.2016- 48. Диагностика волоконно-оптических линий передачи и подготовка оптических разъемов к использованию
Рассмотрение вопросов диагностики волоконно-оптических линий передачи на предмет выявления разрывов, сколов, загрязнений и других дефектов. Рассмотрение подготовки оптических разъемов к эксплуатации и возможные последствия в случае их загрязнения.
статья, добавлен 02.08.2020 Характеристика температурной зависимости компонент тензора диэлектрической проницаемости для титаната бария. Определение точки Кюри. Анализ влияния поля на переход между тетрагональной и ромбической фазами в многоосных сегнетоэлектрических кристаллах.
контрольная работа, добавлен 08.09.2015Основные кристаллофизические свойства слоистых дисульфидов переходных металлов. Получение и основные электрофизические свойства монокристаллов дисульфидов вольфрама и молибдена. Квантовая эффективность излучательной рекомбинации связанных экситонов.
диссертация, добавлен 25.11.2013