Эффект туннелирования в электронике

Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.

Подобные документы

  • Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.

    курсовая работа, добавлен 29.08.2015

  • Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.

    реферат, добавлен 21.09.2018

  • Диоды с накоплением заряда. Полупроводниковые электронные приборы. Применение полупроводниковых стабилитронов. Квантово-механический процесс, позволяющий электронам проходить сквозь потенциальный барьер. Распределение концентрации примесей в диодах.

    курсовая работа, добавлен 19.12.2013

  • Рассмотрение содержания эффекта Оже и глубины выхода оже-электронов. Реализация метода оже-спектроскопии и регистрация оже-электронов. Энергоанализаторы оже-электронов. Основное уравнение и количественная оже-спектроскопия. Применение оже-спектроскопии.

    реферат, добавлен 01.05.2020

  • Сверхпроводимость, ферромагнетизм и эффект Андреевского отражения. Применение гибридных структур в устройствах памяти. Вольт-амперные характеристики и плотности состояний SIFS-контакта. Рассчет зависисмости критического тока от толщины F-слоя в контакте.

    дипломная работа, добавлен 15.09.2018

  • Сущность туннельного эффекта. Проявление эффекта в неоднородных структурах. Использование в различных устройствах микроэлектроники: контакт металл-металл, структура металл-диэлектрик-металл, токоперенос в тонких плёнках, туннельный пробой в p-n-переходе.

    курсовая работа, добавлен 19.07.2010

  • Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.

    курсовая работа, добавлен 11.01.2016

  • Исследование прохождения радиосигнала через двухслойную стенку типового помещения: офиса, квартиры, склада. Зависимость затухания электромагнитной волны от угла падения на преграду. Изменения направления электромагнитной волны на границе двух сред.

    статья, добавлен 29.01.2016

  • Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.

    контрольная работа, добавлен 17.10.2011

  • Измерение степени затухания сверхширокополосных сигналов при прохождении через стены и межэтажные перекрытия современных зданий. Исследование параметров затухания сверхширокополосных непрерывных хаотических сигналов в условиях современных зданий.

    статья, добавлен 30.10.2018

  • Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.

    лекция, добавлен 26.10.2013

  • Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Разработка алгоритма приближенного моделирования скрытых фрагментов инверсионно-хронопотенциометрического процесса совместного измерения массовой концентрации двух тяжелых металлов, позволяющий осуществить приближенное разделение массовой концентрации.

    статья, добавлен 23.06.2016

  • Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.

    контрольная работа, добавлен 17.10.2013

  • Основные преимущества гибридных интегральных микросхем. Толстые и тонкие пленки, их роль в современной технике и технологии получения. Методы термического испарения и ионного распыления, их характеристика. Области применения тонких и толстых плёнок.

    курсовая работа, добавлен 31.05.2012

  • Практическое использование магнетронов - электровакуумных приборов для генерации радиоволн сверхвысокой частоты, в электронике и радиотехнике, в радиолокационных станциях, для высокочастотного нагрева пищи и металлов, для ускорения заряженных частиц.

    статья, добавлен 25.02.2019

  • Обзор сегодняшнего состояния и перспективы в области наноматериалов и нанотехнологий. Применение квантовых наноструктур в электронике. Исследование направлений развития основных наноинженерных подходов в переходный период от микро – к наноэлектронике.

    статья, добавлен 29.07.2018

  • Схематическое изображение туннельного диода, в котором при приложении напряжения в прямом направлении, туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Функции и работа стабилизаторов напряжения.

    реферат, добавлен 17.03.2016

  • Влияние технологических факторов на перенос растрового изображения с копировальной формы на печатную, возникновение дефектов печати. Плотность контакта фотоформы с формной пластиной, влияние излучения на фотозатвердевающий и фотодеструкционный слои.

    реферат, добавлен 17.03.2011

  • Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.

    реферат, добавлен 07.06.2010

  • Рассмотрение сущности метода уменьшения погрешности, связанной с задержкой навигационного сигнала при прохождении от космического аппарата до навигационной аппаратуры потребителя через ионосферу Земли. Оценка начального значения ионосферной задержки.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Виртуальные частные сети для безопасного туннелирования через любые сети и осуществления маршрутизации между локальными сетями. Протоколы для шифрования трафика. Реализация требований к частным и корпоративным сетям, создаваемым по технологии VPN.

    статья, добавлен 02.02.2019

  • Этапы развития методов исследования состава, структуры материалов микроэлектроники. Рассмотрение истории развития атомно-силовой микроскопии. Волновые функции электронов в атоме. Современная сканирующая туннельная микроскопия материалов микроэлектроники.

    доклад, добавлен 22.12.2019

  • Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.

    учебное пособие, добавлен 05.12.2016

  • Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.

    реферат, добавлен 24.11.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.