Роль домішкових іонів CO3 у процесах утворення центрів свічення і центрів забарвлення в кристалах йодиду цезію
Оцінка ролі іонів у радіаційно-стимульованих процесах в сцинтиляційних кристалах CsI, CsI(Na) і CsI(Tl). Процеси радіаційного дефектоутворення в напівпровідниках. Утворення центрів свічення та центрів забарвлення в сцинтиляційних кристалах йодиду цезію.
Подобные документы
Переріз захоплення сонячних нейтрино на різних ядрах. Фонові характеристики сцинтиляційних кристалів CdWO4 та 116CdWO. Параметри бета-розпаду 113Cd. Розробка детектора сонячних нейтрино низьких енергій на основі сцинтиляційних кристалів 116CdWO.
автореферат, добавлен 14.09.2014Розробка методів інженерії нової фізичної ідеї в принципах утворення позиційної чутливості в довгомірних сцинтиляційних детекторах. Пошук оптимальних умов збирання світла в детекторах. Огляд методів контролю структурної та оптичної якостей кристалів.
автореферат, добавлен 26.02.2015- 103. Процеси парних зіткнень повільних електронів, іонів та збуджених атомів з атомами та молекулами
Встановлення закономірностей процесу утворення атомів та молекул у метастабільних станах при їх взаємодії з електронами та іонами низьких енергій. Дослідження явища ізотопного ефекту при однократній та дисоціативній іонізації молекул електронним ударом.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Процеси генерації, розсіювання і розповсюдження хвиль намагніченості в матеріалах (що містять дислокації, дефекти анізотропії) та у магнонних кристалах (матеріалах з періодичною модуляцією параметрів). Кінетика магнітних неоднорідностей в надпровідниках.
автореферат, добавлен 27.08.2014Вимір профілів імплантації іонів 4He у Ni в області енергій, що відповідає максимуму гальмівної здатності іонів He. Опис спектру дворазового пружного розсіювання швидких легких іонів. Вибір методики вимірювання концентраційних профілів ізотопів кисню.
автореферат, добавлен 27.02.2014Розрахунок конфігурацій вакансійного дефекту на поверхнях Si(100)-2Ч1 і Ge(100)-2Ч1 при різному ступені покриття поверхні воднем. Встановлення механізмів адсорбції і десорбції атомів водню на поверхнях. З’ясування ролі поверхневих дефектів у цих процесах.
автореферат, добавлен 23.08.2014Роль речовин, розташованих на поверхні кремнієвих кристалітів, у процесах збудження червоної смуги фотолюмінесценції (ФЛ). Вплив морфології пористих шарів на процеси збудження ФЛ. Хімічний склад пористих шарів та його впливу на процеси збудження.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження особливостей дефектоутворення в кремнії внаслідок дії опромінення швидкими електронами за наявності ізовалентних домішок олова та вуглецю, які створюють локальні деформації протилежного знаку. Описання процесів радіаційного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження особливостей збудження іонів індію повільними електронами. Визначення впливу релятивістських і резонансних ефектів на механізми збудження. Аналіз ефективних перерізів електронного збудження спектральних ліній іонів у межах підгрупи алюмінію.
автореферат, добавлен 29.09.2014Механізм заповнення молекулами води гідратно-активних центрів природних ДНК. Модельні двоспіральні полінуклеотиди. Оцінка внесків різних типів взаємодій у загальну енергію стабілізації спіральних структур. Вплив низьких температур на гідратну оболонку.
автореферат, добавлен 10.01.2014Дослідження електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe. Вивчення та аналіз електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм.
автореферат, добавлен 06.07.2014Встановлення особливостей сольватації іонів в об'ємі рідини та причини адсорбції іонів на поверхні електродів. Розробка методів визначення структури і параметрів подвійного електричного шару. Аналіз механізму обміну електронами між електродом та іонами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Характеристика процесів електрон-іонних зіткнень для багатозарядних іонів у зовнішньому електричному полі будь-якої сили, використання непертурбативного метода розрахунку сил Ne-подібних іонів. Релятивістський опис розподілу електронів континуума.
автореферат, добавлен 24.07.2014Дослідження нелінійних процесів в плазмовій лінзі, яка використовується як пристрій, що керує пучками іонів. Градієнтні нестійкості, притаманні плазмооптичним пристроям. Умови оптимального проходження компенсованого іонного пучка у плазмовій лінзі.
автореферат, добавлен 13.07.2014Вивчення впливу питомої потужності, що вводиться в розряд, і тиску в джерелі на його основні характеристики. Пояснення відмінностей у швидкості зростання концентрації негативних іонів водню для різних розрядних струмів при імпульсно-періодичному режимі.
автореферат, добавлен 28.12.2015Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014- 117. Процеси утворення позитивних і негативних іонів молекул цитозину, тиміну, урацилу електронним ударом
Дослідження процесів іонізації молекул азотистих основ нуклеїнових кислот. Створення експериментальної мас-спектрометричної установки. Розробка джерела молекулярного пучка. Встановлення перебігу процесів іонізації у молекулах цитозину, тиміну, урацилу.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Розробка теорії кінетичних ефектів в іонізаційних і релаксаційних процесах, які мають місце в багатокомпонентній та гетерофазній плазмі і визначають виникнення і зникнення різних типів плазми. Утворення слабкодисипативних солітонів в запорошеній плазмі.
автореферат, добавлен 26.08.2015- 119. Релятивістська теорія заборонених радіаційних переходів у спектрах атомів та багатозарядних іонів
Розробка релятивістського методу опису характеристик заборонених радіаційних переходів у спектрах важких атомних систем і багатозарядних іонів. Розрахунки енергій, ймовірностей, сил осциляторів радіаційних переходів для іонів та атомів лантаноїдів.
автореферат, добавлен 25.07.2015 Процеси адсорбції, десорбції, міграції атомів та іонів фосфору, молекул (SiH4) на поверхнях Si(100) і Ge(100) за допомогою квантово-хімічного моделювання. Розрахунок енергетичних характеристик та квазірівноважних станів системи "поверхня-адсорбат".
автореферат, добавлен 28.10.2015Спорудження експериментального стенду колективного прискорювача іонів. Отримання прискорення іонів плазми електричним полем віртуального катоду, потік яких слугує інжектором в основну секцію, де прискорення здійснюється хвилею просторового заряду.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження ізобарної та ізохорної теплопровідності простих молекулярних кристалів. Дослідження впливу теплового розширення на процеси фононного розсіяння в орієнтаційно-упорядкованих та орієнтаційно-неупорядкованих фазах простих молекулярних кристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Утворення накипу у водогрійному обладнанні та шляхи боротьби з ним. Огляд та аналіз сучасних вітчизняних та закордонних досліджень щодо впливу електрообробки на процеси утворення накипу та існуючих винаходів у цій галузі. Протинакипна електрообробка води.
автореферат, добавлен 23.11.2013Кінцева стадія еволюції надгустої матерії, яка виникає у процесах зіткнень важких іонів високих енергій. Детальний аналіз спостережуваних імпульсних розподілів ґадронів та кореляційних функцій тотожних піонів. Використання приписання Ландау/Купера-Фрая.
автореферат, добавлен 23.08.2014Технологія отримання і властивості масивних кристалів. Методика отримання монокристалів CdTe і CdTe:Cl. Вивчення дефектів структури у масивних кристалах. Процеси електропровідності монокристалів, вирощених методом фізичного транспорту через газову фазу.
автореферат, добавлен 12.07.2015