Пленочные нанофазы как новые наноматериалы для кремниевой наноэлектроники
Определение места пленочных нанофаз среди фаз, стабилизированных подложкой. Возможные применения пленочных нанофаз в кремниевых наносхемах, в безрезистной нанолитографии, в кремниевой нанофотонике и наноспинтронике. Условия образования пленочных нанофаз.
Подобные документы
Рассмотрение подходов, позволяющих распределить возможные воздействия по протоколам информационно-телекоммуникационной сети. Учет степени опасности воздействия и подверженности ему каждого протокола с учетом его места и роли в информационном обмене.
статья, добавлен 24.03.2019Исследования в области квантовой физики, наностуктур, наноэлектроники, кристллофизики. Инвертированный атмосферный растровый электронный микроскоп. Интеграция методов сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионного спектрометрического анализа.
доклад, добавлен 12.11.2013Получена формула для термодинамического потенциала "грязного" сверхпроводника, выражающая его через квазиклассические функции Грина теории Узаделя. Проведено описание динамических процессов и флуктуаций в устройствах сверхпроводниковой наноэлектроники.
статья, добавлен 03.11.2018Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.
презентация, добавлен 05.04.2020Технологические основы создания люминесцентных сенсоров для микро- и наноэлектроники на основе полярных и неполярных зондов, нековалентно связанных с макромолекулами белка. Исследование процессов тушения флуоресценции сенсоров тяжелыми металлами.
автореферат, добавлен 14.04.2018- 56. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015- 58. Исследование технологии создания активно-матричных микродисплеев на основе органических светодиодов
Применение метода лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ) для решения задач, связанных с проблемами качества резки кремниевых приборных пластин на кристаллы с органическими светоизлучающими диодами, в частности для производства микродисплеев.
статья, добавлен 22.12.2021 Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Дифференциальные каскады с повышенным коэффициентом усиления. Усилители Гильберта с параллельным каналом преобразования сигнала. Кремниевые СВЧ смесители на основе диодов Шоттки в монолитном и гибридном исполнении. Аналоговые интерфейсы в КМОП базисе.
монография, добавлен 29.03.2012Обзор моделей аналитического оборудования и возможные области его применения. Внедрение того или иного метода анализа на предприятии. Использование рентгеновской дифракции и анализ синтетических материалов. Комплексный подход к решению задач пользователя.
статья, добавлен 27.02.2016Понятие "реинжиниринга информационных систем (ИС)": основное содержание и его место в жизненном цикле ИС. Общий подход к использованию каркаса. Классификация подходов, методов и технологий. Уровни рассмотрения аспектов, соотносимых с реинжинирингом.
контрольная работа, добавлен 26.04.2016Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Обзор технических характеристик мобильной связи 5G. Новые возможности для полноценного развития интернета вещей, умных городов, беспилотных автомобилей и ряда других областей. Возникновение прямых и косвенных угроз для национальной безопасности страны.
статья, добавлен 19.10.2021Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010- 66. Датчики скорости
Изучение различных видов датчиков скорости, их свойств, области применения и принципов действия, места в воспринимающих системах и величинах, которые используют для их описания. Понятие статической чувствительности, коэффициент усиления и градиента.
реферат, добавлен 08.04.2015 Модель радиационно-индуцированных токов утечки, обусловленных захваченным зарядом в толстых слоях краевой изоляции. Методы физических и схемотехнических расчетов одиночных радиационных эффектов. Расчет интенсивности сбоев в цифровых элементах памяти.
автореферат, добавлен 08.02.2018Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
статья, добавлен 03.11.2018Расчет усилителя мощности звуковой частоты на основе операционного усилителя К154УД и кремниевых транзисторов с учетом защиты выходного каскада и внешней коррекции напряжения смещения нуля. Выбор типа электронных компонентов, входящих в состав устройства.
курсовая работа, добавлен 17.05.2010Исследование вопросов создания цифровых измерителей освещенности, выполненных на основе кремниевых фотодиодов, интегрированных в структуру программируемого датчика с цифровым интерфейсом. Проведение анализа основных режимов работы цифровых измерителей.
статья, добавлен 02.02.2019- 71. Коды Хэмминга
Понятия кодов Хемминга, их возникновение, сфера применения. Понятие и назначение самоконтролирующихся и самокорректирующихся кодов. Принципы построения самокорректирующихся кодов. Обнаружение наличия и места нахождения ошибок с помощью кодов Хэмминга.
реферат, добавлен 24.12.2015 Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Определение понятия ядерного магнитного резонанса, релаксации. Структурно-функциональная схема и принципы построения современного ЯМР-релаксометра. Требования, предъявляемые к универсальному импульсному спектрометру. Области применения ЯМР-релаксометров.
реферат, добавлен 25.12.2014Особенности и условия эффективного применения корректирующих кодов. Значение данного процесса для повышения достоверности передачи криптограмм в системах скрытого управления войсками при наличии мощных помех естественной и организованной структуры.
статья, добавлен 19.01.2018Структура Тындинской дистанции сигнализации и связи, история развития и возможности. Сигналы и сигнальные принадлежности для ограждения места работ и порядок их применения. Измерительный инструмент и его использование, способы устранения неполадок.
дипломная работа, добавлен 19.11.2017