Характеристика сверхпроводимости
История открытия сверхпроводимости, ее физические основы. Джозефсоновский переход, сверхчувствительные приемники. СКВИД-датчик. Сверхчувствительные магнитометры. Сканирование слабонамагниченных объектов. Радиоэлементы на основе сверхпроводящих пленок.
Подобные документы
Представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Методы получения тонких пленок, монокристаллов, керамических образцов. Свойства сверхпроводников.
учебное пособие, добавлен 26.09.2017Открытие явления сверхпроводимости. Виды сверхпроводников и их свойства. Спектр применений сверхпроводников в энергетике, промышленности, на транспорте, в медицине и электронике. Возможность ускорения макроскопических объектов электромагнитным полем.
статья, добавлен 24.02.2019Влияние технологических параметров приготовления на электрические и структурные свойства эпитаксиальных пленок, полученных из высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x распылением. Параметры химической и термической обработки NdGaO3 подложек.
статья, добавлен 03.11.2018Маршруты формирования пленок на поверхности сапфира для газочувствительных датчиков с использованием лазерного излучения длиной волны 1064 нм. Экспериментальная оценка применения лазерного излучения для получения тонких пленок на поверхности подложки.
статья, добавлен 29.07.2017Исследование характеристик сверхпроводящие линии связи и определение зависимостей проводимости пропускаемого электрического тока. Разработка силовых сверхпроводящих кабелей на основе сверхпроводников. Технологии по изготовлению сверхпроводящих линий.
статья, добавлен 19.02.2019История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Внутреннее устройство и принцип работы датчика. Емкостный датчик со звуковым индикатором в массовом производстве: общая характеристика, принципиальная и электрическая схема. Датчик "Вернисаж" (ИО 305–5) и извещатель ПИК (ИО-305–3), их использование.
контрольная работа, добавлен 11.04.2014Датчик давления как устройство, физические параметры которого изменяются в зависимости от давления измеряемой среды (жидкости, газы, пар). Принципы и основные реализации датчиков. Регистрация сигналов датчиков давления, его отличие от манометра.
доклад, добавлен 16.02.2011Переход от микро- к наноразмерным пленкам в электронике. Работа технологической установки для формирования наноразмерных пленок и диагностической рентгено-рефлектометрической системы. Контроль параметров растущих пленок в реальном времени их формирования.
лабораторная работа, добавлен 30.11.2018Характеристики и параметры оптоэлектронных элементов и устройств: источники и приемники оптического излучения, оптроны, индикаторные устройства. Физические основы работы, конструкция и технологии изготовления, области применения оптоэлектронных приборов.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Метод вычисления статических характеристик джозефсоновского перехода, взаимодействующего с внешней электромагнитной резонансной системой. Компьютерная программа, реализующая алгоритм решения стохастических дифференциальных уравнений с помощью формулы Ито.
статья, добавлен 03.11.2018- 12. Фазогенераторный датчик контроля высокоскоростных электропроводящих объектов (на примере турбомашин)
Принцип построения быстродействующего фазогенераторного индуктивного датчика контроля высокоскоростных электропроводящих объектов. Инициирование разнополярными функциями Хевисайда пар переходных характеристик параллельного колебательного контура.
автореферат, добавлен 14.07.2018 Выяснение зависимости сопротивления проводника от температуры. Изучение явления сверхпроводимости. Анализ теории электропроводности металлов. Расчет работы и мощности тока по закону Джоуля-Ленца. Исследование правил Кирхгофа для разветвленных цепей.
контрольная работа, добавлен 01.10.2015Разработка цифрового измерителя температуры и давления на основе AVR микроконтроллера AT90S4414. Структурная, функциональная и принципиальная схемы. Датчик температуры на основе термопары ТХК. Возможность подключения других датчиков температуры.
курсовая работа, добавлен 05.06.2013Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Датчик давления и его физические параметры. Регистрация сигналов датчиков давления. Сравнение характеристик датчиков на примере М-100, М-150. Использование интегрирующих АЦП для ввода медленноменяющихся сигналов. Принципы и методы реализации датчиков.
реферат, добавлен 28.01.2011Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Анализ задачи создания программно-аппаратного решения для акустического датчика с низким энергопотреблением, работающего в составе беспроводной сенсорной сети на основе СШП хаотических радиоимпульсов. Использование нового метода сжатия звука ПАДИКМ.
статья, добавлен 30.10.2018- 19. Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники
Получение и исследование наноструктурированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния, обладающих высокой фоточувствительностью и стабильностью. Расчет излучательной способности наноструктурированных пленок в видимом и инфракрасном диапазонах.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Преимущества использования сервопривода в качестве исполнительного механизма для открытия ворот. Структурная схема умного дома Domintell. Анализ электрической принципиальной схемы блока управления и передачи данных. Модуль датчика открытия двери.
дипломная работа, добавлен 29.06.2014Сущность и значение принципов электрофизических измерений датчиками фарадеевского, нефарадеевского типа. Алгоритм измерения неизвестных значений параметров импеданса. Перевод кодовых значений параметра импеданса в физические единицы размерности.
курсовая работа, добавлен 08.10.2016Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Оценка влияния параметров процесса газофазного осаждения нитрида кремния (Si3N4) на механические напряжения пленок. Определение размерного фактора, позволяющего управлять чувствительностью гофрированной мембраны для миниатюрного акустического датчика.
автореферат, добавлен 31.07.2018Исследование характеристик и особенностей применения атмосферных оптических линий связи. Современные приемники излучения, применяемые в АОЛС, их характеристики и принцип действия. Структура сети на основе АОЛС для связи сегментов ЛВС ведомственной службы.
диссертация, добавлен 24.05.2018Залповый сброс вредных веществ в поверхностные воды объектов - причина аварийного загрязнения водных объектов. Анализ разности сигналов с оптоэлектронного датчика для водной среды при внесении в неё меловой взвеси различной объемной концентрации.
статья, добавлен 07.12.2018