Вплив ультразвуку на електричну активність радіаційних дефектів у опромінених кристалах кремнію n-типу
Дослідження впливу ультразвукової обробки на перебудову радіаційних дефектів у бездислокаційних кристалах кремнію n-типу з високою концентрацією кисню, опромінених квантами. Теоретичний аналіз температурних залежностей концентрації та рухливості.
Подобные документы
З'ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологісті, водними розчинами з різними рН та розчинами біомолекул. Розгляд механізму впливу полінуклеотидів на фотолюмінесценцію пористого кремнію.
автореферат, добавлен 25.02.2015Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження факторів, які впливають на зарядовий стан домішки Gd у кристалах телуридів свинцю і олова і можуть змінювати його, а також можливі механізми і результати взаємодії легуючої домішки і системи власних дефектів легованих кристалічних матриць.
автореферат, добавлен 15.07.2014- 54. Механізм утворення і властивості ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію
Експериментальне дослідження впливу теплових умов росту, фонових домішок вуглецю і кисню на утворення та параметри ростових мікродефектів. Обгрунтування феноменологічної фізичної моделі механізму утворення, росту і трансформації ростових мікродефектів.
автореферат, добавлен 10.08.2014 Дослідження механізму генерації центрів забарвлення в кристалах BaCl2-Pb за умови існування в кристалах автолокалізованих дірок (VK-центрів) у моделі лінійного кристала. Кінетика утворення та граничні концентрації в кристалі. Сумарне забарвлення кристала.
статья, добавлен 30.07.2016Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
статья, добавлен 03.07.2016Аналіз відомих експериментальних результатів і теоретичних моделей виникнення ефекту далекодії у твердих тілах при енергетичних зовнішніх впливах. Дослідження особливостей монокристалів кремнію, опромінених високоенергетичними ядрами водню та гелію.
статья, добавлен 11.09.2013Дослідження області існування та умов синтезу скла на основі окислів СaO, Ga2O3 і GeO2. Аналіз оптичних та фізико-хімічних характеристик синтезованих зразків скла. Встановлення впливу іонізуючого опромінення на оптико-спектроскопічні властивості скла.
автореферат, добавлен 28.08.2014Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження ефекту лінійного плеохроїзму у напівпровідникових кристалах кубічної сингонії з індукованою анізотропією діелектричних властивостей за допомогою методу, заснованому на модуляції поляризації з високою чутливістю до величини анізотропії.
автореферат, добавлен 01.08.2014Експериментальний та теоретичний аналіз спектрів оптичного пропускання в епітаксійних плівках Hg1-xCdxTe з різним характером та величиною градієнта складу. Дослідження механізмів темнового струму і спектрів шуму в довгохвильових фотодіодах n+-p-типу.
автореферат, добавлен 12.02.2014Визначення положень кристалохімічної і термодинамічної моделі парофазної епітаксії плівок халькогенідів свинцю. Аналіз експериментальних досліджень для з'ясування механізмів впливу атмосфери кисню на концентрації носіїв струму і дефектів у плівці.
автореферат, добавлен 15.07.2014Експериментальне визначення впливу окремих структурних груп на процеси формування різних низькотемпературних фаз у змішаних кристалах у подальшому розвитку уявлень про механізм фазового переходу до антифероелектричного стану в кристалах сімейства KDP.
автореферат, добавлен 06.07.2014Зміни параметра анізотропії рухливості K в n-Si з точковими дефектами під впливом високого гідростатичного тиску. Зміни рухливості носіїв струму під впливом гама-опромінення і пружної направленої деформації досліджуваних кристалів, опис експерименту.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження формування домінуючих станів кисню, що утворюються в кремнії при одночасній дії радіації та високої температури. З’ясування впливу важких ізовалентних домішок олова і свинцю на ефективність формування індукованих станів кисню в кремнії.
автореферат, добавлен 29.09.2014Вивчення концентраційної поведінки урбахівського краю поглинання та його основних параметрів. Розгляд спектральних залежностей коефіцієнта поглинання в кристалах твердих розчинів. Аналіз катіонного заміщення Ge-Si. Збільшення ширини оптичної псевдощілини.
статья, добавлен 27.12.2016Визначення впливу дефектної структури на характеристики міцності і термічної стабільності АМС типу метал-металоїд. Дослідження температурних залежностей мікротвердості матеріалу різного складу. Структура високотемпературної надпровідної композиції.
автореферат, добавлен 05.01.2014Встановлення особливостей дисперсії елементарних збуджень різного типу (фононних та електронних) у тетрагональних гіротропних енантіоморфних кристалах у таких як a-ZnP2, CdP2 та TeO2. Засоби спектроскопії оптичної із залученням методів теорії груп.
автореферат, добавлен 27.09.2014- 69. Дефектоперетворення в твердих розчинах CdHgTe, стимульоване ультразвуком допорогової інтенсивності
Вивчення впливу акустичних хвиль ультразвукового діапазону частот та допорогової інтенсивності на систему дефектів і властивості вузькозонних твердих розчинів CdхHg1-хTe. Вивільнення зв'язаних в дислокаційні атмосфери дефектів під впливом ультразвуку.
автореферат, добавлен 22.04.2014 Аналіз залежності фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації за різних радіусів пор та середніх відстаней між ними. Дослідження впливу неоднорідності розмірів пор на фотопровідність поруватого кремнію. Виготовлення сенсорних пристроїв.
статья, добавлен 10.12.2016Дослідження оптичних та люмінесцентних властивостей поруватого кремнію і структур на його основі. Розробка лабораторної технології та вивчення фізико-хімічних особливостей формування і морфології шарів поруватого кремнію, визначення їх оптичних констант.
автореферат, добавлен 20.07.2015Розгляд та характеристика математичних моделей процесів, що визначають форму кривих виживаності клітин, опромінених фотонним іонізуючим випромінюванням. Побудова математичної моделі кінетики однониткових розривів ДНК у процесі опромінення і після нього.
автореферат, добавлен 02.08.2014- 73. Магнітна залежність екситонних спектрів у квантових ямах опромінених напівмагнітних напівпровідників
Залежність спектрів екситонів від магнітного поля у квантових ямах, опромінених високоенергетичними частинками марганцю. Показано, що в опромінених зразках має місце суттєве збільшення розщеплення екситонних рівнів у магнітному полі у квантовій ямі.
статья, добавлен 03.10.2013 Дослідження кінетичних ефектів у твердих розчинах кремній-германій. Природа кінетичних ефектів у кристалах n-кремнію з ізовалентною домішкою германію. Вплив ізовалентної домішки германію на інтенсивність утворення дефекту радіаційного походження A-центра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Моделювання представлення дислокаційних петель кремнію. Вплив комбінованих спотворень на товщинні розподіли інтенсивності. Застосування числових методів розрахунку дислокаційного контрасту. Механізм формування елементів дифракційних зображень дислокацій.
автореферат, добавлен 20.07.2015