Исследование зависимости выходных параметров от температуры с различным типом теплопроводящей подложки на металлическом основании на примере транзистора BLF578XR

Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.

Подобные документы

  • Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.

    курсовая работа, добавлен 16.08.2014

  • Обобщенная структурная схема передатчика с прямым способом получения частотной модуляции. Расчет коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Расчет схемы связи оконечного каскада с нагрузкой. Выбор транзистора для автогенератора, расчет модулятора.

    курсовая работа, добавлен 09.04.2012

  • Разработка конструкции и математической модели электрохимического датчика растворённого кислорода на основе полевого транзистора с изолированным затвором. Основные недостатки применения ионоселективных электродов для определения концентрации веществ.

    статья, добавлен 27.05.2018

  • Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.

    реферат, добавлен 10.03.2016

  • Основные статические параметры транзистора. Показатели динамического режима транзисторного усилителя. Принципиальная схема усилительного каскада. Расчет транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме. Определение параметров схемы мультивибратора.

    контрольная работа, добавлен 03.06.2018

  • Визначення залежності струму колектора від струму бази та напруги колектор-емітер. Розрахунок сімейства вихідних характеристик біполярного транзистора в схемі із загальним емітером. Фактори, що визначають силу струму, що протікає через колектор.

    лабораторная работа, добавлен 27.03.2014

  • Взаимосвязь между энергетическим спектром молекулы и транспортными характеристиками мономолекулярного одноэлектронного транзистора на основе молекулы. Применение метода имитационного моделирования Монте-Карло. Расчет эффективных емкостных параметров.

    статья, добавлен 03.11.2018

  • Определение напряжения источника питания и рабочего режима транзистора. Выбор резисторов. Оценка сопротивлений выходной части каскада и входной цепи. Графический расчет усилительного каскада и анализ основных его параметров. Подбор конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2017

  • Выбор структурной схемы и предварительный расчет радиопередающего устройства с частотной модуляцией. Оконечный усилитель мощности на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером. Элементы схемы, параметры транзистора. Эквивалентные параметры антенны.

    курсовая работа, добавлен 06.11.2011

  • Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.

    курсовая работа, добавлен 27.11.2012

  • Свойства электронно-дырочного или p-n-перехода. Диод как электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля, свойства и применение транзистора и тиристора. Однокаскадные и двухкаскадные усилители.

    курсовая работа, добавлен 18.05.2014

  • Определение, функции, свойства, основные принципы построения, работы и обозначения диодного моста, транзистора, тиристора. Особенности функционирования D-триггера, Т-триггера и RS-триггера. Условия протекания рабочего тока в полевом транзисторе.

    доклад, добавлен 17.09.2012

  • Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.

    курс лекций, добавлен 02.03.2017

  • Усилитель колебаний низкой частоты – составная часть каждого современного радиоприемника, телевизора или магнитофона. Основа радиовещания по проводам, аппаратуры телеуправления и многих измерительных приборов. Определение параметров транзистора.

    курсовая работа, добавлен 23.09.2017

  • Расчет и схематизация каскада усилителя мощности низкой частоты на транзисторе с общими эмиттерами. Определение предельно допустимых параметров безопасной работы заданного транзистора. Расчет значения резисторов и сопротивления в цепях коллекторов.

    реферат, добавлен 01.04.2015

  • Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.

    курсовая работа, добавлен 06.08.2013

  • Особенности выбора входного транзистора, расчет входных элементов и элементов отрицательной обратной связи. Основы расчета мощности элементов схемы. Определение оконечного каскада. Исследование основных аспектов проектирования электронного устройства.

    курсовая работа, добавлен 05.01.2015

  • Определение основных параметров несимметричного мультивибратора. Вычисление максимально допустимого напряжения между коллектором и базой транзистора, его выбор по коэффициенту усиления. Расчет мощности резисторов и номинальной емкости конденсаторов.

    контрольная работа, добавлен 08.02.2013

  • Понятие и виды обратной связи. Влияние отрицательной обратной связи на параметры и характеристики усилителя. Понятие и характеристики устойчивости усилителей с обратной связью. Анализ усилительных каскадов при различных схемах включения транзистора.

    лекция, добавлен 06.09.2017

  • Определение запаса напряжения, связанного с нелинейностью выходных вольтамперных характеристик транзистора. Методы графического расчета усилительного каскада. Исследование частотных характеристик усилителя. Вычисление возможного ухода рабочего тока.

    курсовая работа, добавлен 15.09.2015

  • Параметры эквивалентной схемы транзистора. Угол отсечки и коэффициенты разложения. Расчет режима максимальной мощности. Пиковое напряжение на коллекторе. Амплитуда базового тока. Статические модуляционные характеристики. Принципиальная схема модуля.

    контрольная работа, добавлен 23.02.2015

  • Оценка электрических параметров транзистора и красного светодиода. Разработка формирователя прямоугольных импульсов для заданного входного сигнала. Описание функциональной схемы генератора импульсов. Расчет сопротивлений по мощности рассеивания.

    контрольная работа, добавлен 26.01.2015

  • Условное обозначение, направления токов и полярности напряжения на электродах полевого транзистора КП301Б. Методика построения фрагмента выходной сток-истоковой характеристики в окрестности рабочей точки. Анализ эквивалентной схемы для низких частот.

    контрольная работа, добавлен 04.02.2016

  • Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.

    дипломная работа, добавлен 05.08.2018

  • Энергопотребление сети размножения синхроимпульсов. Методика измерения статической и динамической составляющих мощности потребления микросхемы. Стробирование синхросигнала микропроцессора с низким энергопотреблением. Ток утечки затвора транзистора.

    статья, добавлен 27.11.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.